Maximale doteringsconcentratie Formule

Fx Kopiëren
LaTeX Kopiëren
Maximale doteerstofconcentratie beschrijft hoe de concentratie van doteerstofatomen in een halfgeleidermateriaal exponentieel afneemt bij toenemende temperatuur. Controleer FAQs
Cs=Coexp(-Es[BoltZ]Ta)
Cs - Maximale doteringsconcentratie?Co - Referentieconcentratie?Es - Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen?Ta - Absolute temperatuur?[BoltZ] - Boltzmann-constante?

Maximale doteringsconcentratie Voorbeeld

Met waarden
Met eenheden
Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Maximale doteringsconcentratie-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Maximale doteringsconcentratie-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Maximale doteringsconcentratie-vergelijking eruit ziet als.

4.9E-9Edit=0.005Editexp(-1E-23Edit1.4E-2324.5Edit)
Kopiëren
resetten
Deel
Je bent hier -
HomeIcon Thuis » Category Engineering » Category Elektronica » Category Geïntegreerde schakelingen (IC) » fx Maximale doteringsconcentratie

Maximale doteringsconcentratie Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Maximale doteringsconcentratie?

Eerste stap Overweeg de formule
Cs=Coexp(-Es[BoltZ]Ta)
Volgende stap Vervang waarden van variabelen
Cs=0.005exp(-1E-23J[BoltZ]24.5K)
Volgende stap Vervang de waarden van constanten
Cs=0.005exp(-1E-23J1.4E-23J/K24.5K)
Volgende stap Bereid je voor om te evalueren
Cs=0.005exp(-1E-231.4E-2324.5)
Volgende stap Evalueer
Cs=0.00485434780101741electrons/m³
Volgende stap Converteren naar de eenheid van uitvoer
Cs=4.85434780101741E-09electrons/cm³
Laatste stap Afrondingsantwoord
Cs=4.9E-9electrons/cm³

Maximale doteringsconcentratie Formule Elementen

Variabelen
Constanten
Functies
Maximale doteringsconcentratie
Maximale doteerstofconcentratie beschrijft hoe de concentratie van doteerstofatomen in een halfgeleidermateriaal exponentieel afneemt bij toenemende temperatuur.
Symbool: Cs
Meting: ElektronendichtheidEenheid: electrons/cm³
Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.
Referentieconcentratie
Referentieconcentratie verwijst naar een constante die dient als referentie- of basislijnconcentratie.
Symbool: Co
Meting: NAEenheid: Unitless
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen
Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen is een parameter die de energiebarrière karakteriseert voor het opnemen van doteringsatomen in het kristalrooster van een halfgeleidermateriaal.
Symbool: Es
Meting: EnergieEenheid: J
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Absolute temperatuur
Absolute temperatuur is een maatstaf voor de thermische energie in een systeem en wordt gemeten in Kelvin.
Symbool: Ta
Meting: TemperatuurEenheid: K
Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.
Boltzmann-constante
De constante van Boltzmann relateert de gemiddelde kinetische energie van deeltjes in een gas aan de temperatuur van het gas en is een fundamentele constante in de statistische mechanica en thermodynamica.
Symbool: [BoltZ]
Waarde: 1.38064852E-23 J/K
exp
In een exponentiële functie verandert de waarde van de functie met een constante factor voor elke eenheidsverandering in de onafhankelijke variabele.
Syntaxis: exp(Number)

Andere formules in de categorie MOS IC-fabricage

​Gan Lichaamseffect in MOSFET
Vt=Vth+γ(2Φf+Vbs-2Φf)
​Gan MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie
ft=gmCgs+Cgd
​Gan Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied
Id=β2(Vgs-Vth)2(1+λiVds)
​Gan Kanaal weerstand
Rch=LtWt1μnQon

Hoe Maximale doteringsconcentratie evalueren?

De beoordelaar van Maximale doteringsconcentratie gebruikt Maximum Dopant Concentration = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur)) om de Maximale doteringsconcentratie, De maximale doteerstofconcentratie verwijst naar de hoogst haalbare concentratie doteerstofatomen die tijdens het doteringsproces in een halfgeleidermateriaal kan worden geïntroduceerd. Doping is een gangbare praktijk bij de productie van halfgeleiders, waarbij opzettelijk onzuiverheidsatomen, doteermiddelen genaamd, worden toegevoegd om de elektrische eigenschappen van het materiaal te veranderen, te evalueren. Maximale doteringsconcentratie wordt aangegeven met het symbool Cs.

Hoe kan ik Maximale doteringsconcentratie evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Maximale doteringsconcentratie te gebruiken, voert u Referentieconcentratie (Co), Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen (Es) & Absolute temperatuur (Ta) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Maximale doteringsconcentratie

Wat is de formule om Maximale doteringsconcentratie te vinden?
De formule van Maximale doteringsconcentratie wordt uitgedrukt als Maximum Dopant Concentration = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur)). Hier is een voorbeeld: 0.004854 = 0.005*exp(-1E-23/([BoltZ]*24.5)).
Hoe bereken je Maximale doteringsconcentratie?
Met Referentieconcentratie (Co), Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen (Es) & Absolute temperatuur (Ta) kunnen we Maximale doteringsconcentratie vinden met behulp van de formule - Maximum Dopant Concentration = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur)). Deze formule gebruikt ook de functie(s) van Boltzmann-constante en Exponentiële groei (exp).
Kan de Maximale doteringsconcentratie negatief zijn?
Ja, de Maximale doteringsconcentratie, gemeten in Elektronendichtheid kan moet negatief zijn.
Welke eenheid wordt gebruikt om Maximale doteringsconcentratie te meten?
Maximale doteringsconcentratie wordt meestal gemeten met de Elektronen per kubieke centimeter[electrons/cm³] voor Elektronendichtheid. Elektronen per kubieke meter[electrons/cm³] zijn de weinige andere eenheden waarin Maximale doteringsconcentratie kan worden gemeten.
Copied!