Nul bias zijwandverbindingscapaciteit Formule

Fx Kopiëren
LaTeX Kopiëren
Zero Bias Sidewall Junction Potential is het ingebouwde potentieel in de zijwandovergang van bepaalde transistorstructuren. Controleer FAQs
Cj0sw=[Permitivity-silicon][Charge-e]2(NA(sw)NDNA(sw)+ND)1Φosw
Cj0sw - Zero Bias zijwandverbindingspotentieel?NA(sw) - Dopingdichtheid van de zijwand?ND - Dopingconcentratie van donor?Φosw - Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen?[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium?[Charge-e] - Lading van elektron?

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit Voorbeeld

Met waarden
Met eenheden
Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Nul bias zijwandverbindingscapaciteit-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Nul bias zijwandverbindingscapaciteit-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Nul bias zijwandverbindingscapaciteit-vergelijking eruit ziet als.

1E-7Edit=11.71.6E-192(0.35Edit3.01Edit0.35Edit+3.01Edit)13.2E-5Edit
Kopiëren
resetten
Deel
Je bent hier -
HomeIcon Thuis » Category Engineering » Category Elektronica » Category Versterkers » fx Nul bias zijwandverbindingscapaciteit

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Nul bias zijwandverbindingscapaciteit?

Eerste stap Overweeg de formule
Cj0sw=[Permitivity-silicon][Charge-e]2(NA(sw)NDNA(sw)+ND)1Φosw
Volgende stap Vervang waarden van variabelen
Cj0sw=[Permitivity-silicon][Charge-e]2(0.35electrons/m³3.01electrons/cm³0.35electrons/m³+3.01electrons/cm³)13.2E-5V
Volgende stap Vervang de waarden van constanten
Cj0sw=11.71.6E-19C2(0.35electrons/m³3.01electrons/cm³0.35electrons/m³+3.01electrons/cm³)13.2E-5V
Volgende stap Eenheden converteren
Cj0sw=11.71.6E-19C2(0.35electrons/m³3E+6electrons/m³0.35electrons/m³+3E+6electrons/m³)13.2E-5V
Volgende stap Bereid je voor om te evalueren
Cj0sw=11.71.6E-192(0.353E+60.35+3E+6)13.2E-5
Volgende stap Evalueer
Cj0sw=1.01249324812588E-07F
Laatste stap Afrondingsantwoord
Cj0sw=1E-7F

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit Formule Elementen

Variabelen
Constanten
Functies
Zero Bias zijwandverbindingspotentieel
Zero Bias Sidewall Junction Potential is het ingebouwde potentieel in de zijwandovergang van bepaalde transistorstructuren.
Symbool: Cj0sw
Meting: CapaciteitEenheid: F
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Dopingdichtheid van de zijwand
Dopingdichtheid van de zijwand verwijst naar de concentratie van doteringsatomen langs de zijwanden van de transistorstructuur.
Symbool: NA(sw)
Meting: ElektronendichtheidEenheid: electrons/m³
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Dopingconcentratie van donor
Dopingconcentratie van donor verwijst naar de concentratie van donoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.
Symbool: ND
Meting: ElektronendichtheidEenheid: electrons/cm³
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen verwijst naar de verbinding die wordt gevormd langs de verticale of zijwandoppervlakken van de transistorstructuur.
Symbool: Φosw
Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Permittiviteit van silicium
De permittiviteit van silicium meet het vermogen ervan om elektrische energie op te slaan in een elektrisch veld, wat essentieel is in de halfgeleidertechnologie.
Symbool: [Permitivity-silicon]
Waarde: 11.7
Lading van elektron
De lading van een elektron is een fundamentele fysische constante, die de elektrische lading vertegenwoordigt die wordt gedragen door een elektron, het elementaire deeltje met een negatieve elektrische lading.
Symbool: [Charge-e]
Waarde: 1.60217662E-19 C
sqrt
Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert.
Syntaxis: sqrt(Number)

Andere formules in de categorie MOSFET-versterkers

​Gan Zero Bias Junction-capaciteit
Cj0=εsi[Charge-e]2(NANDNA+ND)1Φo

Hoe Nul bias zijwandverbindingscapaciteit evalueren?

De beoordelaar van Nul bias zijwandverbindingscapaciteit gebruikt Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Dopingdichtheid van de zijwand*Dopingconcentratie van donor)/(Dopingdichtheid van de zijwand+Dopingconcentratie van donor))*1/Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen) om de Zero Bias zijwandverbindingspotentieel, De Zero Bias Sidewall Junction Capacitance-formule wordt gedefinieerd als de ingebouwde potentiaal in de zijwandjunctie van bepaalde transistorstructuren, te evalueren. Zero Bias zijwandverbindingspotentieel wordt aangegeven met het symbool Cj0sw.

Hoe kan ik Nul bias zijwandverbindingscapaciteit evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Nul bias zijwandverbindingscapaciteit te gebruiken, voert u Dopingdichtheid van de zijwand (NA(sw)), Dopingconcentratie van donor (ND) & Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen osw) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Nul bias zijwandverbindingscapaciteit

Wat is de formule om Nul bias zijwandverbindingscapaciteit te vinden?
De formule van Nul bias zijwandverbindingscapaciteit wordt uitgedrukt als Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Dopingdichtheid van de zijwand*Dopingconcentratie van donor)/(Dopingdichtheid van de zijwand+Dopingconcentratie van donor))*1/Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen). Hier is een voorbeeld: 4.6E-10 = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((0.35*3010000)/(0.35+3010000))*1/3.2E-05).
Hoe bereken je Nul bias zijwandverbindingscapaciteit?
Met Dopingdichtheid van de zijwand (NA(sw)), Dopingconcentratie van donor (ND) & Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen osw) kunnen we Nul bias zijwandverbindingscapaciteit vinden met behulp van de formule - Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Dopingdichtheid van de zijwand*Dopingconcentratie van donor)/(Dopingdichtheid van de zijwand+Dopingconcentratie van donor))*1/Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen). Deze formule gebruikt ook de functie(s) van Permittiviteit van silicium, Lading van elektron constante(n) en Vierkantswortel (sqrt).
Kan de Nul bias zijwandverbindingscapaciteit negatief zijn?
Nee, de Nul bias zijwandverbindingscapaciteit, gemeten in Capaciteit kan niet moet negatief zijn.
Welke eenheid wordt gebruikt om Nul bias zijwandverbindingscapaciteit te meten?
Nul bias zijwandverbindingscapaciteit wordt meestal gemeten met de Farad[F] voor Capaciteit. Kilofarad[F], Millifarad[F], Microfarad[F] zijn de weinige andere eenheden waarin Nul bias zijwandverbindingscapaciteit kan worden gemeten.
Copied!