FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

PN-verbindingscapaciteit Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

Verbindingscapaciteit verwijst naar de capaciteit die geassocieerd is met de pn-overgang gevormd tussen twee halfgeleidergebieden in een halfgeleiderapparaat, zoals een diode of een transistor. Controleer FAQs

C j = \frac{A pn}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot [Charge-e] \cdot ε r \cdot [Permitivity-silicon]}{V 0 - (V)} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D})}

C_j - Verbindingscapaciteit?A_pn - PN-verbindingsgebied?ε_r - Relatieve permittiviteit?V₀ - Spanning over PN-verbinding?V - Omgekeerde voorspanning?N_A - Acceptorconcentratie?N_D - Donorconcentratie?[Charge-e] - Lading van elektron?[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium?

PN-verbindingscapaciteit Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de PN-verbindingscapaciteit-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de PN-verbindingscapaciteit-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de PN-verbindingscapaciteit-vergelijking eruit ziet als.

1.9E+6 = \frac{4.8}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 78 \cdot 11.7}{0.6 - (-4)} \cdot (\frac{1E+22 \cdot 1E+24}{1E+22 + 1E+24})}

1.9E+6fF = \frac{4.8µm²}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 78F/m \cdot 11.7}{0.6V - (-4V)} \cdot (\frac{1E+221/m³ \cdot 1E+241/m³}{1E+221/m³ + 1E+241/m³})}

1.9E+6 = \frac{4.8}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 78 \cdot 11.7}{0.6 - (-4)} \cdot (\frac{1E+22 \cdot 1E+24}{1E+22 + 1E+24})}

Tip: Gebruik het potloodpictogram ( Pencil

) hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Berekenen

Herbereken

Oplossing

Kopiëren

resetten

Deel

Je bent hier -

Thuis » Category

Engineering » Category

Elektronica » Category

Opto-elektronica-apparaten » fx PN-verbindingscapaciteit

PN-verbindingscapaciteit Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van PN-verbindingscapaciteit?

Eerste stap Overweeg de formule

C j = \frac{A pn}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot [Charge-e] \cdot ε r \cdot [Permitivity-silicon]}{V 0 - (V)} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D})}

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

C j = \frac{4.8µm²}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot [Charge-e] \cdot 78F/m \cdot [Permitivity-silicon]}{0.6V - (-4V)} \cdot (\frac{1E+221/m³ \cdot 1E+241/m³}{1E+221/m³ + 1E+241/m³})}

Volgende stap Vervang de waarden van constanten

∴

C j = \frac{4.8µm²}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 78F/m \cdot 11.7}{0.6V - (-4V)} \cdot (\frac{1E+221/m³ \cdot 1E+241/m³}{1E+221/m³ + 1E+241/m³})}

Volgende stap Eenheden converteren

∴

C j = \frac{4.8E-12m²}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 78F/m \cdot 11.7}{0.6V - (-4V)} \cdot (\frac{1E+221/m³ \cdot 1E+241/m³}{1E+221/m³ + 1E+241/m³})}

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

C j = \frac{4.8E-12}{2} \cdot \sqrt{\frac{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 78 \cdot 11.7}{0.6 - (-4)} \cdot (\frac{1E+22 \cdot 1E+24}{1E+22 + 1E+24})}

Volgende stap Evalueer

∴

C j = 1.9040662888657E-09F

Volgende stap Converteren naar de eenheid van uitvoer

∴

C j = 1904066.2888657fF

Laatste stap Afrondingsantwoord

∴

C j = 1.9E+6fF

PN-verbindingscapaciteit Formule Elementen

Variabelen

Constanten

Functies

Verbindingscapaciteit

Verbindingscapaciteit verwijst naar de capaciteit die geassocieerd is met de pn-overgang gevormd tussen twee halfgeleidergebieden in een halfgeleiderapparaat, zoals een diode of een transistor.

Symbool: C_j

Meting: CapaciteitEenheid: fF

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Verbindingscapaciteit te vinden

PN-verbindingsgebied

Het PN-verbindingsgebied is het grens- of interfacegebied tussen twee soorten halfgeleidermaterialen in een pn-diode.

Symbool: A_pn

Meting: GebiedEenheid: µm²

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om PN-verbindingsgebied te vinden

Relatieve permittiviteit

De relatieve permittiviteit is een maatstaf voor het vermogen van een materiaal om elektrische energie in een elektrisch veld op te slaan.

Symbool: ε_r

Meting: PermittiviteitEenheid: F/m

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Relatieve permittiviteit te vinden

Spanning over PN-verbinding

Spanning over PN-verbinding is de ingebouwde potentiaal over de pn-overgang van een halfgeleider zonder enige externe voorspanning.

Symbool: V₀

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet tussen 0.3 en 0.8 liggen.

Formules om Spanning over PN-verbinding te vinden

Omgekeerde voorspanning

Omgekeerde voorspanning is de negatieve externe spanning die op de pn-overgang wordt aangelegd.

Symbool: V

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet kleiner zijn dan 0.

Formules om Omgekeerde voorspanning te vinden

Acceptorconcentratie

Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.

Symbool: N_A

Meting: Drager ConcentratieEenheid: 1/m³

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Acceptorconcentratie te vinden

Donorconcentratie

Donorconcentratie verwijst naar de concentratie van donordoteringsatomen die in een halfgeleidermateriaal worden geïntroduceerd om het aantal vrije elektronen te vergroten.

Symbool: N_D

Meting: Drager ConcentratieEenheid: 1/m³

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Donorconcentratie te vinden

Lading van elektron

De lading van een elektron is een fundamentele fysische constante, die de elektrische lading vertegenwoordigt die wordt gedragen door een elektron, het elementaire deeltje met een negatieve elektrische lading.

Symbool: [Charge-e]

Waarde: 1.60217662E-19 C

Permittiviteit van silicium

De permittiviteit van silicium meet het vermogen ervan om elektrische energie op te slaan in een elektrisch veld, wat essentieel is in de halfgeleidertechnologie.

Symbool: [Permitivity-silicon]

Waarde: 11.7

sqrt

Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert.

Syntaxis: sqrt(Number)

Andere formules in de categorie Apparaten met optische componenten

Gan Rotatiehoek van het polarisatievlak

θ = 1.8 \cdot B \cdot L m

Gan Apex-hoek

A = \tan (α)

Bekijk meer OpenImg

Hoe PN-verbindingscapaciteit evalueren?

De beoordelaar van PN-verbindingscapaciteit gebruikt Junction Capacitance = PN-verbindingsgebied/2*sqrt((2*[Charge-e]*Relatieve permittiviteit*[Permitivity-silicon])/(Spanning over PN-verbinding-(Omgekeerde voorspanning))*((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Acceptorconcentratie+Donorconcentratie))) om de Verbindingscapaciteit, De formule voor de PN-junctiecapaciteit wordt gedefinieerd als de capaciteit die is geassocieerd met het uitputtingsgebied van een pn-overgang als gevolg van opgehoopte ladingen. Het is prominent aanwezig in de omgekeerde voorgespannen toestand, omdat deze toestand het barrièrepotentieel vergroot en daarmee de capaciteit erover, te evalueren. Verbindingscapaciteit wordt aangegeven met het symbool C_j.

Hoe kan ik PN-verbindingscapaciteit evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor PN-verbindingscapaciteit te gebruiken, voert u PN-verbindingsgebied (A_pn), Relatieve permittiviteit (ε_r), Spanning over PN-verbinding (V₀), Omgekeerde voorspanning (V), Acceptorconcentratie (N_A) & Donorconcentratie (N_D) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op PN-verbindingscapaciteit

Wat is de formule om PN-verbindingscapaciteit te vinden?

De formule van PN-verbindingscapaciteit wordt uitgedrukt als Junction Capacitance = PN-verbindingsgebied/2*sqrt((2*[Charge-e]*Relatieve permittiviteit*[Permitivity-silicon])/(Spanning over PN-verbinding-(Omgekeerde voorspanning))*((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Acceptorconcentratie+Donorconcentratie))). Hier is een voorbeeld: 1.9E+21 = 4.8E-12/2*sqrt((2*[Charge-e]*78*[Permitivity-silicon])/(0.6-((-4)))*((1E+22*1E+24)/(1E+22+1E+24))).

Hoe bereken je PN-verbindingscapaciteit?

Met PN-verbindingsgebied (A_pn), Relatieve permittiviteit (ε_r), Spanning over PN-verbinding (V₀), Omgekeerde voorspanning (V), Acceptorconcentratie (N_A) & Donorconcentratie (N_D) kunnen we PN-verbindingscapaciteit vinden met behulp van de formule - Junction Capacitance = PN-verbindingsgebied/2*sqrt((2*[Charge-e]*Relatieve permittiviteit*[Permitivity-silicon])/(Spanning over PN-verbinding-(Omgekeerde voorspanning))*((Acceptorconcentratie*Donorconcentratie)/(Acceptorconcentratie+Donorconcentratie))). Deze formule gebruikt ook de functie(s) van Lading van elektron, Permittiviteit van silicium constante(n) en Vierkantswortel (sqrt).

Kan de PN-verbindingscapaciteit negatief zijn?

Nee, de PN-verbindingscapaciteit, gemeten in Capaciteit kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om PN-verbindingscapaciteit te meten?

PN-verbindingscapaciteit wordt meestal gemeten met de Femtofarad[fF] voor Capaciteit. Farad[fF], Kilofarad[fF], Millifarad[fF] zijn de weinige andere eenheden waarin PN-verbindingscapaciteit kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Waarde
: Eenheid

PN-verbindingscapaciteit Formule

PN-verbindingscapaciteit Voorbeeld

PN-verbindingscapaciteit Oplossing

PN-verbindingscapaciteit Formule Elementen

Andere formules in de categorie Apparaten met optische componenten

Hoe PN-verbindingscapaciteit evalueren?

FAQs op PN-verbindingscapaciteit

Variable Name