FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Napięcie nasycenia IGBT

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Napięcie nasycenia kolektor-emiter (IGBT) tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką to spadek napięcia na IGBT, gdy jest on włączony i przewodzi prąd. Sprawdź FAQs

V c-e(sat)(igbt) = V B-E(pnp)(igbt) + I d(igbt) \cdot (R s(igbt) + R ch(igbt))

V_{c-e(sat)(igbt)} - Napięcie nasycenia kolektora-emitera (IGBT)?V_{B-E(pnp)(igbt)} - Napięcie emitera bazowego PNP IGBT?I_d(igbt) - Prąd drenu (IGBT)?R_s(igbt) - Odporność na przewodność IGBT?R_ch(igbt) - Rezystancja kanału N (IGBT)?

Przykład Napięcie nasycenia IGBT

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Napięcie nasycenia IGBT wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Napięcie nasycenia IGBT wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Napięcie nasycenia IGBT wygląda jak.

1222.25 = 2.15 + 105 \cdot (1.03 + 10.59)

1222.25V = 2.15V + 105mA \cdot (1.03kΩ + 10.59kΩ)

1222.25 = 2.15 + 105 \cdot (1.03 + 10.59)

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektryczny » Category

Elektronika mocy » fx Napięcie nasycenia IGBT

Napięcie nasycenia IGBT Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Napięcie nasycenia IGBT?

Pierwszy krok Rozważ formułę

V c-e(sat)(igbt) = V B-E(pnp)(igbt) + I d(igbt) \cdot (R s(igbt) + R ch(igbt))

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15V + 105mA \cdot (1.03kΩ + 10.59kΩ)

Następny krok Konwersja jednostek

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15V + 0.105A \cdot (1030Ω + 10590Ω)

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15 + 0.105 \cdot (1030 + 10590)

Ostatni krok Oceniać

∴

V c-e(sat)(igbt) = 1222.25V

Napięcie nasycenia IGBT Formuła Elementy

Zmienne

Napięcie nasycenia kolektora-emitera (IGBT)

Napięcie nasycenia kolektor-emiter (IGBT) tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką to spadek napięcia na IGBT, gdy jest on włączony i przewodzi prąd.

Symbol: V_{c-e(sat)(igbt)}

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Napięcie nasycenia kolektora-emitera (IGBT)

Napięcie emitera bazowego PNP IGBT

Napięcie emitera bazowego PNP IGBT. IGBT to urządzenie hybrydowe, które łączy w sobie zalety tranzystora MOSFET i BJT.

Symbol: V_{B-E(pnp)(igbt)}

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Napięcie emitera bazowego PNP IGBT

Prąd drenu (IGBT)

Prąd drenu (IGBT) to prąd przepływający przez złącze drenu MOSFET i IGBT.

Symbol: I_d(igbt)

Pomiar: Prąd elektrycznyJednostka: mA

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Prąd drenu (IGBT)

Odporność na przewodność IGBT

Rezystancja przewodności IGBT to rezystancja, gdy IGBT jest włączony i przewodzi prąd.

Symbol: R_s(igbt)

Pomiar: Odporność elektrycznaJednostka: kΩ

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Odporność na przewodność IGBT

Rezystancja kanału N (IGBT)

Rezystancja kanału N (IGBT) to rezystancja materiału półprzewodnikowego w urządzeniu, gdy IGBT jest włączony.

Symbol: R_ch(igbt)

Pomiar: Odporność elektrycznaJednostka: kΩ

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Rezystancja kanału N (IGBT)

Inne formuły w kategorii IGBT

Iść Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia

V ON(igbt) = i f(igbt) \cdot R ch(igbt) + i f(igbt) \cdot R d(igbt) + V j1(igbt)

Iść Czas wyłączenia IGBT

T off(igbt) = T dl(igbt) + t f1(igbt) + t f2(igbt)

Iść Prąd emitera IGBT

I e(igbt) = I h(igbt) + i e(igbt)

Iść Pojemność wejściowa IGBT

C in(igbt) = C (g-e)(igbt) + C (g-c)(igbt)

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Napięcie nasycenia IGBT?

Ewaluator Napięcie nasycenia IGBT używa Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Napięcie emitera bazowego PNP IGBT+Prąd drenu (IGBT)*(Odporność na przewodność IGBT+Rezystancja kanału N (IGBT)) do oceny Napięcie nasycenia kolektora-emitera (IGBT), Napięcie nasycenia IGBT to spadek napięcia na urządzeniu, gdy jest ono w stanie „włączonym” lub przewodzącym. Ten spadek napięcia wynika z nieodłącznych właściwości tranzystora IGBT i jest zazwyczaj niższy niż spadek napięcia na standardowym bipolarnym tranzystorze złączowym (BJT). Na napięcie nasycenia IGBT wpływa kilka czynników, w tym prąd znamionowy IGBT, temperatura oraz konkretny model lub producent. Napięcie nasycenia kolektora-emitera (IGBT) jest oznaczona symbolem V_{c-e(sat)(igbt)}.

Jak ocenić Napięcie nasycenia IGBT za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Napięcie nasycenia IGBT, wpisz Napięcie emitera bazowego PNP IGBT (V_{B-E(pnp)(igbt)}), Prąd drenu (IGBT) (I_d(igbt)), Odporność na przewodność IGBT (R_s(igbt)) & Rezystancja kanału N (IGBT) (R_ch(igbt)) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Napięcie nasycenia IGBT

Jaki jest wzór na znalezienie Napięcie nasycenia IGBT?

Formuła Napięcie nasycenia IGBT jest wyrażona jako Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Napięcie emitera bazowego PNP IGBT+Prąd drenu (IGBT)*(Odporność na przewodność IGBT+Rezystancja kanału N (IGBT)). Oto przykład: 1.1E+6 = 2.15+105*(1.03+10590).

Jak obliczyć Napięcie nasycenia IGBT?

Dzięki Napięcie emitera bazowego PNP IGBT (V_{B-E(pnp)(igbt)}), Prąd drenu (IGBT) (I_d(igbt)), Odporność na przewodność IGBT (R_s(igbt)) & Rezystancja kanału N (IGBT) (R_ch(igbt)) możemy znaleźć Napięcie nasycenia IGBT za pomocą formuły - Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Napięcie emitera bazowego PNP IGBT+Prąd drenu (IGBT)*(Odporność na przewodność IGBT+Rezystancja kanału N (IGBT)).

Czy Napięcie nasycenia IGBT może być ujemna?

NIE, Napięcie nasycenia IGBT zmierzona w Potencjał elektryczny Nie mogę będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Napięcie nasycenia IGBT?

Wartość Napięcie nasycenia IGBT jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Wolt[V] dla wartości Potencjał elektryczny. Miliwolt[V], Mikrowolt[V], Nanowolt[V] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Napięcie nasycenia IGBT.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Napięcie nasycenia IGBT

Przykład Napięcie nasycenia IGBT

Napięcie nasycenia IGBT Rozwiązanie

Napięcie nasycenia IGBT Formuła Elementy

Inne formuły w kategorii IGBT

Jak ocenić Napięcie nasycenia IGBT?

FAQs NA Napięcie nasycenia IGBT

Variable Name