FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

Procestransconductantieparameter van MOSFET Formule

GanMOSFET-transconductantieparameter met behulp van procestransconductantie Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

Transconductantieparameter is een cruciale parameter in elektronische apparaten en circuits, die helpt bij het beschrijven en kwantificeren van de input-outputrelatie tussen spanning en stroom. Controleer FAQs

k n = \frac{g m}{V ov}

k_n - Transconductantieparameter?g_m - Transconductantie?V_ov - Overdrive-spanning?

Procestransconductantieparameter van MOSFET Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Procestransconductantieparameter van MOSFET-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Procestransconductantieparameter van MOSFET-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Procestransconductantieparameter van MOSFET-vergelijking eruit ziet als.

0.0016 = \frac{0.5}{0.32}

0.0016A/V² = \frac{0.5mS}{0.32V}

0.0016 = \frac{0.5}{0.32}

Tip: Gebruik het potloodpictogram ( Pencil

) hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Berekenen

Herbereken

Oplossing

Kopiëren

resetten

Deel

Je bent hier -

Thuis » Category

Engineering » Category

Elektronica » Category

Analoge elektronica » fx Procestransconductantieparameter van MOSFET

Procestransconductantieparameter van MOSFET Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Procestransconductantieparameter van MOSFET?

Eerste stap Overweeg de formule

k n = \frac{g m}{V ov}

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

k n = \frac{0.5mS}{0.32V}

Volgende stap Eenheden converteren

∴

k n = \frac{0.0005S}{0.32V}

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

k n = \frac{0.0005}{0.32}

Volgende stap Evalueer

∴

k n = 0.0015625A/V²

Laatste stap Afrondingsantwoord

∴

k n = 0.0016A/V²

Procestransconductantieparameter van MOSFET Formule Elementen

Variabelen

Transconductantieparameter

Transconductantieparameter is een cruciale parameter in elektronische apparaten en circuits, die helpt bij het beschrijven en kwantificeren van de input-outputrelatie tussen spanning en stroom.

Symbool: k_n

Meting: TransconductantieparameterEenheid: A/V²

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Transconductantieparameter te vinden

Transconductantie

Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding van de verandering in de uitgangsstroom tot de verandering in de ingangsspanning, waarbij de poort-bronspanning constant wordt gehouden.

Symbool: g_m

Meting: Elektrische geleidingEenheid: mS

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Transconductantie te vinden

Overdrive-spanning

Overdrive-spanning is een term die wordt gebruikt in de elektronica en verwijst naar het spanningsniveau dat wordt toegepast op een apparaat of component en dat de normale bedrijfsspanning overschrijdt.

Symbool: V_ov

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Overdrive-spanning te vinden

Andere formules om Transconductantieparameter te vinden

Gan MOSFET-transconductantieparameter met behulp van procestransconductantie

k n = k' n \cdot WL

Andere formules in de categorie Transconductantie

Gan Stroom afvoeren met behulp van transconductantie

i d = (V ov) \cdot \frac{g m}{2}

Gan Transconductantie gegeven afvoerstroom

g m = \sqrt{2 \cdot k' n \cdot WL \cdot i d}

Gan Transconductantie gegeven procestransconductantieparameter

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

Gan Transconductantie met behulp van Process Transconductance Parameter en Overdrive Voltage

g m = k' n \cdot WL \cdot V ov

Bekijk meer OpenImg

Hoe Procestransconductantieparameter van MOSFET evalueren?

De beoordelaar van Procestransconductantieparameter van MOSFET gebruikt Transconductance Parameter = Transconductantie/Overdrive-spanning om de Transconductantieparameter, Proces transconductantie parameter van MOSFET is het product van mobiliteit van elektronen in kanaal en oxide capaciteit, te evalueren. Transconductantieparameter wordt aangegeven met het symbool k_n.

Hoe kan ik Procestransconductantieparameter van MOSFET evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Procestransconductantieparameter van MOSFET te gebruiken, voert u Transconductantie (g_m) & Overdrive-spanning (V_ov) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Procestransconductantieparameter van MOSFET

Wat is de formule om Procestransconductantieparameter van MOSFET te vinden?

De formule van Procestransconductantieparameter van MOSFET wordt uitgedrukt als Transconductance Parameter = Transconductantie/Overdrive-spanning. Hier is een voorbeeld: 0.001562 = 0.0005/0.32.

Hoe bereken je Procestransconductantieparameter van MOSFET?

Met Transconductantie (g_m) & Overdrive-spanning (V_ov) kunnen we Procestransconductantieparameter van MOSFET vinden met behulp van de formule - Transconductance Parameter = Transconductantie/Overdrive-spanning.

Wat zijn de andere manieren om Transconductantieparameter te berekenen?

Hier zijn de verschillende manieren om Transconductantieparameter-

Transconductance Parameter=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio

te berekenen

Kan de Procestransconductantieparameter van MOSFET negatief zijn?

Ja, de Procestransconductantieparameter van MOSFET, gemeten in Transconductantieparameter kan moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Procestransconductantieparameter van MOSFET te meten?

Procestransconductantieparameter van MOSFET wordt meestal gemeten met de Ampère per vierkante volt[A/V²] voor Transconductantieparameter. Milliampère per vierkante volt[A/V²], Microampère per vierkante volt[A/V²] zijn de weinige andere eenheden waarin Procestransconductantieparameter van MOSFET kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Waarde
: Eenheid