FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

Transconductantie in MOSFET is een belangrijke parameter die de relatie tussen de ingangsspanning en de uitgangsstroom beschrijft. Controleer FAQs

g m = \sqrt{2 \cdot μ n \cdot C ox \cdot (\frac{W t}{L t}) \cdot I d}

g_m - Transconductantie in MOSFET?μ_n - Elektronenmobiliteit?C_ox - Oxidecapaciteit?W_t - Transistorbreedte?L_t - Lengte van de transistor?I_d - Afvoerstroom?

MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit-vergelijking eruit ziet als.

2.2866 = \sqrt{2 \cdot 30 \cdot 3.9 \cdot (\frac{5.5}{3.2}) \cdot 0.013}

2.2866S = \sqrt{2 \cdot 30m²/V*s \cdot 3.9F \cdot (\frac{5.5μm}{3.2μm}) \cdot 0.013A}

2.2866 = \sqrt{2 \cdot 30 \cdot 3.9 \cdot (\frac{5.5}{3.2}) \cdot 0.013}

Tip: Gebruik het potloodpictogram ( Pencil

Pencil

) hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Oplossing

Kopiëren

Deel

Je bent hier -

HomeIcon

Thuis » Category

Category

Engineering » Category

Category

Elektronica » Category

Category

Analoge elektronica » fx MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit

MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit?

Eerste stap Overweeg de formule

g m = \sqrt{2 \cdot μ n \cdot C ox \cdot (\frac{W t}{L t}) \cdot I d}

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

g m = \sqrt{2 \cdot 30m²/V*s \cdot 3.9F \cdot (\frac{5.5μm}{3.2μm}) \cdot 0.013A}

Volgende stap Eenheden converteren

∴

g m = \sqrt{2 \cdot 30m²/V*s \cdot 3.9F \cdot (\frac{5.5E-6m}{3.2E-6m}) \cdot 0.013A}

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

g m = \sqrt{2 \cdot 30 \cdot 3.9 \cdot (\frac{5.5E-6}{3.2E-6}) \cdot 0.013}

Volgende stap Evalueer

∴

g m = 2.28657768291392S

Laatste stap Afrondingsantwoord

∴

g m = 2.2866S

MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit Formule Elementen

Variabelen

Functies

Transconductantie in MOSFET

Transconductantie in MOSFET is een belangrijke parameter die de relatie tussen de ingangsspanning en de uitgangsstroom beschrijft.

Symbool: g_m

Meting: Elektrische geleidingEenheid: S

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Transconductantie in MOSFET te vinden

Open Variable

Elektronenmobiliteit

Elektronenmobiliteit beschrijft hoe snel elektronen door het materiaal kunnen bewegen als reactie op een elektrisch veld.

Symbool: μ_n

Meting: MobiliteitEenheid: m²/V*s

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Elektronenmobiliteit te vinden

Open Variable

Oxidecapaciteit

Oxidecapaciteit verwijst naar de capaciteit die is geassocieerd met de isolerende oxidelaag in een metaaloxide-halfgeleiderstructuur (MOS), zoals in MOSFET's.

Symbool: C_ox

Meting: CapaciteitEenheid: F

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Oxidecapaciteit te vinden

Open Variable

Transistorbreedte

Transistorbreedte verwijst naar de breedte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.

Symbool: W_t

Meting: LengteEenheid: μm

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Transistorbreedte te vinden

Open Variable

Lengte van de transistor

Transistorlengte verwijst naar de lengte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.

Symbool: L_t

Meting: LengteEenheid: μm

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Lengte van de transistor te vinden

Open Variable

Afvoerstroom

Afvoerstroom verwijst naar de stroom die vloeit tussen de afvoer- en bronaansluitingen van de transistor wanneer deze in bedrijf is.

Symbool: I_d

Meting: Elektrische stroomEenheid: A

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Afvoerstroom te vinden

Open Variable

sqrt

Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert.

Syntaxis: sqrt(Number)

Andere formules in de categorie MOSFET-karakteristieken

Gan Maximale spanningsversterking op biaspunt

A vm = 2 \cdot \frac{V dd - V eff}{V eff}

Gan Maximale spanningsversterking bij alle spanningen

A vm = \frac{V dd - 0.3}{V t}

Gan Spanningsversterking gegeven afvoerspanning

A v = \frac{i d \cdot R L \cdot 2}{V eff}

Gan Spanningsversterking gegeven Belastingsweerstand van MOSFET

A v = g m \cdot \frac{\frac{1}{\frac{1}{R L} + \frac{1}{R out}}}{1 + g m \cdot R s}

Bekijk meer OpenImg

OpenImg

Hoe MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit evalueren?

De beoordelaar van MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit gebruikt Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit*(Transistorbreedte/Lengte van de transistor)*Afvoerstroom) om de Transconductantie in MOSFET, De MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteitsformule wordt gedefinieerd als een sleutelparameter die de relatie tussen de ingangsspanning en de uitgangsstroom beschrijft, te evalueren. Transconductantie in MOSFET wordt aangegeven met het symbool g_m.

Hoe kan ik MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit te gebruiken, voert u Elektronenmobiliteit (μ_n), Oxidecapaciteit (C_ox), Transistorbreedte (W_t), Lengte van de transistor (L_t) & Afvoerstroom (I_d) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit

Wat is de formule om MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit te vinden?

De formule van MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit wordt uitgedrukt als Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit*(Transistorbreedte/Lengte van de transistor)*Afvoerstroom). Hier is een voorbeeld: 7.230794 = sqrt(2*30*3.9*(5.5E-06/3.2E-06)*0.013).

Hoe bereken je MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit?

Met Elektronenmobiliteit (μ_n), Oxidecapaciteit (C_ox), Transistorbreedte (W_t), Lengte van de transistor (L_t) & Afvoerstroom (I_d) kunnen we MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit vinden met behulp van de formule - Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Elektronenmobiliteit*Oxidecapaciteit*(Transistorbreedte/Lengte van de transistor)*Afvoerstroom). Deze formule gebruikt ook de functie(s) van Vierkantswortel (sqrt).

Kan de MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit negatief zijn?

Ja, de MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit, gemeten in Elektrische geleiding kan moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit te meten?

MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit wordt meestal gemeten met de Siemens[S] voor Elektrische geleiding. Megasiemens[S], Millisiemens[S], Mho[S] zijn de weinige andere eenheden waarin MOSFET-transconductantie gegeven oxidecapaciteit kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

WhatsApp

Copied!