FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Maksymalna głębokość wyczerpania

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Maksymalna głębokość zubożenia odnosi się do maksymalnego stopnia, w jakim obszar zubożenia rozciąga się w materiale półprzewodnikowym urządzenia w określonych warunkach pracy. Sprawdź FAQs

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dm - Maksymalna głębokość wyczerpania?Φ_f - Masowy potencjał Fermiego?N_A - Dopingujące stężenie akceptora?[Permitivity-silicon] - Przenikalność krzemu?[Charge-e] - Ładunek elektronu?

Przykład Maksymalna głębokość wyczerpania

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Maksymalna głębokość wyczerpania wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Maksymalna głębokość wyczerpania wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Maksymalna głębokość wyczerpania wygląda jak.

7.4E+6 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

7.4E+6m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

7.4E+6 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Elektronika analogowa » fx Maksymalna głębokość wyczerpania

Maksymalna głębokość wyczerpania Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Maksymalna głębokość wyczerpania?

Pierwszy krok Rozważ formułę

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

Następny krok Zastępcze wartości stałych

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

Następny krok Konwersja jednostek

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

Następny krok Oceniać

∴

x dm = 7437907.45302539m

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

x dm = 7.4E+6m

Maksymalna głębokość wyczerpania Formuła Elementy

Zmienne

Stałe

Funkcje

Maksymalna głębokość wyczerpania

Maksymalna głębokość zubożenia odnosi się do maksymalnego stopnia, w jakim obszar zubożenia rozciąga się w materiale półprzewodnikowym urządzenia w określonych warunkach pracy.

Symbol: x_dm

Pomiar: DługośćJednostka: m

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Maksymalna głębokość wyczerpania

Masowy potencjał Fermiego

Masowy potencjał Fermiego to parametr opisujący potencjał elektrostatyczny w masie (wewnątrz) materiału półprzewodnikowego.

Symbol: Φ_f

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Masowy potencjał Fermiego

Dopingujące stężenie akceptora

Domieszkowanie Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów akceptora celowo dodanych do materiału półprzewodnikowego.

Symbol: N_A

Pomiar: Gęstość elektronówJednostka: electrons/cm³

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Dopingujące stężenie akceptora

Przenikalność krzemu

Przepuszczalność krzemu mierzy jego zdolność do magazynowania energii elektrycznej w polu elektrycznym, co jest niezbędne w technologii półprzewodników.

Symbol: [Permitivity-silicon]

Wartość: 11.7

Ładunek elektronu

Ładunek elektronu jest podstawową stałą fizyczną, reprezentującą ładunek elektryczny przenoszony przez elektron, będący cząstką elementarną o ujemnym ładunku elektrycznym.

Symbol: [Charge-e]

Wartość: 1.60217662E-19 C

sqrt

Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która przyjmuje jako dane wejściowe liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy podanej liczby wejściowej.

Składnia: sqrt(Number)

modulus

Moduł liczby to reszta z dzielenia tej liczby przez inną liczbę.

Składnia: modulus

Inne formuły w kategorii Tranzystor MOS

Iść Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości

C jsw = C j0sw \cdot x j

Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Iść Potencjał Fermiego dla typu P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Iść Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Maksymalna głębokość wyczerpania?

Ewaluator Maksymalna głębokość wyczerpania używa Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Masowy potencjał Fermiego))/([Charge-e]*Dopingujące stężenie akceptora)) do oceny Maksymalna głębokość wyczerpania, Wzór na maksymalną głębokość zubożenia definiuje się jako maksymalny stopień, w jakim obszar zubożenia rozciąga się w materiał półprzewodnikowy urządzenia w określonych warunkach pracy. Maksymalna głębokość wyczerpania jest oznaczona symbolem x_dm.

Jak ocenić Maksymalna głębokość wyczerpania za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Maksymalna głębokość wyczerpania, wpisz Masowy potencjał Fermiego (Φ_f) & Dopingujące stężenie akceptora (N_A) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Maksymalna głębokość wyczerpania

Jaki jest wzór na znalezienie Maksymalna głębokość wyczerpania?

Formuła Maksymalna głębokość wyczerpania jest wyrażona jako Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Masowy potencjał Fermiego))/([Charge-e]*Dopingujące stężenie akceptora)). Oto przykład: 7.4E+6 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*0.25))/([Charge-e]*1320000)).

Jak obliczyć Maksymalna głębokość wyczerpania?

Dzięki Masowy potencjał Fermiego (Φ_f) & Dopingujące stężenie akceptora (N_A) możemy znaleźć Maksymalna głębokość wyczerpania za pomocą formuły - Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Masowy potencjał Fermiego))/([Charge-e]*Dopingujące stężenie akceptora)). W tej formule używane są także funkcje Przenikalność krzemu, Ładunek elektronu stała(e) i , Pierwiastek kwadratowy (sqrt), Moduł (moduł).

Czy Maksymalna głębokość wyczerpania może być ujemna?

NIE, Maksymalna głębokość wyczerpania zmierzona w Długość Nie mogę będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Maksymalna głębokość wyczerpania?

Wartość Maksymalna głębokość wyczerpania jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Metr[m] dla wartości Długość. Milimetr[m], Kilometr[m], Decymetr[m] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Maksymalna głębokość wyczerpania.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Maksymalna głębokość wyczerpania

Przykład Maksymalna głębokość wyczerpania

Maksymalna głębokość wyczerpania Rozwiązanie

Maksymalna głębokość wyczerpania Formuła Elementy

Inne formuły w kategorii Tranzystor MOS

Jak ocenić Maksymalna głębokość wyczerpania?

FAQs NA Maksymalna głębokość wyczerpania

Variable Name