FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

Lichaamseffect bij PMOS Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

Veranderingen in de drempelspanning kunnen worden veroorzaakt door verschillende factoren, waaronder veranderingen in temperatuur, blootstelling aan straling en veroudering. Controleer FAQs

ΔV t = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

ΔV_t - Verandering in drempelspanning?V_T - Drempelspanning?γ - Fabricageprocesparameter?φ_f - Fysieke parameters?V_SB - Spanning tussen Lichaam en Bron?

Lichaamseffect bij PMOS Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Lichaamseffect bij PMOS-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Lichaamseffect bij PMOS-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Lichaamseffect bij PMOS-vergelijking eruit ziet als.

1.6005 = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

1.6005V = 0.7V + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6V + 10V} - \sqrt{2 \cdot 0.6V})

1.6005 = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

Tip: Gebruik het potloodpictogram ( Pencil

) hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Berekenen

Herbereken

Oplossing

Kopiëren

resetten

Deel

Je bent hier -

Thuis » Category

Engineering » Category

Elektronica » Category

Analoge elektronica » fx Lichaamseffect bij PMOS

Lichaamseffect bij PMOS Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Lichaamseffect bij PMOS?

Eerste stap Overweeg de formule

ΔV t = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

ΔV t = 0.7V + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6V + 10V} - \sqrt{2 \cdot 0.6V})

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

ΔV t = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

Volgende stap Evalueer

∴

ΔV t = 1.60047799645039V

Laatste stap Afrondingsantwoord

∴

ΔV t = 1.6005V

Lichaamseffect bij PMOS Formule Elementen

Variabelen

Functies

Verandering in drempelspanning

Veranderingen in de drempelspanning kunnen worden veroorzaakt door verschillende factoren, waaronder veranderingen in temperatuur, blootstelling aan straling en veroudering.

Symbool: ΔV_t

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Verandering in drempelspanning te vinden

Drempelspanning

Drempelspanning, ook wel poortdrempelspanning of gewoon Vth genoemd, is een kritieke parameter bij de werking van veldeffecttransistors, die fundamentele componenten zijn in moderne elektronica.

Symbool: V_T

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Drempelspanning te vinden

Fabricageprocesparameter

De fabricageprocesparameter is het proces dat begint met de oxidatie van siliciumsubstraat waarbij een relatief dikke oxidelaag op het oppervlak wordt afgezet.

Symbool: γ

Meting: NAEenheid: Unitless

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Fabricageprocesparameter te vinden

Fysieke parameters

Fysieke parameters kunnen worden gebruikt om de toestand van een fysiek systeem te beschrijven, of om de manier te karakteriseren waarop het systeem reageert op verschillende stimuli of invoer.

Symbool: φ_f

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Fysieke parameters te vinden

Spanning tussen Lichaam en Bron

De spanning tussen lichaam en bron is belangrijk omdat deze een effect kan hebben op de veilige werking van elektronische apparaten.

Symbool: V_SB

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Spanning tussen Lichaam en Bron te vinden

sqrt

Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert.

Syntaxis: sqrt(Number)

Andere formules in de categorie P Kanaalverbetering

Gan Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Gan Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor gegeven Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Gan Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Gan Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Bekijk meer OpenImg

Hoe Lichaamseffect bij PMOS evalueren?

De beoordelaar van Lichaamseffect bij PMOS gebruikt Change in Threshold Voltage = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters)) om de Verandering in drempelspanning, Het Body-effect in PMOS verwijst naar de verandering in de drempelspanning van de transistor (V, te evalueren. Verandering in drempelspanning wordt aangegeven met het symbool ΔV_t.

Hoe kan ik Lichaamseffect bij PMOS evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Lichaamseffect bij PMOS te gebruiken, voert u Drempelspanning (V_T), Fabricageprocesparameter (γ), Fysieke parameters (φ_f) & Spanning tussen Lichaam en Bron (V_SB) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Lichaamseffect bij PMOS

Wat is de formule om Lichaamseffect bij PMOS te vinden?

De formule van Lichaamseffect bij PMOS wordt uitgedrukt als Change in Threshold Voltage = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters)). Hier is een voorbeeld: 1.600478 = 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6)).

Hoe bereken je Lichaamseffect bij PMOS?

Met Drempelspanning (V_T), Fabricageprocesparameter (γ), Fysieke parameters (φ_f) & Spanning tussen Lichaam en Bron (V_SB) kunnen we Lichaamseffect bij PMOS vinden met behulp van de formule - Change in Threshold Voltage = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters)). Deze formule gebruikt ook de functie(s) van Vierkantswortel (sqrt).

Kan de Lichaamseffect bij PMOS negatief zijn?

Nee, de Lichaamseffect bij PMOS, gemeten in Elektrisch potentieel kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Lichaamseffect bij PMOS te meten?

Lichaamseffect bij PMOS wordt meestal gemeten met de Volt[V] voor Elektrisch potentieel. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] zijn de weinige andere eenheden waarin Lichaamseffect bij PMOS kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Waarde
: Eenheid

Lichaamseffect bij PMOS Formule

Lichaamseffect bij PMOS Voorbeeld

Lichaamseffect bij PMOS Oplossing

Lichaamseffect bij PMOS Formule Elementen

Andere formules in de categorie P Kanaalverbetering

Hoe Lichaamseffect bij PMOS evalueren?

FAQs op Lichaamseffect bij PMOS

Variable Name