FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

IśćNapięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET Formuła

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Napięcie drenu Q1 to napięcie pobierane na zacisku drenu na jednym tranzystorze Q1 w obwodzie różnicowym. Sprawdź FAQs

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

v_o1 - Napięcie drenu Q1?R_out - Rezystancja wyjściowa?g_m - Transkonduktancja?V_cin - Sygnał wejściowy trybu wspólnego?

Przykład Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym wygląda jak.

-34.65 = - 4.5 \cdot \frac{0.5 \cdot 84.7}{1 + (2 \cdot 0.5 \cdot 4.5)}

-34.65V = - 4.5kΩ \cdot \frac{0.5mS \cdot 84.7V}{1 + (2 \cdot 0.5mS \cdot 4.5kΩ)}

-34.65 = - 4.5 \cdot \frac{0.5 \cdot 84.7}{1 + (2 \cdot 0.5 \cdot 4.5)}

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Elektronika analogowa » fx Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym?

Pierwszy krok Rozważ formułę

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

v o1 = - 4.5kΩ \cdot \frac{0.5mS \cdot 84.7V}{1 + (2 \cdot 0.5mS \cdot 4.5kΩ)}

Następny krok Konwersja jednostek

∴

v o1 = - 4500Ω \cdot \frac{0.0005S \cdot 84.7V}{1 + (2 \cdot 0.0005S \cdot 4500Ω)}

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

v o1 = - 4500 \cdot \frac{0.0005 \cdot 84.7}{1 + (2 \cdot 0.0005 \cdot 4500)}

Ostatni krok Oceniać

∴

v o1 = -34.65V

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym Formuła Elementy

Zmienne

Napięcie drenu Q1

Napięcie drenu Q1 to napięcie pobierane na zacisku drenu na jednym tranzystorze Q1 w obwodzie różnicowym.

Symbol: v_o1

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Napięcie drenu Q1

Rezystancja wyjściowa

Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.

Symbol: R_out

Pomiar: Odporność elektrycznaJednostka: kΩ

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Rezystancja wyjściowa

Transkonduktancja

Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.

Symbol: g_m

Pomiar: Przewodnictwo elektryczneJednostka: mS

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Transkonduktancja

Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Sygnał wejściowy w trybie wspólnym to rodzaj sygnału elektrycznego, który pojawia się jednakowo na obu zaciskach wejściowych wzmacniacza różnicowego.

Symbol: V_cin

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Inne formuły do znalezienia Napięcie drenu Q1

Iść Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

Inne formuły w kategorii Napięcie

Iść Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

Iść Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

Iść Przyrostowy sygnał napięciowy wzmacniacza różnicowego

V cin = (\frac{I t}{g m}) + (2 \cdot I t \cdot R out)

Iść Napięcie progowe, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz

V th = V gs - V eff

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym?

Ewaluator Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym używa Drain Voltage Q1 = -Rezystancja wyjściowa*(Transkonduktancja*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/(1+(2*Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa)) do oceny Napięcie drenu Q1, Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET przy danym wzorze sygnału w trybie wspólnym jest definiowane jako napięcie wyzwalane przez urządzenie, takie jak regulator napięcia lub generator. Napięcie drenu Q1 jest oznaczona symbolem v_o1.

Jak ocenić Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym, wpisz Rezystancja wyjściowa (R_out), Transkonduktancja (g_m) & Sygnał wejściowy trybu wspólnego (V_cin) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Jaki jest wzór na znalezienie Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym?

Formuła Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym jest wyrażona jako Drain Voltage Q1 = -Rezystancja wyjściowa*(Transkonduktancja*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/(1+(2*Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa)). Oto przykład: -34.65 = -4500*(0.0005*84.7)/(1+(2*0.0005*4500)).

Jak obliczyć Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym?

Dzięki Rezystancja wyjściowa (R_out), Transkonduktancja (g_m) & Sygnał wejściowy trybu wspólnego (V_cin) możemy znaleźć Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym za pomocą formuły - Drain Voltage Q1 = -Rezystancja wyjściowa*(Transkonduktancja*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/(1+(2*Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa)).

Jakie są inne sposoby obliczenia Napięcie drenu Q1?

Oto różne sposoby obliczania Napięcie drenu Q1-

Drain Voltage Q1=-(Output Resistance*Total Current)

Czy Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym może być ujemna?

Tak, Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym zmierzona w Potencjał elektryczny Móc będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym?

Wartość Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Wolt[V] dla wartości Potencjał elektryczny. Miliwolt[V], Mikrowolt[V], Nanowolt[V] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

​IśćNapięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET Formuła

Przykład Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym Rozwiązanie

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym Formuła Elementy

Inne formuły do znalezienia Napięcie drenu Q1

Inne formuły w kategorii Napięcie

Jak ocenić Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym?

FAQs NA Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Variable Name

IśćNapięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET Formuła