FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

Maximale uitputtingsdiepte Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

Maximale uitputtingsdiepte verwijst naar de maximale mate waarin het uitputtingsgebied zich onder bepaalde bedrijfsomstandigheden in het halfgeleidermateriaal van het apparaat uitstrekt. Controleer FAQs

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dm - Maximale uitputtingsdiepte?Φ_f - Bulk Fermi-potentieel?N_A - Dopingconcentratie van acceptor?[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium?[Charge-e] - Lading van elektron?

Maximale uitputtingsdiepte Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Maximale uitputtingsdiepte-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Maximale uitputtingsdiepte-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Maximale uitputtingsdiepte-vergelijking eruit ziet als.

7.4E+6 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

7.4E+6m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

7.4E+6 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

Tip: Gebruik het potloodpictogram ( Pencil

) hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Berekenen

Herbereken

Oplossing

Kopiëren

resetten

Deel

Je bent hier -

Thuis » Category

Engineering » Category

Elektronica » Category

Analoge elektronica » fx Maximale uitputtingsdiepte

Maximale uitputtingsdiepte Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Maximale uitputtingsdiepte?

Eerste stap Overweeg de formule

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

Volgende stap Vervang de waarden van constanten

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

Volgende stap Eenheden converteren

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

Volgende stap Evalueer

∴

x dm = 7437907.45302539m

Laatste stap Afrondingsantwoord

∴

x dm = 7.4E+6m

Maximale uitputtingsdiepte Formule Elementen

Variabelen

Constanten

Functies

Maximale uitputtingsdiepte

Maximale uitputtingsdiepte verwijst naar de maximale mate waarin het uitputtingsgebied zich onder bepaalde bedrijfsomstandigheden in het halfgeleidermateriaal van het apparaat uitstrekt.

Symbool: x_dm

Meting: LengteEenheid: m

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Maximale uitputtingsdiepte te vinden

Bulk Fermi-potentieel

Bulk Fermi Potential is een parameter die de elektrostatische potentiaal in de bulk (binnenkant) van een halfgeleidermateriaal beschrijft.

Symbool: Φ_f

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Bulk Fermi-potentieel te vinden

Dopingconcentratie van acceptor

Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.

Symbool: N_A

Meting: ElektronendichtheidEenheid: electrons/cm³

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Dopingconcentratie van acceptor te vinden

Permittiviteit van silicium

De permittiviteit van silicium meet het vermogen ervan om elektrische energie op te slaan in een elektrisch veld, wat essentieel is in de halfgeleidertechnologie.

Symbool: [Permitivity-silicon]

Waarde: 11.7

Lading van elektron

De lading van een elektron is een fundamentele fysische constante, die de elektrische lading vertegenwoordigt die wordt gedragen door een elektron, het elementaire deeltje met een negatieve elektrische lading.

Symbool: [Charge-e]

Waarde: 1.60217662E-19 C

sqrt

Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert.

Syntaxis: sqrt(Number)

modulus

De modulus van een getal is de rest als dat getal gedeeld wordt door een ander getal.

Syntaxis: modulus

Andere formules in de categorie MOS-transistor

Gan Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

C jsw = C j0sw \cdot x j

Gan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Gan Fermi-potentieel voor P-type

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Gan Equivalentiefactor voor zijwandspanning

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

Bekijk meer OpenImg

Hoe Maximale uitputtingsdiepte evalueren?

De beoordelaar van Maximale uitputtingsdiepte gebruikt Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Bulk Fermi-potentieel))/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor)) om de Maximale uitputtingsdiepte, De formule voor maximale uitputtingsdiepte wordt gedefinieerd als de maximale mate waarin het uitputtingsgebied zich onder bepaalde bedrijfsomstandigheden in het halfgeleidermateriaal van het apparaat uitstrekt, te evalueren. Maximale uitputtingsdiepte wordt aangegeven met het symbool x_dm.

Hoe kan ik Maximale uitputtingsdiepte evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Maximale uitputtingsdiepte te gebruiken, voert u Bulk Fermi-potentieel (Φ_f) & Dopingconcentratie van acceptor (N_A) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Maximale uitputtingsdiepte

Wat is de formule om Maximale uitputtingsdiepte te vinden?

De formule van Maximale uitputtingsdiepte wordt uitgedrukt als Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Bulk Fermi-potentieel))/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor)). Hier is een voorbeeld: 7.4E+6 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*0.25))/([Charge-e]*1320000)).

Hoe bereken je Maximale uitputtingsdiepte?

Met Bulk Fermi-potentieel (Φ_f) & Dopingconcentratie van acceptor (N_A) kunnen we Maximale uitputtingsdiepte vinden met behulp van de formule - Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Bulk Fermi-potentieel))/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor)). Deze formule gebruikt ook de functie(s) van Permittiviteit van silicium, Lading van elektron constante(n) en , Vierkantswortel (sqrt), Modulus (weerstand).

Kan de Maximale uitputtingsdiepte negatief zijn?

Nee, de Maximale uitputtingsdiepte, gemeten in Lengte kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Maximale uitputtingsdiepte te meten?

Maximale uitputtingsdiepte wordt meestal gemeten met de Meter[m] voor Lengte. Millimeter[m], Kilometer[m], decimeter[m] zijn de weinige andere eenheden waarin Maximale uitputtingsdiepte kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Waarde
: Eenheid

Maximale uitputtingsdiepte Formule

Maximale uitputtingsdiepte Voorbeeld

Maximale uitputtingsdiepte Oplossing

Maximale uitputtingsdiepte Formule Elementen

Andere formules in de categorie MOS-transistor

Hoe Maximale uitputtingsdiepte evalueren?

FAQs op Maximale uitputtingsdiepte

Variable Name