FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

Substraat bias-coëfficiënt Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

Substrate Bias Coefficient is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van MOSFET-apparaten (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Controleer FAQs

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A}}{C ox}

γ_s - Substraat bias-coëfficiënt?N_A - Dopingconcentratie van acceptor?C_ox - Oxidecapaciteit?[Charge-e] - Lading van elektron?[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium?

Substraat bias-coëfficiënt Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Substraat bias-coëfficiënt-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Substraat bias-coëfficiënt-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Substraat bias-coëfficiënt-vergelijking eruit ziet als.

5.7E-7 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32}}{3.9}

5.7E-7 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³}}{3.9F}

5.7E-7 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32}}{3.9}

Tip: Gebruik het potloodpictogram ( Pencil

) hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Berekenen

Herbereken

Oplossing

Kopiëren

resetten

Deel

Je bent hier -

Thuis » Category

Engineering » Category

Elektronica » Category

Analoge elektronica » fx Substraat bias-coëfficiënt

Substraat bias-coëfficiënt Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Substraat bias-coëfficiënt?

Eerste stap Overweeg de formule

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A}}{C ox}

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32electrons/cm³}}{3.9F}

Volgende stap Vervang de waarden van constanten

∴

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³}}{3.9F}

Volgende stap Eenheden converteren

∴

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6electrons/m³}}{3.9F}

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

γ s = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6}}{3.9}

Volgende stap Evalueer

∴

γ s = 5.70407834987726E-07

Laatste stap Afrondingsantwoord

∴

γ s = 5.7E-7

Substraat bias-coëfficiënt Formule Elementen

Variabelen

Constanten

Functies

Substraat bias-coëfficiënt

Substrate Bias Coefficient is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van MOSFET-apparaten (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).

Symbool: γ_s

Meting: NAEenheid: Unitless

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Substraat bias-coëfficiënt te vinden

Dopingconcentratie van acceptor

Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.

Symbool: N_A

Meting: ElektronendichtheidEenheid: electrons/cm³

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Dopingconcentratie van acceptor te vinden

Oxidecapaciteit

Oxidecapaciteit verwijst naar de capaciteit die is geassocieerd met de isolerende oxidelaag in een metaaloxide-halfgeleiderstructuur (MOS), zoals in MOSFET's.

Symbool: C_ox

Meting: CapaciteitEenheid: F

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Oxidecapaciteit te vinden

Lading van elektron

De lading van een elektron is een fundamentele fysische constante, die de elektrische lading vertegenwoordigt die wordt gedragen door een elektron, het elementaire deeltje met een negatieve elektrische lading.

Symbool: [Charge-e]

Waarde: 1.60217662E-19 C

Permittiviteit van silicium

De permittiviteit van silicium meet het vermogen ervan om elektrische energie op te slaan in een elektrisch veld, wat essentieel is in de halfgeleidertechnologie.

Symbool: [Permitivity-silicon]

Waarde: 11.7

sqrt

Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert.

Syntaxis: sqrt(Number)

Andere formules in de categorie MOS-transistor

Gan Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

C jsw = C j0sw \cdot x j

Gan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Gan Fermi-potentieel voor P-type

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Gan Equivalentiefactor voor zijwandspanning

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

Bekijk meer OpenImg

Hoe Substraat bias-coëfficiënt evalueren?

De beoordelaar van Substraat bias-coëfficiënt gebruikt Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor)/Oxidecapaciteit om de Substraat bias-coëfficiënt, De Substrate Bias Coefficient-formule wordt gedefinieerd als een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van MOSFET-apparaten (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), te evalueren. Substraat bias-coëfficiënt wordt aangegeven met het symbool γ_s.

Hoe kan ik Substraat bias-coëfficiënt evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Substraat bias-coëfficiënt te gebruiken, voert u Dopingconcentratie van acceptor (N_A) & Oxidecapaciteit (C_ox) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Substraat bias-coëfficiënt

Wat is de formule om Substraat bias-coëfficiënt te vinden?

De formule van Substraat bias-coëfficiënt wordt uitgedrukt als Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor)/Oxidecapaciteit. Hier is een voorbeeld: 5.7E-7 = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000)/3.9.

Hoe bereken je Substraat bias-coëfficiënt?

Met Dopingconcentratie van acceptor (N_A) & Oxidecapaciteit (C_ox) kunnen we Substraat bias-coëfficiënt vinden met behulp van de formule - Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor)/Oxidecapaciteit. Deze formule gebruikt ook de functie(s) van Lading van elektron, Permittiviteit van silicium constante(n) en Vierkantswortel (sqrt).

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Waarde
: Eenheid

Substraat bias-coëfficiënt Formule

Substraat bias-coëfficiënt Voorbeeld

Substraat bias-coëfficiënt Oplossing

Substraat bias-coëfficiënt Formule Elementen

Andere formules in de categorie MOS-transistor

Hoe Substraat bias-coëfficiënt evalueren?

FAQs op Substraat bias-coëfficiënt

Variable Name