FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

Vermogensdichtheid na spanningsschaling wordt gedefinieerd als een maatstaf voor het geleverde vermogen per oppervlakte-eenheid. Het kwantificeert de stroomverdeling binnen een bepaalde ruimte wanneer MOSFET wordt verkleind door middel van de spanningsschaalmethode. Controleer FAQs

P D' = P D \cdot {(Sf)}^{3}

P_D' - Vermogensdichtheid na spanningsschaling?P_D - MOSFET met vermogensdichtheid?Sf - Schaalfactor?

Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI-vergelijking eruit ziet als.

67.5 = 20 \cdot {(1.5)}^{3}

67.5 = 20 \cdot {(1.5)}^{3}

67.5 = 20 \cdot {(1.5)}^{3}

Tip: Gebruik het potloodpictogram ( Pencil

) hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Berekenen

Herbereken

Oplossing

Kopiëren

resetten

Deel

Je bent hier -

Thuis » Category

Engineering » Category

Elektronica » Category

VLSI-fabricage » fx Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI

Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI?

Eerste stap Overweeg de formule

P D' = P D \cdot {(Sf)}^{3}

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

P D' = 20 \cdot {(1.5)}^{3}

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

P D' = 20 \cdot {(1.5)}^{3}

Laatste stap Evalueer

∴

P D' = 67.5

Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI Formule Elementen

Variabelen

Vermogensdichtheid na spanningsschaling

Symbool: P_D'

Meting: NAEenheid: Unitless

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Vermogensdichtheid na spanningsschaling te vinden

MOSFET met vermogensdichtheid

Vermogensdichtheid MOSFET wordt gedefinieerd als een maatstaf voor het uitgangsvermogen per oppervlakte-eenheid. Het kwantificeert hoeveel stroom er binnen een bepaalde ruimte wordt verdeeld.

Symbool: P_D

Meting: NAEenheid: Unitless

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om MOSFET met vermogensdichtheid te vinden

Schaalfactor

De schaalfactor wordt gedefinieerd als de verhouding waarmee de afmetingen van de transistor tijdens het ontwerpproces worden gewijzigd.

Symbool: Sf

Meting: NAEenheid: Unitless

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Schaalfactor te vinden

Andere formules in de categorie VLSI-materiaaloptimalisatie

Gan Lichaamseffectcoëfficiënt

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

Gan Kanaallading

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

Gan Kritieke spanning

V x = E x \cdot E ch

Gan DIBL-coëfficiënt

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Bekijk meer OpenImg

Hoe Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI evalueren?

De beoordelaar van Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI gebruikt Power Density after Voltage Scaling = MOSFET met vermogensdichtheid*(Schaalfactor)^3 om de Vermogensdichtheid na spanningsschaling, De Power Density after Voltage Scaling VLSI-formule wordt gedefinieerd als een maatstaf voor het geleverde vermogen per oppervlakte-eenheid. Het kwantificeert de stroomverdeling binnen een bepaalde ruimte wanneer MOSFET wordt verkleind door middel van de spanningsschaalmethode, te evalueren. Vermogensdichtheid na spanningsschaling wordt aangegeven met het symbool P_D'.

Hoe kan ik Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI te gebruiken, voert u MOSFET met vermogensdichtheid (P_D) & Schaalfactor (Sf) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI

Wat is de formule om Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI te vinden?

De formule van Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI wordt uitgedrukt als Power Density after Voltage Scaling = MOSFET met vermogensdichtheid*(Schaalfactor)^3. Hier is een voorbeeld: 67.5 = 20*(1.5)^3.

Hoe bereken je Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI?

Met MOSFET met vermogensdichtheid (P_D) & Schaalfactor (Sf) kunnen we Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI vinden met behulp van de formule - Power Density after Voltage Scaling = MOSFET met vermogensdichtheid*(Schaalfactor)^3.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Waarde
: Eenheid

Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI Formule

Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI Voorbeeld

Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI Oplossing

Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI Formule Elementen

Andere formules in de categorie VLSI-materiaaloptimalisatie

Hoe Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI evalueren?

FAQs op Vermogensdichtheid na spanningsschaling VLSI

Variable Name