FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

De dichtheid van de uitputtingslaagkosten is het bedrag van deze vaste kosten per oppervlakte-eenheid binnen het uitputtingsgebied. Controleer FAQs

Q d = (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (Φ s - Φ f)})

Q_d - Dichtheid van de lading van de uitputtingslaag?N_A - Dopingconcentratie van acceptor?Φ_s - Oppervlaktepotentieel?Φ_f - Bulk Fermi-potentieel?[Charge-e] - Lading van elektron?[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium?

Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied-vergelijking eruit ziet als.

1.6E-6 = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78 - 0.25)})

1.6E-6electrons/m³ = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78V - 0.25V)})

1.6E-6 = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78 - 0.25)})

Tip: Gebruik het potloodpictogram ( Pencil

) hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Berekenen

Herbereken

Oplossing

Kopiëren

resetten

Deel

Je bent hier -

Thuis » Category

Engineering » Category

Elektronica » Category

Analoge elektronica » fx Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied

Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied?

Eerste stap Overweeg de formule

Q d = (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (Φ s - Φ f)})

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

Q d = (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78V - 0.25V)})

Volgende stap Vervang de waarden van constanten

∴

Q d = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78V - 0.25V)})

Volgende stap Eenheden converteren

∴

Q d = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6electrons/m³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78V - 0.25V)})

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

Q d = (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6 \cdot mod \underset{̲}{u} s (0.78 - 0.25)})

Volgende stap Evalueer

∴

Q d = 1.61952637096272E-06electrons/m³

Laatste stap Afrondingsantwoord

∴

Q d = 1.6E-6electrons/m³

Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied Formule Elementen

Variabelen

Constanten

Functies

Dichtheid van de lading van de uitputtingslaag

De dichtheid van de uitputtingslaagkosten is het bedrag van deze vaste kosten per oppervlakte-eenheid binnen het uitputtingsgebied.

Symbool: Q_d

Meting: ElektronendichtheidEenheid: electrons/m³

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Dichtheid van de lading van de uitputtingslaag te vinden

Dopingconcentratie van acceptor

Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.

Symbool: N_A

Meting: ElektronendichtheidEenheid: electrons/cm³

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Dopingconcentratie van acceptor te vinden

Oppervlaktepotentieel

Oppervlaktepotentiaal is de elektrische potentiaal aan het oppervlak van de halfgeleider, met name op het grensvlak tussen de halfgeleider en de isolator.

Symbool: Φ_s

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Oppervlaktepotentieel te vinden

Bulk Fermi-potentieel

Bulk Fermi Potential is een parameter die de elektrostatische potentiaal in de bulk (binnenkant) van een halfgeleidermateriaal beschrijft.

Symbool: Φ_f

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Bulk Fermi-potentieel te vinden

Lading van elektron

De lading van een elektron is een fundamentele fysische constante, die de elektrische lading vertegenwoordigt die wordt gedragen door een elektron, het elementaire deeltje met een negatieve elektrische lading.

Symbool: [Charge-e]

Waarde: 1.60217662E-19 C

Permittiviteit van silicium

De permittiviteit van silicium meet het vermogen ervan om elektrische energie op te slaan in een elektrisch veld, wat essentieel is in de halfgeleidertechnologie.

Symbool: [Permitivity-silicon]

Waarde: 11.7

sqrt

Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert.

Syntaxis: sqrt(Number)

modulus

De modulus van een getal is de rest als dat getal gedeeld wordt door een ander getal.

Syntaxis: modulus

Andere formules in de categorie MOS-transistor

Gan Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

C jsw = C j0sw \cdot x j

Gan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Gan Fermi-potentieel voor P-type

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Gan Equivalentiefactor voor zijwandspanning

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

Bekijk meer OpenImg

Hoe Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied evalueren?

De beoordelaar van Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied gebruikt Density of Depletion Layer Charge = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor*modulus(Oppervlaktepotentieel-Bulk Fermi-potentieel))) om de Dichtheid van de lading van de uitputtingslaag, De formule voor de ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied wordt gedefinieerd als het bedrag van de vaste kosten per oppervlakte-eenheid binnen het uitputtingsgebied, te evalueren. Dichtheid van de lading van de uitputtingslaag wordt aangegeven met het symbool Q_d.

Hoe kan ik Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied te gebruiken, voert u Dopingconcentratie van acceptor (N_A), Oppervlaktepotentieel (Φ_s) & Bulk Fermi-potentieel (Φ_f) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied

Wat is de formule om Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied te vinden?

De formule van Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied wordt uitgedrukt als Density of Depletion Layer Charge = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor*modulus(Oppervlaktepotentieel-Bulk Fermi-potentieel))). Hier is een voorbeeld: 1.6E-6 = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(0.78-0.25))).

Hoe bereken je Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied?

Met Dopingconcentratie van acceptor (N_A), Oppervlaktepotentieel (Φ_s) & Bulk Fermi-potentieel (Φ_f) kunnen we Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied vinden met behulp van de formule - Density of Depletion Layer Charge = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingconcentratie van acceptor*modulus(Oppervlaktepotentieel-Bulk Fermi-potentieel))). Deze formule gebruikt ook de functie(s) van Lading van elektron, Permittiviteit van silicium constante(n) en , Vierkantswortel (sqrt), Modulus (weerstand).

Kan de Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied negatief zijn?

Ja, de Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied, gemeten in Elektronendichtheid kan moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied te meten?

Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied wordt meestal gemeten met de Elektronen per kubieke meter[electrons/m³] voor Elektronendichtheid. Elektronen per kubieke centimeter[electrons/m³] zijn de weinige andere eenheden waarin Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Waarde
: Eenheid

Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied Formule

Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied Voorbeeld

Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied Oplossing

Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied Formule Elementen

Andere formules in de categorie MOS-transistor

Hoe Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied evalueren?

FAQs op Ladingsdichtheid van het uitputtingsgebied

Variable Name