FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

Lichaamseffect in NMOS Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

Veranderingen in de drempelspanning kunnen worden veroorzaakt door verschillende factoren, waaronder veranderingen in temperatuur, blootstelling aan straling en veroudering. Controleer FAQs

ΔV th = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

ΔV_th - Verandering in drempelspanning?V_T - Drempelspanning?γ - Fabricageprocesparameter?φ_f - Fysieke parameters?V_SB - Spanning tussen Lichaam en Bron?

Lichaamseffect in NMOS Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Lichaamseffect in NMOS-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Lichaamseffect in NMOS-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Lichaamseffect in NMOS-vergelijking eruit ziet als.

37.2244 = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

37.2244V = 1.82V + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13V + 1.8V} - \sqrt{2 \cdot 13V})

37.2244 = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

Tip: Gebruik het potloodpictogram ( Pencil

) hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Berekenen

Herbereken

Oplossing

Kopiëren

resetten

Deel

Je bent hier -

Thuis » Category

Engineering » Category

Elektronica » Category

Analoge elektronica » fx Lichaamseffect in NMOS

Lichaamseffect in NMOS Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Lichaamseffect in NMOS?

Eerste stap Overweeg de formule

ΔV th = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

ΔV th = 1.82V + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13V + 1.8V} - \sqrt{2 \cdot 13V})

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

ΔV th = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

Volgende stap Evalueer

∴

ΔV th = 37.2244074665399V

Laatste stap Afrondingsantwoord

∴

ΔV th = 37.2244V

Lichaamseffect in NMOS Formule Elementen

Variabelen

Functies

Verandering in drempelspanning

Veranderingen in de drempelspanning kunnen worden veroorzaakt door verschillende factoren, waaronder veranderingen in temperatuur, blootstelling aan straling en veroudering.

Symbool: ΔV_th

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Verandering in drempelspanning te vinden

Drempelspanning

Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.

Symbool: V_T

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Drempelspanning te vinden

Fabricageprocesparameter

De fabricageprocesparameter is het proces dat begint met de oxidatie van siliciumsubstraat waarbij een relatief dikke oxidelaag op het oppervlak wordt afgezet.

Symbool: γ

Meting: NAEenheid: Unitless

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Fabricageprocesparameter te vinden

Fysieke parameters

Fysieke parameters kunnen worden gebruikt om de toestand van een fysiek systeem te beschrijven, of om de manier te karakteriseren waarop het systeem reageert op verschillende stimuli of invoer.

Symbool: φ_f

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Fysieke parameters te vinden

Spanning tussen Lichaam en Bron

De spanning tussen lichaam en bron is belangrijk omdat deze een effect kan hebben op de veilige werking van elektronische apparaten.

Symbool: V_SB

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Spanning tussen Lichaam en Bron te vinden

sqrt

Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert.

Syntaxis: sqrt(Number)

Andere formules in de categorie N-kanaalverbetering

Gan Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor

v d = μ n \cdot E L

Gan NMOS als lineaire weerstand

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Gan Huidige ingangsafvoeraansluiting van NMOS gegeven poortbronspanning

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

Gan Huidige binnenkomende afvoerbron in triodegebied van NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Bekijk meer OpenImg

Hoe Lichaamseffect in NMOS evalueren?

De beoordelaar van Lichaamseffect in NMOS gebruikt Change in Threshold Voltage = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters)) om de Verandering in drempelspanning, Het body-effect in NMOS verwijst naar de verandering in de transistordrempelspanning als gevolg van een spanningsverschil tussen de transistorbron en het lichaam, te evalueren. Verandering in drempelspanning wordt aangegeven met het symbool ΔV_th.

Hoe kan ik Lichaamseffect in NMOS evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Lichaamseffect in NMOS te gebruiken, voert u Drempelspanning (V_T), Fabricageprocesparameter (γ), Fysieke parameters (φ_f) & Spanning tussen Lichaam en Bron (V_SB) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Lichaamseffect in NMOS

Wat is de formule om Lichaamseffect in NMOS te vinden?

De formule van Lichaamseffect in NMOS wordt uitgedrukt als Change in Threshold Voltage = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters)). Hier is een voorbeeld: 37.22441 = 1.82+204*(sqrt(2*13+1.8)-sqrt(2*13)).

Hoe bereken je Lichaamseffect in NMOS?

Met Drempelspanning (V_T), Fabricageprocesparameter (γ), Fysieke parameters (φ_f) & Spanning tussen Lichaam en Bron (V_SB) kunnen we Lichaamseffect in NMOS vinden met behulp van de formule - Change in Threshold Voltage = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters)). Deze formule gebruikt ook de functie(s) van Vierkantswortelfunctie.

Kan de Lichaamseffect in NMOS negatief zijn?

Ja, de Lichaamseffect in NMOS, gemeten in Elektrisch potentieel kan moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Lichaamseffect in NMOS te meten?

Lichaamseffect in NMOS wordt meestal gemeten met de Volt[V] voor Elektrisch potentieel. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] zijn de weinige andere eenheden waarin Lichaamseffect in NMOS kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Waarde
: Eenheid

Lichaamseffect in NMOS Formule

Lichaamseffect in NMOS Voorbeeld

Lichaamseffect in NMOS Oplossing

Lichaamseffect in NMOS Formule Elementen

Andere formules in de categorie N-kanaalverbetering

Hoe Lichaamseffect in NMOS evalueren?

FAQs op Lichaamseffect in NMOS

Variable Name