FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Obszar głębokości wyczerpania drenu to obszar zubożenia, który tworzy się w pobliżu końcówki drenu, gdy napięcie jest przyłożone do końcówki bramki. Sprawdź FAQs

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (Φ o + V DS)}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dD - Region głębokości wyczerpania drenażu?Φ_o - Wbudowany potencjał połączenia?V_DS - Napięcie źródła drenu?N_A - Dopingujące stężenie akceptora?[Permitivity-silicon] - Przenikalność krzemu?[Charge-e] - Ładunek elektronu?

Przykład Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem wygląda jak.

7.2E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2 + 45)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

7.2E+7m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2V + 45V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

7.2E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2 + 45)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Elektronika analogowa » fx Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem

Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem?

Pierwszy krok Rozważ formułę

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (Φ o + V DS)}{[Charge-e] \cdot N A}}

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (2V + 45V)}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

Następny krok Zastępcze wartości stałych

∴

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2V + 45V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

Następny krok Konwersja jednostek

∴

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2V + 45V)}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2 + 45)}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

Następny krok Oceniać

∴

x dD = 72113188.282716m

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

x dD = 7.2E+7m

Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem Formuła Elementy

Zmienne

Stałe

Funkcje

Region głębokości wyczerpania drenażu

Obszar głębokości wyczerpania drenu to obszar zubożenia, który tworzy się w pobliżu końcówki drenu, gdy napięcie jest przyłożone do końcówki bramki.

Symbol: x_dD

Pomiar: DługośćJednostka: m

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Region głębokości wyczerpania drenażu

Wbudowany potencjał połączenia

Wbudowany potencjał złącza odnosi się do różnicy potencjałów lub napięcia występującego na złączu półprzewodnikowym, gdy nie jest ono podłączone do zewnętrznego źródła napięcia.

Symbol: Φ_o

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Wbudowany potencjał połączenia

Napięcie źródła drenu

Napięcie źródła drenu to napięcie przyłożone pomiędzy zaciskiem drenu i źródła.

Symbol: V_DS

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Napięcie źródła drenu

Dopingujące stężenie akceptora

Domieszkowanie Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów akceptora celowo dodanych do materiału półprzewodnikowego.

Symbol: N_A

Pomiar: Gęstość elektronówJednostka: electrons/cm³

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Dopingujące stężenie akceptora

Przenikalność krzemu

Przepuszczalność krzemu mierzy jego zdolność do magazynowania energii elektrycznej w polu elektrycznym, co jest niezbędne w technologii półprzewodników.

Symbol: [Permitivity-silicon]

Wartość: 11.7

Ładunek elektronu

Ładunek elektronu jest podstawową stałą fizyczną, reprezentującą ładunek elektryczny przenoszony przez elektron, będący cząstką elementarną o ujemnym ładunku elektrycznym.

Symbol: [Charge-e]

Wartość: 1.60217662E-19 C

sqrt

Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która przyjmuje jako dane wejściowe liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy podanej liczby wejściowej.

Składnia: sqrt(Number)

Inne formuły w kategorii Tranzystor MOS

Iść Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości

C jsw = C j0sw \cdot x j

Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Iść Potencjał Fermiego dla typu P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Iść Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem?

Ewaluator Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem używa Drain's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Wbudowany potencjał połączenia+Napięcie źródła drenu))/([Charge-e]*Dopingujące stężenie akceptora)) do oceny Region głębokości wyczerpania drenażu, Obszar głębokości zubożenia powiązany ze wzorem drenażu definiuje się jako obszar zubożenia, który tworzy się w pobliżu końcówki drenu, gdy napięcie jest przyłożone do końcówki bramki. Region głębokości wyczerpania drenażu jest oznaczona symbolem x_dD.

Jak ocenić Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem, wpisz Wbudowany potencjał połączenia (Φ_o), Napięcie źródła drenu (V_DS) & Dopingujące stężenie akceptora (N_A) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem

Jaki jest wzór na znalezienie Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem?

Formuła Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem jest wyrażona jako Drain's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Wbudowany potencjał połączenia+Napięcie źródła drenu))/([Charge-e]*Dopingujące stężenie akceptora)). Oto przykład: 1.6E+7 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(2+45))/([Charge-e]*1320000)).

Jak obliczyć Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem?

Dzięki Wbudowany potencjał połączenia (Φ_o), Napięcie źródła drenu (V_DS) & Dopingujące stężenie akceptora (N_A) możemy znaleźć Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem za pomocą formuły - Drain's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Wbudowany potencjał połączenia+Napięcie źródła drenu))/([Charge-e]*Dopingujące stężenie akceptora)). W tej formule używane są także funkcje Przenikalność krzemu, Ładunek elektronu stała(e) i Pierwiastek kwadratowy (sqrt).

Czy Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem może być ujemna?

NIE, Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem zmierzona w Długość Nie mogę będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem?

Wartość Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Metr[m] dla wartości Długość. Milimetr[m], Kilometr[m], Decymetr[m] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem

Przykład Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem

Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem Rozwiązanie

Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem Formuła Elementy

Inne formuły w kategorii Tranzystor MOS

Jak ocenić Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem?

FAQs NA Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem

Variable Name