FormulaDen.com

Fizyka Chemia Matematyka Inżynieria chemiczna Cywilny Elektryczny Elektronika Elektronika i oprzyrządowanie Inżynieria materiałowa Mechaniczny Inżynieria produkcji Budżetowy Zdrowie

Formuła Czas nasycenia

Fx Kopiuj

LaTeX Kopiuj

Czas nasycenia to czas potrzebny, aby napięcie wyjściowe MOSFET-u osiągnęło określony poziom (V Sprawdź FAQs

T sat = - 2 \cdot \frac{C load}{k n \cdot {(V OH - V T)}^{2}} \cdot \int (1, x, V OH, V OH - V T)

T_sat - Czas nasycenia?C_load - Pojemność obciążenia?k_n - Parametr procesu transkonduktancji?V_OH - Wysokie napięcie wyjściowe?V_T - Próg napięcia?

Przykład Czas nasycenia

Z wartościami

Z jednostkami

Tylko przykład

Oto jak równanie Czas nasycenia wygląda jak z Wartościami.

Oto jak równanie Czas nasycenia wygląda jak z Jednostkami.

Oto jak równanie Czas nasycenia wygląda jak.

5.6381 = - 2 \cdot \frac{9.77}{4.553 \cdot {(3.789 - 5.91)}^{2}} \cdot \int (1, x, 3.789, 3.789 - 5.91)

5.6381s = - 2 \cdot \frac{9.77F}{4.553A/V² \cdot {(3.789V - 5.91V)}^{2}} \cdot \int (1, x, 3.789V, 3.789V - 5.91V)

5.6381 = - 2 \cdot \frac{9.77}{4.553 \cdot {(3.789 - 5.91)}^{2}} \cdot \int (1, x, 3.789, 3.789 - 5.91)

Wskazówka: Użyj ikony ołówka ( Pencil

) powyżej, aby edytować wartości wejściowe i jednostki.

Oblicz

Przelicz

Rozwiązanie

Kopiuj

Resetowanie

Udział

Jesteś tutaj -

Dom » Category

Inżynieria » Category

Elektronika » Category

Elektronika analogowa » fx Czas nasycenia

Czas nasycenia Rozwiązanie

Postępuj zgodnie z naszym rozwiązaniem krok po kroku, jak obliczyć Czas nasycenia?

Pierwszy krok Rozważ formułę

T sat = - 2 \cdot \frac{C load}{k n \cdot {(V OH - V T)}^{2}} \cdot \int (1, x, V OH, V OH - V T)

Następny krok Zastępcze wartości zmiennych

∴

T sat = - 2 \cdot \frac{9.77F}{4.553A/V² \cdot {(3.789V - 5.91V)}^{2}} \cdot \int (1, x, 3.789V, 3.789V - 5.91V)

Następny krok Przygotuj się do oceny

∴

T sat = - 2 \cdot \frac{9.77}{4.553 \cdot {(3.789 - 5.91)}^{2}} \cdot \int (1, x, 3.789, 3.789 - 5.91)

Następny krok Oceniać

∴

T sat = 5.63810361511811s

Ostatni krok Zaokrąglona odpowiedź

∴

T sat = 5.6381s

Czas nasycenia Formuła Elementy

Zmienne

Funkcje

Czas nasycenia

Czas nasycenia to czas potrzebny, aby napięcie wyjściowe MOSFET-u osiągnęło określony poziom (V

Symbol: T_sat

Pomiar: CzasJednostka: s

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Czas nasycenia

Pojemność obciążenia

Pojemność obciążenia to całkowita pojemność podłączona do zacisku wyjściowego tranzystora, łącznie z komponentami zewnętrznymi i własną pojemnością pasożytniczą MOSFET-u.

Symbol: C_load

Pomiar: PojemnośćJednostka: F

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Pojemność obciążenia

Parametr procesu transkonduktancji

Parametr procesu transkonduktancji to stała specyficzna dla urządzenia, która charakteryzuje zdolność tranzystora do przekształcania zmiany napięcia bramki na zmianę prądu wyjściowego.

Symbol: k_n

Pomiar: Parametr transkonduktancjiJednostka: A/V²

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Parametr procesu transkonduktancji

Wysokie napięcie wyjściowe

Wysokie napięcie wyjściowe to maksymalny poziom napięcia, jaki tranzystor może osiągnąć na zacisku wyjściowym, gdy jest całkowicie włączony (praca w stanie nasycenia).

Symbol: V_OH

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Wysokie napięcie wyjściowe

Próg napięcia

Napięcie progowe to minimalne napięcie bramka-źródło wymagane w tranzystorze MOSFET, aby go „włączyć” i umożliwić przepływ znacznego prądu.

Symbol: V_T

Pomiar: Potencjał elektrycznyJednostka: V

Notatka: Wartość może być dodatnia lub ujemna.

Formuły do znalezienia Próg napięcia

int

Całki oznaczonej można użyć do obliczenia pola powierzchni netto ze znakiem, które jest różnicą pola powierzchni nad osią x i pola powierzchni pod osią x.

Składnia: int(expr, arg, from, to)

Inne formuły w kategorii Tranzystor MOS

Iść Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości

C jsw = C j0sw \cdot x j

Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Iść Potencjał Fermiego dla typu P

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Iść Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

Zobacz więcej OpenImg

Jak ocenić Czas nasycenia?

Ewaluator Czas nasycenia używa Saturation Time = -2*Pojemność obciążenia/(Parametr procesu transkonduktancji*(Wysokie napięcie wyjściowe-Próg napięcia)^2)*int(1,x,Wysokie napięcie wyjściowe,Wysokie napięcie wyjściowe-Próg napięcia) do oceny Czas nasycenia, Wzór na czas nasycenia definiuje się jako czas potrzebny, aby napięcie wyjściowe MOSFET-u osiągnęło określony poziom (V. Czas nasycenia jest oznaczona symbolem T_sat.

Jak ocenić Czas nasycenia za pomocą tego ewaluatora online? Aby skorzystać z tego narzędzia do oceny online dla Czas nasycenia, wpisz Pojemność obciążenia (C_load), Parametr procesu transkonduktancji (k_n), Wysokie napięcie wyjściowe (V_OH) & Próg napięcia (V_T) i naciśnij przycisk Oblicz.

FAQs NA Czas nasycenia

Jaki jest wzór na znalezienie Czas nasycenia?

Formuła Czas nasycenia jest wyrażona jako Saturation Time = -2*Pojemność obciążenia/(Parametr procesu transkonduktancji*(Wysokie napięcie wyjściowe-Próg napięcia)^2)*int(1,x,Wysokie napięcie wyjściowe,Wysokie napięcie wyjściowe-Próg napięcia). Oto przykład: 5.638104 = -2*9.77/(4.553*(3.789-5.91)^2)*int(1,x,3.789,3.789-5.91).

Jak obliczyć Czas nasycenia?

Dzięki Pojemność obciążenia (C_load), Parametr procesu transkonduktancji (k_n), Wysokie napięcie wyjściowe (V_OH) & Próg napięcia (V_T) możemy znaleźć Czas nasycenia za pomocą formuły - Saturation Time = -2*Pojemność obciążenia/(Parametr procesu transkonduktancji*(Wysokie napięcie wyjściowe-Próg napięcia)^2)*int(1,x,Wysokie napięcie wyjściowe,Wysokie napięcie wyjściowe-Próg napięcia). W tej formule zastosowano także funkcje Całka oznaczona (int).

Czy Czas nasycenia może być ujemna?

Tak, Czas nasycenia zmierzona w Czas Móc będzie ujemna.

Jaka jednostka jest używana do pomiaru Czas nasycenia?

Wartość Czas nasycenia jest zwykle mierzona przy użyciu zmiennej Drugi[s] dla wartości Czas. Milisekundy[s], Mikrosekunda[s], Nanosekunda[s] to kilka innych jednostek, w których można zmierzyć Czas nasycenia.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Wartość
: Jednostka

Formuła Czas nasycenia

Przykład Czas nasycenia

Czas nasycenia Rozwiązanie

Czas nasycenia Formuła Elementy

Inne formuły w kategorii Tranzystor MOS

Jak ocenić Czas nasycenia?

FAQs NA Czas nasycenia

Variable Name