FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Gęstość ładunku w regionie wyczerpania

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Opłata za gęstość warstwy zubożenia to ilość tych stałych opłat na jednostkę powierzchni w obszarze zubożenia. Sprawdź FAQs

Q d = (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (Φ s - Φ f)})

Q_d - Gęstość ładunku warstwy zubożonej?N_A - Dopingujące stężenie akceptora?Φ_s - Potencjał powierzchni?Φ_f - Masowy potencjał Fermiego?[Charge-e] - Ładunek elektronu?[Permitivity-silicon] - Przenikalność krzemu?

Przykład Gęstość ładunku w regionie wyczerpania

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Gęstość ładunku w regionie wyczerpania wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Gęstość ładunku w regionie wyczerpania wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Gęstość ładunku w regionie wyczerpania wygląda jak.

1.6E-6 = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78 - 0.25)})

1.6E-6electrons/m³ = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78V - 0.25V)})

1.6E-6 = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78 - 0.25)})

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Elektronika analogowa » fx Gęstość ładunku w regionie wyczerpania

Gęstość ładunku w regionie wyczerpania Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Gęstość ładunku w regionie wyczerpania?

Pierwszy krok Rozważ formułę

Q d = (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (Φ s - Φ f)})

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

Q d = (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78V - 0.25V)})

Następny krok Zastępcze wartości stałych

∴

Q d = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78V - 0.25V)})

Następny krok Konwersja jednostek

∴

Q d = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6electrons/m³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78V - 0.25V)})

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

Q d = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6 \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78 - 0.25)})

Następny krok Oceniać

∴

Q d = 1.61952637096272E-06electrons/m³

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

Q d = 1.6E-6electrons/m³

Gęstość ładunku w regionie wyczerpania Formuła Elementy

Zmienne

Stałe

Funkcje

Gęstość ładunku warstwy zubożonej

Opłata za gęstość warstwy zubożenia to ilość tych stałych opłat na jednostkę powierzchni w obszarze zubożenia.

Symbol: Q_d

Pomiar: Gęstość elektronówJednostka: electrons/m³

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Gęstość ładunku warstwy zubożonej

Dopingujące stężenie akceptora

Domieszkowanie Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów akceptora celowo dodanych do materiału półprzewodnikowego.

Symbol: N_A

Pomiar: Gęstość elektronówJednostka: electrons/cm³

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Dopingujące stężenie akceptora

Potencjał powierzchni

Potencjał powierzchniowy to potencjał elektryczny na powierzchni półprzewodnika, w szczególności na styku półprzewodnika z izolatorem.

Symbol: Φ_s

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Potencjał powierzchni

Masowy potencjał Fermiego

Masowy potencjał Fermiego to parametr opisujący potencjał elektrostatyczny w masie (wewnątrz) materiału półprzewodnikowego.

Symbol: Φ_f

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Masowy potencjał Fermiego

Ładunek elektronu

Ładunek elektronu jest podstawową stałą fizyczną, reprezentującą ładunek elektryczny przenoszony przez elektron, będący cząstką elementarną o ujemnym ładunku elektrycznym.

Symbol: [Charge-e]

Wartość: 1.60217662E-19 C

Przenikalność krzemu

Przepuszczalność krzemu mierzy jego zdolność do magazynowania energii elektrycznej w polu elektrycznym, co jest niezbędne w technologii półprzewodników.

Symbol: [Permitivity-silicon]

Wartość: 11.7

sqrt

Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która przyjmuje jako dane wejściowe liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy podanej liczby wejściowej.

Składnia: sqrt(Number)

modulus

Moduł liczby to reszta z dzielenia tej liczby przez inną liczbę.

Składnia: modulus

Inne formuły w kategorii Tranzystor MOS

Iść Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości

C jsw = C j0sw \cdot x j

Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Iść Potencjał Fermiego dla typu P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Iść Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Gęstość ładunku w regionie wyczerpania?

Ewaluator Gęstość ładunku w regionie wyczerpania używa Density of Depletion Layer Charge = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingujące stężenie akceptora*modulus(Potencjał powierzchni-Masowy potencjał Fermiego))) do oceny Gęstość ładunku warstwy zubożonej, Wzór na gęstość ładunku w obszarze wyczerpania definiuje się jako kwotę stałych opłat na jednostkę powierzchni w obszarze wyczerpania. Gęstość ładunku warstwy zubożonej jest oznaczona symbolem Q_d.

Jak ocenić Gęstość ładunku w regionie wyczerpania za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Gęstość ładunku w regionie wyczerpania, wpisz Dopingujące stężenie akceptora (N_A), Potencjał powierzchni (Φ_s) & Masowy potencjał Fermiego (Φ_f) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Gęstość ładunku w regionie wyczerpania

Jaki jest wzór na znalezienie Gęstość ładunku w regionie wyczerpania?

Formuła Gęstość ładunku w regionie wyczerpania jest wyrażona jako Density of Depletion Layer Charge = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingujące stężenie akceptora*modulus(Potencjał powierzchni-Masowy potencjał Fermiego))). Oto przykład: 1.6E-6 = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(0.78-0.25))).

Jak obliczyć Gęstość ładunku w regionie wyczerpania?

Dzięki Dopingujące stężenie akceptora (N_A), Potencjał powierzchni (Φ_s) & Masowy potencjał Fermiego (Φ_f) możemy znaleźć Gęstość ładunku w regionie wyczerpania za pomocą formuły - Density of Depletion Layer Charge = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingujące stężenie akceptora*modulus(Potencjał powierzchni-Masowy potencjał Fermiego))). W tej formule używane są także funkcje Ładunek elektronu, Przenikalność krzemu stała(e) i , Pierwiastek kwadratowy (sqrt), Moduł (moduł).

Czy Gęstość ładunku w regionie wyczerpania może być ujemna?

Tak, Gęstość ładunku w regionie wyczerpania zmierzona w Gęstość elektronów Móc będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Gęstość ładunku w regionie wyczerpania?

Wartość Gęstość ładunku w regionie wyczerpania jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Elektrony na metr sześcienny[electrons/m³] dla wartości Gęstość elektronów. Elektrony na centymetr sześcienny[electrons/m³] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Gęstość ładunku w regionie wyczerpania.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Gęstość ładunku w regionie wyczerpania

Przykład Gęstość ładunku w regionie wyczerpania

Gęstość ładunku w regionie wyczerpania Rozwiązanie

Gęstość ładunku w regionie wyczerpania Formuła Elementy

Inne formuły w kategorii Tranzystor MOS

Jak ocenić Gęstość ładunku w regionie wyczerpania?

FAQs NA Gęstość ładunku w regionie wyczerpania

Variable Name