FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

MOSFET-transconductantie Formule

GanTransconductantie gegeven afvoerstroom Formule

GanTransconductantie gegeven procestransconductantieparameter Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding van de verandering in de uitgangsstroom tot de verandering in de ingangsspanning, waarbij de poort-bronspanning constant wordt gehouden. Controleer FAQs

g m = \frac{ΔI d}{V gs}

g_m - Transconductantie?ΔI_d - Verandering in afvoerstroom?V_gs - Gate-bronspanning?

MOSFET-transconductantie Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de MOSFET-transconductantie-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de MOSFET-transconductantie-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de MOSFET-transconductantie-vergelijking eruit ziet als.

0.5 = \frac{2}{4}

0.5mS = \frac{2mA}{4V}

0.5 = \frac{2}{4}

Tip: Gebruik het potloodpictogram ( Pencil

) hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Berekenen

Herbereken

Oplossing

Kopiëren

resetten

Deel

Je bent hier -

Thuis » Category

Engineering » Category

Elektronica » Category

Analoge elektronica » fx MOSFET-transconductantie

MOSFET-transconductantie Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van MOSFET-transconductantie?

Eerste stap Overweeg de formule

g m = \frac{ΔI d}{V gs}

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

g m = \frac{2mA}{4V}

Volgende stap Eenheden converteren

∴

g m = \frac{0.002A}{4V}

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

g m = \frac{0.002}{4}

Volgende stap Evalueer

∴

g m = 0.0005S

Laatste stap Converteren naar de eenheid van uitvoer

∴

g m = 0.5mS

MOSFET-transconductantie Formule Elementen

Variabelen

Transconductantie

Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding van de verandering in de uitgangsstroom tot de verandering in de ingangsspanning, waarbij de poort-bronspanning constant wordt gehouden.

Symbool: g_m

Meting: Elektrische geleidingEenheid: mS

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Transconductantie te vinden

Verandering in afvoerstroom

Verandering in afvoerstroom geeft de verandering in stroomgeleidingsvermogen van de siliciumchip aan; het kan als leidraad worden gebruikt bij het vergelijken van verschillende apparaten.

Symbool: ΔI_d

Meting: Elektrische stroomEenheid: mA

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Verandering in afvoerstroom te vinden

Gate-bronspanning

Gate-source-spanning is een kritische parameter die de werking van een FET beïnvloedt, en wordt vaak gebruikt om het gedrag van het apparaat te regelen.

Symbool: V_gs

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Gate-bronspanning te vinden

Andere formules om Transconductantie te vinden

Gan Transconductantie gegeven afvoerstroom

g m = \sqrt{2 \cdot k' n \cdot WL \cdot i d}

Gan Transconductantie gegeven procestransconductantieparameter

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

Gan Transconductantie met behulp van Process Transconductance Parameter en Overdrive Voltage

g m = k' n \cdot WL \cdot V ov

Gan MOSFET Transconductantie gegeven Transconductance Parameter:

g m = k n \cdot (V gs - V th)

Bekijk meer OpenImg

Andere formules in de categorie Transconductantie

Gan Stroom afvoeren met behulp van transconductantie

i d = (V ov) \cdot \frac{g m}{2}

Gan Procestransconductantie gegeven Transconductantie en afvoerstroom

k' n = \frac{{g m}^{2}}{2 \cdot WL \cdot i d}

Gan MOSFET-transconductantie met behulp van Process Transconductance-parameter

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

Gan MOSFET-transconductantie met behulp van procestransconductantieparameter en overdrive-spanning

k' n = \frac{g m}{WL \cdot V ov}

Bekijk meer OpenImg

Hoe MOSFET-transconductantie evalueren?

De beoordelaar van MOSFET-transconductantie gebruikt Transconductance = Verandering in afvoerstroom/Gate-bronspanning om de Transconductantie, De MOSFET-transconductantie is de verandering in de drainstroom gedeeld door de kleine verandering in de gate/source-spanning bij een constante drain/source-spanning, te evalueren. Transconductantie wordt aangegeven met het symbool g_m.

Hoe kan ik MOSFET-transconductantie evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor MOSFET-transconductantie te gebruiken, voert u Verandering in afvoerstroom (ΔI_d) & Gate-bronspanning (V_gs) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op MOSFET-transconductantie

Wat is de formule om MOSFET-transconductantie te vinden?

De formule van MOSFET-transconductantie wordt uitgedrukt als Transconductance = Verandering in afvoerstroom/Gate-bronspanning. Hier is een voorbeeld: 500 = 0.002/4.

Hoe bereken je MOSFET-transconductantie?

Met Verandering in afvoerstroom (ΔI_d) & Gate-bronspanning (V_gs) kunnen we MOSFET-transconductantie vinden met behulp van de formule - Transconductance = Verandering in afvoerstroom/Gate-bronspanning.

Wat zijn de andere manieren om Transconductantie te berekenen?

Hier zijn de verschillende manieren om Transconductantie-

Transconductance=sqrt(2*Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Drain Current)
Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)
Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Overdrive Voltage

te berekenen

Kan de MOSFET-transconductantie negatief zijn?

Ja, de MOSFET-transconductantie, gemeten in Elektrische geleiding kan moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om MOSFET-transconductantie te meten?

MOSFET-transconductantie wordt meestal gemeten met de Millisiemens[mS] voor Elektrische geleiding. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] zijn de weinige andere eenheden waarin MOSFET-transconductantie kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Waarde
: Eenheid