FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Napięcie to różnica potencjałów elektrycznych między dwoma punktami, która jest zdefiniowana jako praca potrzebna na jednostkę ładunku do przeniesienia ładunku testowego między dwoma punktami. Sprawdź FAQs

V = V A \cdot L

V - Napięcie?V_A - Parametr urządzenia?L - Długość kanału?

Przykład Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS wygląda jak.

1.2E-5 = 4 \cdot 3

1.2E-5V = 4V \cdot 3μm

1.2E-5 = 4 \cdot 3

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Elektronika analogowa » fx Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS

Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS?

Pierwszy krok Rozważ formułę

V = V A \cdot L

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

V = 4V \cdot 3μm

Następny krok Konwersja jednostek

∴

V = 4V \cdot 3E-6m

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

V = 4 \cdot 3E-6

Następny krok Oceniać

∴

V = 1.2E-05V

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

V = 1.2E-5V

Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS Formuła Elementy

Zmienne

Napięcie

Symbol: V

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Napięcie

Parametr urządzenia

Parametr urządzenia to parametr używany w obliczeniach związanych z MOSFET. VA jest proporcjonalny do długości kanału L, którą projektant wybiera dla MOSFET.

Symbol: V_A

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Parametr urządzenia

Długość kanału

Długość kanału można zdefiniować jako odległość między jego punktem początkowym a końcowym i może się znacznie różnić w zależności od jego przeznaczenia i lokalizacji.

Symbol: L

Pomiar: DługośćJednostka: μm

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Długość kanału

Inne formuły w kategorii Ulepszenie kanału N

Iść Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS

v d = μ n \cdot E L

Iść NMOS jako rezystancja liniowa

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Iść Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

Iść Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS?

Ewaluator Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS używa Voltage = Parametr urządzenia*Długość kanału do oceny Napięcie, Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS wzrasta wraz z domieszkowaniem, podczas gdy próg struktur pMOS maleje wraz z domieszkowaniem w ten sam sposób. Zmiana napięcia pasma płaskiego spowodowana ładunkiem tlenku spowoduje, że obie krzywe przesuną się w dół, jeśli ładunek jest dodatni, i w górę, jeśli ładunek jest ujemny. Napięcie jest oznaczona symbolem V.

Jak ocenić Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS, wpisz Parametr urządzenia (V_A) & Długość kanału (L) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS

Jaki jest wzór na znalezienie Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS?

Formuła Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS jest wyrażona jako Voltage = Parametr urządzenia*Długość kanału. Oto przykład: 1.2E-5 = 4*3E-06.

Jak obliczyć Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS?

Dzięki Parametr urządzenia (V_A) & Długość kanału (L) możemy znaleźć Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS za pomocą formuły - Voltage = Parametr urządzenia*Długość kanału.

Czy Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS może być ujemna?

Tak, Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS zmierzona w Potencjał elektryczny Móc będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS?

Wartość Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Wolt[V] dla wartości Potencjał elektryczny. Miliwolt[V], Mikrowolt[V], Nanowolt[V] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS

Przykład Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS

Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS Rozwiązanie

Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS Formuła Elementy

Inne formuły w kategorii Ulepszenie kanału N

Jak ocenić Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS?

FAQs NA Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS

Variable Name