FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Wejściowe napięcie niezrównoważenia to napięcie, które należy przyłożyć między dwoma zaciskami wejściowymi wzmacniacza operacyjnego, aby uzyskać zero woltów na wyjściu. Sprawdź FAQs

V os = - \frac{2 \cdot V t}{β forced}

V_os - Napięcie niezrównoważenia wejścia?V_t - Próg napięcia?β_forced - Wymuszone wzmocnienie prądu wspólnego emitera?

Przykład Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym wygląda jak.

-3.5455 = - \frac{2 \cdot 19.5}{11}

-3.5455V = - \frac{2 \cdot 19.5V}{11}

-3.5455 = - \frac{2 \cdot 19.5}{11}

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Wzmacniacze » fx Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym

Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym?

Pierwszy krok Rozważ formułę

V os = - \frac{2 \cdot V t}{β forced}

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

V os = - \frac{2 \cdot 19.5V}{11}

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

V os = - \frac{2 \cdot 19.5}{11}

Następny krok Oceniać

∴

V os = -3.54545454545455V

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

V os = -3.5455V

Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym Formuła Elementy

Zmienne

Napięcie niezrównoważenia wejścia

Wejściowe napięcie niezrównoważenia to napięcie, które należy przyłożyć między dwoma zaciskami wejściowymi wzmacniacza operacyjnego, aby uzyskać zero woltów na wyjściu.

Symbol: V_os

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Napięcie niezrównoważenia wejścia

Próg napięcia

Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramki do źródła, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej pomiędzy zaciskami źródła i drenu.

Symbol: V_t

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Próg napięcia

Wymuszone wzmocnienie prądu wspólnego emitera

Wymuszone wzmocnienie prądu wspólnego emitera to stosunek prądu kolektora i prądu bazy w trybie nasycenia.

Symbol: β_forced

Pomiar: NAJednostka: Unitless

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Wymuszone wzmocnienie prądu wspólnego emitera

Inne formuły w kategorii Przesunięcie prądu stałego

Iść Napięcie wyjściowe wzmacniacza napięcia

V out = V s - (I d \cdot R L)

Iść Prąd podczas pracy z różnicowym napięciem wejściowym

I t = \frac{1}{2} \cdot (k' n \cdot WL) \cdot {(V d - V t)}^{2}

Iść Maksymalne różnicowe napięcie wejściowe tranzystora MOSFET przy danym napięciu przesterowania

V is = \sqrt{2} \cdot V ov

Jak ocenić Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym?

Ewaluator Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym używa Input Offset Voltage = -(2*Próg napięcia)/Wymuszone wzmocnienie prądu wspólnego emitera do oceny Napięcie niezrównoważenia wejścia, Przesunięcie napięcia tranzystora MOSFET ze wzorem Current-Mirror Load jest zdefiniowane jako napięcie, które musi być przyłożone do wejścia, aby wyjście miało wartość 0. Napięcie niezrównoważenia wejścia jest oznaczona symbolem V_os.

Jak ocenić Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym, wpisz Próg napięcia (V_t) & Wymuszone wzmocnienie prądu wspólnego emitera (β_forced) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym

Jaki jest wzór na znalezienie Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym?

Formuła Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym jest wyrażona jako Input Offset Voltage = -(2*Próg napięcia)/Wymuszone wzmocnienie prądu wspólnego emitera. Oto przykład: -3.545455 = -(2*19.5)/11.

Jak obliczyć Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym?

Dzięki Próg napięcia (V_t) & Wymuszone wzmocnienie prądu wspólnego emitera (β_forced) możemy znaleźć Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym za pomocą formuły - Input Offset Voltage = -(2*Próg napięcia)/Wymuszone wzmocnienie prądu wspólnego emitera.

Czy Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym może być ujemna?

Tak, Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym zmierzona w Potencjał elektryczny Móc będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym?

Wartość Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Wolt[V] dla wartości Potencjał elektryczny. Miliwolt[V], Mikrowolt[V], Nanowolt[V] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Napięcie przesunięcia tranzystora MOSFET z obciążeniem prądowo-lustrzanym.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka