FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Efekt ciała w NMOS

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Zmiana napięcia progowego może być spowodowana różnymi czynnikami, w tym zmianami temperatury, ekspozycją na promieniowanie i starzeniem. Sprawdź FAQs

ΔV th = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

ΔV_th - Zmiana napięcia progowego?V_T - Próg napięcia?γ - Parametr procesu produkcyjnego?φ_f - Parametr fizyczny?V_SB - Napięcie między ciałem a źródłem?

Przykład Efekt ciała w NMOS

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Efekt ciała w NMOS wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Efekt ciała w NMOS wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Efekt ciała w NMOS wygląda jak.

37.2244 = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

37.2244V = 1.82V + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13V + 1.8V} - \sqrt{2 \cdot 13V})

37.2244 = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Elektronika analogowa » fx Efekt ciała w NMOS

Efekt ciała w NMOS Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Efekt ciała w NMOS?

Pierwszy krok Rozważ formułę

ΔV th = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

ΔV th = 1.82V + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13V + 1.8V} - \sqrt{2 \cdot 13V})

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

ΔV th = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

Następny krok Oceniać

∴

ΔV th = 37.2244074665399V

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

ΔV th = 37.2244V

Efekt ciała w NMOS Formuła Elementy

Zmienne

Funkcje

Zmiana napięcia progowego

Zmiana napięcia progowego może być spowodowana różnymi czynnikami, w tym zmianami temperatury, ekspozycją na promieniowanie i starzeniem.

Symbol: ΔV_th

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Zmiana napięcia progowego

Próg napięcia

Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.

Symbol: V_T

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość powinna być większa niż 0.

Formuły do znalezienia Próg napięcia

Parametr procesu produkcyjnego

Parametrem procesu produkcyjnego jest proces rozpoczynający się od utlenienia podłoża krzemowego, w którym na jego powierzchni osadza się stosunkowo gruba warstwa tlenku.

Symbol: γ

Pomiar: NAJednostka: Unitless

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Parametr procesu produkcyjnego

Parametr fizyczny

Parametrów fizycznych można użyć do opisania stanu lub stanu systemu fizycznego lub do scharakteryzowania sposobu, w jaki system reaguje na różne bodźce lub dane wejściowe.

Symbol: φ_f

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Parametr fizyczny

Napięcie między ciałem a źródłem

Napięcie pomiędzy ciałem a źródłem jest ważne, ponieważ może mieć wpływ na bezpieczną pracę urządzeń elektronicznych.

Symbol: V_SB

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Napięcie między ciałem a źródłem

sqrt

Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej.

Składnia: sqrt(Number)

Inne formuły w kategorii Ulepszenie kanału N

Iść Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS

v d = μ n \cdot E L

Iść NMOS jako rezystancja liniowa

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Iść Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

Iść Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Efekt ciała w NMOS?

Ewaluator Efekt ciała w NMOS używa Change in Threshold Voltage = Próg napięcia+Parametr procesu produkcyjnego*(sqrt(2*Parametr fizyczny+Napięcie między ciałem a źródłem)-sqrt(2*Parametr fizyczny)) do oceny Zmiana napięcia progowego, Efekt ciała w NMOS odnosi się do zmiany napięcia progowego tranzystora wynikającej z różnicy napięcia między źródłem tranzystora a ciałem. Zmiana napięcia progowego jest oznaczona symbolem ΔV_th.

Jak ocenić Efekt ciała w NMOS za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Efekt ciała w NMOS, wpisz Próg napięcia (V_T), Parametr procesu produkcyjnego (γ), Parametr fizyczny (φ_f) & Napięcie między ciałem a źródłem (V_SB) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Efekt ciała w NMOS

Jaki jest wzór na znalezienie Efekt ciała w NMOS?

Formuła Efekt ciała w NMOS jest wyrażona jako Change in Threshold Voltage = Próg napięcia+Parametr procesu produkcyjnego*(sqrt(2*Parametr fizyczny+Napięcie między ciałem a źródłem)-sqrt(2*Parametr fizyczny)). Oto przykład: 37.22441 = 1.82+204*(sqrt(2*13+1.8)-sqrt(2*13)).

Jak obliczyć Efekt ciała w NMOS?

Dzięki Próg napięcia (V_T), Parametr procesu produkcyjnego (γ), Parametr fizyczny (φ_f) & Napięcie między ciałem a źródłem (V_SB) możemy znaleźć Efekt ciała w NMOS za pomocą formuły - Change in Threshold Voltage = Próg napięcia+Parametr procesu produkcyjnego*(sqrt(2*Parametr fizyczny+Napięcie między ciałem a źródłem)-sqrt(2*Parametr fizyczny)). W tej formule zastosowano także funkcje Funkcja pierwiastka kwadratowego.

Czy Efekt ciała w NMOS może być ujemna?

Tak, Efekt ciała w NMOS zmierzona w Potencjał elektryczny Móc będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Efekt ciała w NMOS?

Wartość Efekt ciała w NMOS jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Wolt[V] dla wartości Potencjał elektryczny. Miliwolt[V], Mikrowolt[V], Nanowolt[V] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Efekt ciała w NMOS.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Efekt ciała w NMOS

Przykład Efekt ciała w NMOS

Efekt ciała w NMOS Rozwiązanie

Efekt ciała w NMOS Formuła Elementy

Inne formuły w kategorii Ulepszenie kanału N

Jak ocenić Efekt ciała w NMOS?

FAQs NA Efekt ciała w NMOS

Variable Name