FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

Het diepte-uitputtingsgebied van de bron is het uitputtingsgebied dat zich vormt nabij de bronterminal wanneer een spanning wordt aangelegd op de poortterminal. Controleer FAQs

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot Φ o}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dS - Bron's diepte van de uitputtingsregio?Φ_o - Ingebouwd verbindingspotentieel?N_A - Dopingconcentratie van acceptor?[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium?[Charge-e] - Lading van elektron?

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron-vergelijking eruit ziet als.

1.5E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

1.5E+7m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2V}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

1.5E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

Tip: Gebruik het potloodpictogram ( Pencil

) hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Berekenen

Herbereken

Oplossing

Kopiëren

resetten

Deel

Je bent hier -

Thuis » Category

Engineering » Category

Elektronica » Category

Analoge elektronica » fx Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron?

Eerste stap Overweeg de formule

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot Φ o}{[Charge-e] \cdot N A}}

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 2V}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

Volgende stap Vervang de waarden van constanten

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2V}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

Volgende stap Eenheden converteren

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2V}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

Volgende stap Evalueer

∴

x dS = 14875814.9060508m

Laatste stap Afrondingsantwoord

∴

x dS = 1.5E+7m

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Formule Elementen

Variabelen

Constanten

Functies

Bron's diepte van de uitputtingsregio

Het diepte-uitputtingsgebied van de bron is het uitputtingsgebied dat zich vormt nabij de bronterminal wanneer een spanning wordt aangelegd op de poortterminal.

Symbool: x_dS

Meting: LengteEenheid: m

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Bron's diepte van de uitputtingsregio te vinden

Ingebouwd verbindingspotentieel

Ingebouwde junctiepotentiaal verwijst naar het potentiaalverschil of de spanning die bestaat over een halfgeleiderovergang wanneer deze niet is aangesloten op een externe spanningsbron.

Symbool: Φ_o

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Ingebouwd verbindingspotentieel te vinden

Dopingconcentratie van acceptor

Dopingconcentratie van acceptor verwijst naar de concentratie van acceptoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.

Symbool: N_A

Meting: ElektronendichtheidEenheid: electrons/cm³

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Dopingconcentratie van acceptor te vinden

Permittiviteit van silicium

De permittiviteit van silicium meet het vermogen ervan om elektrische energie op te slaan in een elektrisch veld, wat essentieel is in de halfgeleidertechnologie.

Symbool: [Permitivity-silicon]

Waarde: 11.7

Lading van elektron

De lading van een elektron is een fundamentele fysische constante, die de elektrische lading vertegenwoordigt die wordt gedragen door een elektron, het elementaire deeltje met een negatieve elektrische lading.

Symbool: [Charge-e]

Waarde: 1.60217662E-19 C

sqrt

Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert.

Syntaxis: sqrt(Number)

Andere formules in de categorie MOS-transistor

Gan Nul bias zijwandverbindingscapaciteit per lengte-eenheid

C jsw = C j0sw \cdot x j

Gan Equivalente grote signaalverbindingscapaciteit

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Gan Fermi-potentieel voor P-type

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

Gan Equivalentiefactor voor zijwandspanning

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

Bekijk meer OpenImg

Hoe Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron evalueren?

De beoordelaar van Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron gebruikt Source's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Ingebouwd verbindingspotentieel)/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor)) om de Bron's diepte van de uitputtingsregio, De formule voor de diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met de bron wordt gedefinieerd als: Het uitputtingsgebied vormt zich nabij de bronterminal wanneer een spanning wordt aangelegd op de poortterminal, te evalueren. Bron's diepte van de uitputtingsregio wordt aangegeven met het symbool x_dS.

Hoe kan ik Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron te gebruiken, voert u Ingebouwd verbindingspotentieel (Φ_o) & Dopingconcentratie van acceptor (N_A) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron

Wat is de formule om Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron te vinden?

De formule van Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron wordt uitgedrukt als Source's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Ingebouwd verbindingspotentieel)/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor)). Hier is een voorbeeld: 1.5E+7 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*1320000)).

Hoe bereken je Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron?

Met Ingebouwd verbindingspotentieel (Φ_o) & Dopingconcentratie van acceptor (N_A) kunnen we Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron vinden met behulp van de formule - Source's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Ingebouwd verbindingspotentieel)/([Charge-e]*Dopingconcentratie van acceptor)). Deze formule gebruikt ook de functie(s) van Permittiviteit van silicium, Lading van elektron constante(n) en Vierkantswortel (sqrt).

Kan de Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron negatief zijn?

Nee, de Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron, gemeten in Lengte kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron te meten?

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron wordt meestal gemeten met de Meter[m] voor Lengte. Millimeter[m], Kilometer[m], decimeter[m] zijn de weinige andere eenheden waarin Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Waarde
: Eenheid

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Formule

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Voorbeeld

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Oplossing

Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron Formule Elementen

Andere formules in de categorie MOS-transistor

Hoe Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron evalueren?

FAQs op Diepte van de uitputtingsregio geassocieerd met bron

Variable Name