FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

Narrow Channel extra drempelspanning VLSI Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

Narrow Channel Extra Threshold Voltage wordt gedefinieerd als een extra bijdrage aan de drempelspanning als gevolg van smalkanaaleffecten in MOSFET. Controleer FAQs

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

ΔV_T0(nc) - Smal kanaal extra drempelspanning?k - Empirische parameter?x_dm - Verticale omvang van bulkdepletie in substraat?W_c - Kanaalbreedte?C_oxide - Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid?N_A - Acceptorconcentratie?Φ_s - Oppervlaktepotentieel?[Charge-e] - Lading van elektron?[Permitivity-vacuum] - Permittiviteit van vacuüm?[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium?

Narrow Channel extra drempelspanning VLSI Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Narrow Channel extra drempelspanning VLSI-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Narrow Channel extra drempelspanning VLSI-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Narrow Channel extra drempelspanning VLSI-vergelijking eruit ziet als.

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

2.3825V = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Tip: Gebruik het potloodpictogram ( Pencil

) hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Berekenen

Herbereken

Oplossing

Kopiëren

resetten

Deel

Je bent hier -

Thuis » Category

Engineering » Category

Elektronica » Category

VLSI-fabricage » fx Narrow Channel extra drempelspanning VLSI

Narrow Channel extra drempelspanning VLSI Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Narrow Channel extra drempelspanning VLSI?

Eerste stap Overweeg de formule

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 1E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Volgende stap Vervang de waarden van constanten

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Volgende stap Eenheden converteren

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6m}{2.5E-6m \cdot 0.0007F/m²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6}{2.5E-6 \cdot 0.0007}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+22 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Volgende stap Evalueer

∴

ΔV T0(nc) = 2.38246289976913V

Laatste stap Afrondingsantwoord

∴

ΔV T0(nc) = 2.3825V

Narrow Channel extra drempelspanning VLSI Formule Elementen

Variabelen

Constanten

Functies

Smal kanaal extra drempelspanning

Narrow Channel Extra Threshold Voltage wordt gedefinieerd als een extra bijdrage aan de drempelspanning als gevolg van smalkanaaleffecten in MOSFET.

Symbool: ΔV_T0(nc)

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Smal kanaal extra drempelspanning te vinden

Empirische parameter

Empirische parameter is een constante of waarde die wordt gebruikt in een model, vergelijking of theorie die is afgeleid van experimenten en observatie in plaats van theoretisch te zijn afgeleid.

Symbool: k

Meting: NAEenheid: Unitless

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Empirische parameter te vinden

Verticale omvang van bulkdepletie in substraat

Verticale omvang Bulkdepletie in substraat verwijst naar de diepte van het depletiegebied in het substraat (bulk) van de MOSFET.

Symbool: x_dm

Meting: LengteEenheid: μm

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Verticale omvang van bulkdepletie in substraat te vinden

Kanaalbreedte

Kanaalbreedte wordt gedefinieerd als de fysieke breedte van het halfgeleiderkanaal tussen de source- en drainterminals binnen de transistorstructuur.

Symbool: W_c

Meting: LengteEenheid: μm

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Kanaalbreedte te vinden

Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid

Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid wordt gedefinieerd als de capaciteit per oppervlakte-eenheid van de isolerende oxidelaag die de metalen poort scheidt van het halfgeleidermateriaal.

Symbool: C_oxide

Meting: Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheidEenheid: μF/cm²

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid te vinden

Acceptorconcentratie

Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.

Symbool: N_A

Meting: Drager ConcentratieEenheid: 1/cm³

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Acceptorconcentratie te vinden

Oppervlaktepotentieel

Oppervlaktepotentieel is een sleutelparameter bij het evalueren van de DC-eigenschap van dunnefilmtransistors.

Symbool: Φ_s

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Oppervlaktepotentieel te vinden

Lading van elektron

De lading van een elektron is een fundamentele fysische constante, die de elektrische lading vertegenwoordigt die wordt gedragen door een elektron, het elementaire deeltje met een negatieve elektrische lading.

Symbool: [Charge-e]

Waarde: 1.60217662E-19 C

Permittiviteit van vacuüm

Permittiviteit van vacuüm is een fundamentele fysische constante die het vermogen van een vacuüm beschrijft om de transmissie van elektrische veldlijnen mogelijk te maken.

Symbool: [Permitivity-vacuum]

Waarde: 8.85E-12 F/m

Permittiviteit van silicium

De permittiviteit van silicium meet het vermogen ervan om elektrische energie op te slaan in een elektrisch veld, wat essentieel is in de halfgeleidertechnologie.

Symbool: [Permitivity-silicon]

Waarde: 11.7

sqrt

Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert.

Syntaxis: sqrt(Number)

abs

De absolute waarde van een getal is de afstand tot nul op de getallenlijn. Het is altijd een positieve waarde, omdat het de grootte van een getal vertegenwoordigt zonder rekening te houden met de richting.

Syntaxis: abs(Number)

Andere formules in de categorie VLSI-materiaaloptimalisatie

Gan Lichaamseffectcoëfficiënt

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

Gan Kanaallading

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

Bekijk meer OpenImg

Hoe Narrow Channel extra drempelspanning VLSI evalueren?

De beoordelaar van Narrow Channel extra drempelspanning VLSI gebruikt Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Empirische parameter*Verticale omvang van bulkdepletie in substraat)/(Kanaalbreedte*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid))*(sqrt(2*[Charge-e]*Acceptorconcentratie*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Oppervlaktepotentieel))) om de Smal kanaal extra drempelspanning, De Narrow Channel Extra Threshold Voltage VLSI-formule wordt gedefinieerd als een extra bijdrage aan de drempelspanning als gevolg van smalkanaaleffecten in MOSFET, te evalueren. Smal kanaal extra drempelspanning wordt aangegeven met het symbool ΔV_T0(nc).

Hoe kan ik Narrow Channel extra drempelspanning VLSI evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Narrow Channel extra drempelspanning VLSI te gebruiken, voert u Empirische parameter (k), Verticale omvang van bulkdepletie in substraat (x_dm), Kanaalbreedte (W_c), Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid (C_oxide), Acceptorconcentratie (N_A) & Oppervlaktepotentieel (Φ_s) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Narrow Channel extra drempelspanning VLSI

Wat is de formule om Narrow Channel extra drempelspanning VLSI te vinden?

De formule van Narrow Channel extra drempelspanning VLSI wordt uitgedrukt als Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Empirische parameter*Verticale omvang van bulkdepletie in substraat)/(Kanaalbreedte*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid))*(sqrt(2*[Charge-e]*Acceptorconcentratie*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Oppervlaktepotentieel))). Hier is een voorbeeld: 2.382463 = ((1.57*1.25E-06)/(2.5E-06*0.000703))*(sqrt(2*[Charge-e]*1E+22*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*6.86))).

Hoe bereken je Narrow Channel extra drempelspanning VLSI?

Met Empirische parameter (k), Verticale omvang van bulkdepletie in substraat (x_dm), Kanaalbreedte (W_c), Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid (C_oxide), Acceptorconcentratie (N_A) & Oppervlaktepotentieel (Φ_s) kunnen we Narrow Channel extra drempelspanning VLSI vinden met behulp van de formule - Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Empirische parameter*Verticale omvang van bulkdepletie in substraat)/(Kanaalbreedte*Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid))*(sqrt(2*[Charge-e]*Acceptorconcentratie*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Oppervlaktepotentieel))). Deze formule gebruikt ook de functie(s) van Lading van elektron, Permittiviteit van vacuüm, Permittiviteit van silicium constante(n) en , Vierkantswortel (sqrt), Absoluut (abs).

Kan de Narrow Channel extra drempelspanning VLSI negatief zijn?

Nee, de Narrow Channel extra drempelspanning VLSI, gemeten in Elektrisch potentieel kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Narrow Channel extra drempelspanning VLSI te meten?

Narrow Channel extra drempelspanning VLSI wordt meestal gemeten met de Volt[V] voor Elektrisch potentieel. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] zijn de weinige andere eenheden waarin Narrow Channel extra drempelspanning VLSI kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Waarde
: Eenheid

Narrow Channel extra drempelspanning VLSI Formule

Narrow Channel extra drempelspanning VLSI Voorbeeld

Narrow Channel extra drempelspanning VLSI Oplossing

Narrow Channel extra drempelspanning VLSI Formule Elementen

Andere formules in de categorie VLSI-materiaaloptimalisatie

Hoe Narrow Channel extra drempelspanning VLSI evalueren?

FAQs op Narrow Channel extra drempelspanning VLSI

Variable Name