FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

Transconductantie in het verzadigingsgebied Formule

GanTransconductantie in MESFET Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de verandering in drainstroom en de verandering in gate-source-spanning, uitgaande van een constante drain-source-spanning. Controleer FAQs

g m = G o \cdot (1 - \sqrt{\frac{V i - V g}{V p}})

g_m - Transgeleiding?G_o - Uitgangsgeleiding?V_i - Potentiële barrière met Schottky-diode?V_g - Poortspanning?V_p - Afknijpspanning?

Transconductantie in het verzadigingsgebied Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Transconductantie in het verzadigingsgebied-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Transconductantie in het verzadigingsgebied-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Transconductantie in het verzadigingsgebied-vergelijking eruit ziet als.

0.051 = 0.174 \cdot (1 - \sqrt{\frac{15.9 - 9.62}{12.56}})

0.051S = 0.174S \cdot (1 - \sqrt{\frac{15.9V - 9.62V}{12.56V}})

0.051 = 0.174 \cdot (1 - \sqrt{\frac{15.9 - 9.62}{12.56}})

Tip: Gebruik het potloodpictogram ( Pencil

) hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Berekenen

Herbereken

Oplossing

Kopiëren

resetten

Deel

Je bent hier -

Thuis » Category

Engineering » Category

Elektronica » Category

Magnetron theorie » fx Transconductantie in het verzadigingsgebied

Transconductantie in het verzadigingsgebied Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Transconductantie in het verzadigingsgebied?

Eerste stap Overweeg de formule

g m = G o \cdot (1 - \sqrt{\frac{V i - V g}{V p}})

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

g m = 0.174S \cdot (1 - \sqrt{\frac{15.9V - 9.62V}{12.56V}})

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

g m = 0.174 \cdot (1 - \sqrt{\frac{15.9 - 9.62}{12.56}})

Volgende stap Evalueer

∴

g m = 0.0509634200735407S

Laatste stap Afrondingsantwoord

∴

g m = 0.051S

Transconductantie in het verzadigingsgebied Formule Elementen

Variabelen

Functies

Transgeleiding

Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de verandering in drainstroom en de verandering in gate-source-spanning, uitgaande van een constante drain-source-spanning.

Symbool: g_m

Meting: TransconductantieEenheid: S

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Transgeleiding te vinden

Uitgangsgeleiding

De uitgangsgeleiding vertegenwoordigt de drain-source-geleiding met een klein signaal van de MOSFET wanneer de gate-source-spanning constant wordt gehouden.

Symbool: G_o

Meting: Elektrische geleidingEenheid: S

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Uitgangsgeleiding te vinden

Potentiële barrière met Schottky-diode

Schottky Diode Potentiële Barrière is de energiebarrière die bestaat op het grensvlak tussen een metaal en een halfgeleidermateriaal in een Schottky-diode.

Symbool: V_i

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Potentiële barrière met Schottky-diode te vinden

Poortspanning

Poortspanning verwijst naar de spanning die wordt toegepast op de stuuraansluiting van een MESFET om de geleiding ervan te regelen. De poortspanning bepaalt het aantal vrije ladingsdragers in het kanaal.

Symbool: V_g

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Poortspanning te vinden

Afknijpspanning

Afknijpspanning is de poortspanning waarbij het kanaal volledig wordt afgekneld, en is een sleutelparameter bij de werking van FET's. Het is een belangrijke parameter bij het ontwerpen van circuits.

Symbool: V_p

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Afknijpspanning te vinden

sqrt

Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert.

Syntaxis: sqrt(Number)

Andere formules om Transgeleiding te vinden

Gan Transconductantie in MESFET

g m = 2 \cdot C gs \cdot π \cdot f co

Andere formules in de categorie MESFET-kenmerken

Gan Poortlengte van MESFET

L gate = \frac{V s}{4 \cdot π \cdot f co}

Gan Afgesneden frequentie

f co = \frac{V s}{4 \cdot π \cdot L gate}

Gan Gate-broncapaciteit

C gs = \frac{g m}{2 \cdot π \cdot f co}

Gan Maximale frequentie van trillingen in MESFET

f m = (\frac{f t}{2}) \cdot \sqrt{\frac{R d}{R g}}

Bekijk meer OpenImg

Hoe Transconductantie in het verzadigingsgebied evalueren?

De beoordelaar van Transconductantie in het verzadigingsgebied gebruikt Transconductance = Uitgangsgeleiding*(1-sqrt((Potentiële barrière met Schottky-diode-Poortspanning)/Afknijpspanning)) om de Transgeleiding, De formule voor transconductantie in het verzadigingsgebied wordt gedefinieerd als de verhouding van de verandering in de afvoerstroom tot de verandering in de poortspanning bij een vaste afvoerspanning, terwijl het apparaat in het verzadigingsgebied werkt. Het is een maatstaf voor het vermogen van het apparaat om kleine veranderingen in de ingangsspanning die op de poortelektrode wordt aangelegd, te versterken, te evalueren. Transgeleiding wordt aangegeven met het symbool g_m.

Hoe kan ik Transconductantie in het verzadigingsgebied evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Transconductantie in het verzadigingsgebied te gebruiken, voert u Uitgangsgeleiding (G_o), Potentiële barrière met Schottky-diode (V_i), Poortspanning (V_g) & Afknijpspanning (V_p) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Transconductantie in het verzadigingsgebied

Wat is de formule om Transconductantie in het verzadigingsgebied te vinden?

De formule van Transconductantie in het verzadigingsgebied wordt uitgedrukt als Transconductance = Uitgangsgeleiding*(1-sqrt((Potentiële barrière met Schottky-diode-Poortspanning)/Afknijpspanning)). Hier is een voorbeeld: 0.050963 = 0.174*(1-sqrt((15.9-9.62)/12.56)).

Hoe bereken je Transconductantie in het verzadigingsgebied?

Met Uitgangsgeleiding (G_o), Potentiële barrière met Schottky-diode (V_i), Poortspanning (V_g) & Afknijpspanning (V_p) kunnen we Transconductantie in het verzadigingsgebied vinden met behulp van de formule - Transconductance = Uitgangsgeleiding*(1-sqrt((Potentiële barrière met Schottky-diode-Poortspanning)/Afknijpspanning)). Deze formule gebruikt ook de functie(s) van Vierkantswortelfunctie.

Wat zijn de andere manieren om Transgeleiding te berekenen?

Hier zijn de verschillende manieren om Transgeleiding-

Transconductance=2*Gate Source Capacitance*pi*Cut-off Frequency

te berekenen

Kan de Transconductantie in het verzadigingsgebied negatief zijn?

Ja, de Transconductantie in het verzadigingsgebied, gemeten in Transconductantie kan moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Transconductantie in het verzadigingsgebied te meten?

Transconductantie in het verzadigingsgebied wordt meestal gemeten met de Siemens[S] voor Transconductantie. Millisiemens[S] zijn de weinige andere eenheden waarin Transconductantie in het verzadigingsgebied kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Waarde
: Eenheid

Transconductantie in het verzadigingsgebied Formule

​GanTransconductantie in MESFET Formule

Transconductantie in het verzadigingsgebied Voorbeeld

Transconductantie in het verzadigingsgebied Oplossing

Transconductantie in het verzadigingsgebied Formule Elementen

Andere formules om Transgeleiding te vinden

Andere formules in de categorie MESFET-kenmerken

Hoe Transconductantie in het verzadigingsgebied evalueren?

FAQs op Transconductantie in het verzadigingsgebied

Variable Name

GanTransconductantie in MESFET Formule