Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET Formule

Fx Kopiëren
LaTeX Kopiëren
Electron Charge in Channel verwijst naar de hoeveelheid lading die wordt gedragen door een elektron in de geleidingsband van het halfgeleidermateriaal dat in het apparaat wordt gebruikt. Controleer FAQs
Qe=CoxWcLVeff
Qe - Elektronenlading in kanaal?Cox - Oxidecapaciteit?Wc - Kanaalbreedte?L - Kanaallengte?Veff - Effectieve spanning?

Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET Voorbeeld

Met waarden
Met eenheden
Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET-vergelijking eruit ziet als.

1.598Edit=940Edit10Edit100Edit1.7Edit
Kopiëren
resetten
Deel
Je bent hier -
HomeIcon Thuis » Category Engineering » Category Elektronica » Category Analoge elektronica » fx Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET

Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET?

Eerste stap Overweeg de formule
Qe=CoxWcLVeff
Volgende stap Vervang waarden van variabelen
Qe=940μF10μm100μm1.7V
Volgende stap Eenheden converteren
Qe=0.0009F1E-5m0.0001m1.7V
Volgende stap Bereid je voor om te evalueren
Qe=0.00091E-50.00011.7
Volgende stap Evalueer
Qe=1.598E-12C
Laatste stap Converteren naar de eenheid van uitvoer
Qe=1.598pC

Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET Formule Elementen

Variabelen
Elektronenlading in kanaal
Electron Charge in Channel verwijst naar de hoeveelheid lading die wordt gedragen door een elektron in de geleidingsband van het halfgeleidermateriaal dat in het apparaat wordt gebruikt.
Symbool: Qe
Meting: Elektrische ladingEenheid: pC
Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.
Oxidecapaciteit
Oxidecapaciteit is een belangrijke parameter die de prestaties van MOS-apparaten beïnvloedt, zoals de snelheid en het stroomverbruik van geïntegreerde schakelingen.
Symbool: Cox
Meting: CapaciteitEenheid: μF
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Kanaalbreedte
Kanaalbreedte verwijst naar het frequentiebereik dat wordt gebruikt voor het verzenden van gegevens via een draadloos communicatiekanaal. Het wordt ook wel bandbreedte genoemd en wordt gemeten in hertz (Hz).
Symbool: Wc
Meting: LengteEenheid: μm
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Kanaallengte
Kanaallengte verwijst naar de afstand tussen de source- en drain-terminals in een veldeffecttransistor (FET).
Symbool: L
Meting: LengteEenheid: μm
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Effectieve spanning
De effectieve spanning in een MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) is de spanning die het gedrag van het apparaat bepaalt. Het is ook bekend als de poortbronspanning.
Symbool: Veff
Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Andere formules in de categorie Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model

​Gan Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET
Wc=CocCoxLov
​Gan Overlapcapaciteit van MOSFET
Coc=WcCoxLov
​Gan Totale capaciteit tussen poort en kanaal van MOSFET's
Cg=CoxWcL
​Gan Overgangsfrequentie van MOSFET
ft=gm2π(Csg+Cgd)

Hoe Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET evalueren?

De beoordelaar van Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET gebruikt Electron Charge in Channel = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte*Effectieve spanning om de Elektronenlading in kanaal, De grootte van de elektronenlading in het kanaal van MOSFET wordt gegeven door |Q| = Cox (WL)Vov waarbij Cox, de oxidecapaciteit genoemd, de capaciteit is van de parallelle-plaatcondensator per eenheid poortoppervlak (in eenheden van F/m, te evalueren. Elektronenlading in kanaal wordt aangegeven met het symbool Qe.

Hoe kan ik Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET te gebruiken, voert u Oxidecapaciteit (Cox), Kanaalbreedte (Wc), Kanaallengte (L) & Effectieve spanning (Veff) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET

Wat is de formule om Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET te vinden?
De formule van Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET wordt uitgedrukt als Electron Charge in Channel = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte*Effectieve spanning. Hier is een voorbeeld: 1.6E+12 = 0.00094*1E-05*0.0001*1.7.
Hoe bereken je Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET?
Met Oxidecapaciteit (Cox), Kanaalbreedte (Wc), Kanaallengte (L) & Effectieve spanning (Veff) kunnen we Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET vinden met behulp van de formule - Electron Charge in Channel = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte*Effectieve spanning.
Kan de Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET negatief zijn?
Ja, de Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET, gemeten in Elektrische lading kan moet negatief zijn.
Welke eenheid wordt gebruikt om Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET te meten?
Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET wordt meestal gemeten met de Picocoulomb[pC] voor Elektrische lading. Coulomb[pC], Kilocoulomb[pC], Millicoulomb[pC] zijn de weinige andere eenheden waarin Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET kan worden gemeten.
Copied!