FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Prąd wejściowy może odnosić się do prądu elektrycznego płynącego do urządzenia lub obwodu elektrycznego. Prąd ten może być prądem przemiennym lub stałym, w zależności od urządzenia i źródła zasilania. Sprawdź FAQs

I in = V gs \cdot (ω \cdot (C sg + C gd))

I_in - Prąd wejściowy?V_gs - Napięcie bramka-źródło?ω - Częstotliwość kątowa?C_sg - Pojemność bramki źródłowej?C_gd - Pojemność bramowo-drenowa?

Przykład Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET wygląda jak.

2.0011 = 4 \cdot (33 \cdot (8.16 + 7))

2.0011mA = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF))

2.0011 = 4 \cdot (33 \cdot (8.16 + 7))

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Elektronika analogowa » fx Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET

Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET?

Pierwszy krok Rozważ formułę

I in = V gs \cdot (ω \cdot (C sg + C gd))

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

I in = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF))

Następny krok Konwersja jednostek

∴

I in = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.2E-6F + 7E-6F))

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

I in = 4 \cdot (33 \cdot (8.2E-6 + 7E-6))

Następny krok Oceniać

∴

I in = 0.00200112A

Następny krok Konwertuj na jednostkę wyjściową

∴

I in = 2.00112mA

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

I in = 2.0011mA

Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET Formuła Elementy

Zmienne

Prąd wejściowy

Symbol: I_in

Pomiar: Prąd elektrycznyJednostka: mA

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Prąd wejściowy

Napięcie bramka-źródło

Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.

Symbol: V_gs

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Napięcie bramka-źródło

Częstotliwość kątowa

Częstotliwość kątowa fali odnosi się do przesunięcia kątowego w jednostce czasu. Jest to skalarna miara szybkości rotacji.

Symbol: ω

Pomiar: Częstotliwość kątowaJednostka: rad/s

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Częstotliwość kątowa

Pojemność bramki źródłowej

Pojemność bramki źródła jest miarą pojemności pomiędzy elektrodą źródła i bramki w tranzystorze polowym (FET).

Symbol: C_sg

Pomiar: PojemnośćJednostka: μF

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Pojemność bramki źródłowej

Pojemność bramowo-drenowa

Pojemność bramka-dren to pojemność pasożytnicza występująca pomiędzy elektrodą bramkową i drenową tranzystora polowego (FET).

Symbol: C_gd

Pomiar: PojemnośćJednostka: μF

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Pojemność bramowo-drenowa

Inne formuły w kategorii Napięcie

Iść Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

Iść Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

Iść Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

Iść Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET?

Ewaluator Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET używa Input Current = Napięcie bramka-źródło*(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa)) do oceny Prąd wejściowy, Dodatnie napięcie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET wzrasta wraz z domieszkowaniem, podczas gdy próg struktur pMOS zmniejsza się wraz z domieszkowaniem w ten sam sposób. Zmiana napięcia płaskiego pasma spowodowana ładunkiem tlenku spowoduje przesunięcie obu krzywych w dół, jeśli ładunek jest dodatni, i w górę, jeśli ładunek jest ujemny. Prąd wejściowy jest oznaczona symbolem I_in.

Jak ocenić Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET, wpisz Napięcie bramka-źródło (V_gs), Częstotliwość kątowa (ω), Pojemność bramki źródłowej (C_sg) & Pojemność bramowo-drenowa (C_gd) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET

Jaki jest wzór na znalezienie Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET?

Formuła Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET jest wyrażona jako Input Current = Napięcie bramka-źródło*(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa)). Oto przykład: 2001.12 = 4*(33*(8.16E-06+7E-06)).

Jak obliczyć Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET?

Dzięki Napięcie bramka-źródło (V_gs), Częstotliwość kątowa (ω), Pojemność bramki źródłowej (C_sg) & Pojemność bramowo-drenowa (C_gd) możemy znaleźć Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET za pomocą formuły - Input Current = Napięcie bramka-źródło*(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa)).

Czy Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET może być ujemna?

Tak, Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET zmierzona w Prąd elektryczny Móc będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET?

Wartość Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Miliamper[mA] dla wartości Prąd elektryczny. Amper[mA], Mikroamper[mA], Centiamper[mA] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET

Przykład Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET

Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET Rozwiązanie

Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET Formuła Elementy

Inne formuły w kategorii Napięcie

Jak ocenić Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET?

FAQs NA Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET

Variable Name