FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

Concentratie van acceptordoteringsmiddel Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

Acceptor Doteringsconcentratie is de mobiliteit van ladingsdragers (in dit geval gaten) en de afmetingen van het halfgeleiderapparaat. Controleer FAQs

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot L t \cdot W t \cdot [Charge-e] \cdot μ p \cdot C dep}

N_a - Concentratie van acceptordoteringsmiddel?L_t - Lengte van de transistor?W_t - Transistorbreedte?μ_p - Gatenmobiliteit?C_dep - Capaciteit van de uitputtingslaag?[Charge-e] - Lading van elektron?π - De constante van Archimedes?

Concentratie van acceptordoteringsmiddel Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Concentratie van acceptordoteringsmiddel-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Concentratie van acceptordoteringsmiddel-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Concentratie van acceptordoteringsmiddel-vergelijking eruit ziet als.

1E+32 = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2 \cdot 5.5 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4}

1E+32electrons/m³ = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

1E+32 = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2 \cdot 5.5 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4}

Tip: Gebruik het potloodpictogram ( Pencil

) hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Berekenen

Herbereken

Oplossing

Kopiëren

resetten

Deel

Je bent hier -

Thuis » Category

Engineering » Category

Elektronica » Category

Geïntegreerde schakelingen (IC) » fx Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Concentratie van acceptordoteringsmiddel Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Concentratie van acceptordoteringsmiddel?

Eerste stap Overweeg de formule

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot L t \cdot W t \cdot [Charge-e] \cdot μ p \cdot C dep}

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot [Charge-e] \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

Volgende stap Vervang de waarden van constanten

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

Volgende stap Eenheden converteren

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2E-6m \cdot 5.5E-6m \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4E-6F}

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2E-6 \cdot 5.5E-6 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4E-6}

Volgende stap Evalueer

∴

N a = 1.00788050957133E+32electrons/m³

Laatste stap Afrondingsantwoord

∴

N a = 1E+32electrons/m³

Concentratie van acceptordoteringsmiddel Formule Elementen

Variabelen

Constanten

Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Acceptor Doteringsconcentratie is de mobiliteit van ladingsdragers (in dit geval gaten) en de afmetingen van het halfgeleiderapparaat.

Symbool: N_a

Meting: ElektronendichtheidEenheid: electrons/m³

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Concentratie van acceptordoteringsmiddel te vinden

Lengte van de transistor

Transistorlengte verwijst naar de lengte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.

Symbool: L_t

Meting: LengteEenheid: μm

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Lengte van de transistor te vinden

Transistorbreedte

Transistorbreedte verwijst naar de breedte van het kanaalgebied in een MOSFET. Deze dimensie speelt een cruciale rol bij het bepalen van de elektrische kenmerken en prestaties van de transistor.

Symbool: W_t

Meting: LengteEenheid: μm

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Transistorbreedte te vinden

Gatenmobiliteit

Hole Mobility vertegenwoordigt het vermogen van deze ladingsdragers om te bewegen als reactie op een elektrisch veld.

Symbool: μ_p

Meting: MobiliteitEenheid: m²/V*s

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Gatenmobiliteit te vinden

Capaciteit van de uitputtingslaag

De capaciteit van de depletielaag per oppervlakte-eenheid is de capaciteit van de depletielaag per oppervlakte-eenheid.

Symbool: C_dep

Meting: CapaciteitEenheid: μF

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Capaciteit van de uitputtingslaag te vinden

Lading van elektron

De lading van een elektron is een fundamentele fysische constante, die de elektrische lading vertegenwoordigt die wordt gedragen door een elektron, het elementaire deeltje met een negatieve elektrische lading.

Symbool: [Charge-e]

Waarde: 1.60217662E-19 C

De constante van Archimedes

De constante van Archimedes is een wiskundige constante die de verhouding weergeeft tussen de omtrek van een cirkel en zijn diameter.

Symbool: π

Waarde: 3.14159265358979323846264338327950288

Andere formules in de categorie MOS IC-fabricage

Gan Lichaamseffect in MOSFET

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

Gan MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

Gan Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

Gan Kanaal weerstand

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

Bekijk meer OpenImg

Hoe Concentratie van acceptordoteringsmiddel evalueren?

De beoordelaar van Concentratie van acceptordoteringsmiddel gebruikt Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag) om de Concentratie van acceptordoteringsmiddel, De formule voor de acceptordoteringsconcentratie wordt gedefinieerd als de concentratie van acceptoratomen per volume-eenheid. Het verwijst naar de concentratie van doteringsatomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal worden toegevoegd om een overmaat aan positief geladen "gaten" in het kristalrooster te creëren, te evalueren. Concentratie van acceptordoteringsmiddel wordt aangegeven met het symbool N_a.

Hoe kan ik Concentratie van acceptordoteringsmiddel evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Concentratie van acceptordoteringsmiddel te gebruiken, voert u Lengte van de transistor (L_t), Transistorbreedte (W_t), Gatenmobiliteit (μ_p) & Capaciteit van de uitputtingslaag (C_dep) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Wat is de formule om Concentratie van acceptordoteringsmiddel te vinden?

De formule van Concentratie van acceptordoteringsmiddel wordt uitgedrukt als Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag). Hier is een voorbeeld: 1E+32 = 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06).

Hoe bereken je Concentratie van acceptordoteringsmiddel?

Met Lengte van de transistor (L_t), Transistorbreedte (W_t), Gatenmobiliteit (μ_p) & Capaciteit van de uitputtingslaag (C_dep) kunnen we Concentratie van acceptordoteringsmiddel vinden met behulp van de formule - Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag). Deze formule gebruikt ook Lading van elektron, De constante van Archimedes .

Kan de Concentratie van acceptordoteringsmiddel negatief zijn?

Nee, de Concentratie van acceptordoteringsmiddel, gemeten in Elektronendichtheid kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Concentratie van acceptordoteringsmiddel te meten?

Concentratie van acceptordoteringsmiddel wordt meestal gemeten met de Elektronen per kubieke meter[electrons/m³] voor Elektronendichtheid. Elektronen per kubieke centimeter[electrons/m³] zijn de weinige andere eenheden waarin Concentratie van acceptordoteringsmiddel kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Waarde
: Eenheid

Concentratie van acceptordoteringsmiddel Formule

Concentratie van acceptordoteringsmiddel Voorbeeld

Concentratie van acceptordoteringsmiddel Oplossing

Concentratie van acceptordoteringsmiddel Formule Elementen

Andere formules in de categorie MOS IC-fabricage

Hoe Concentratie van acceptordoteringsmiddel evalueren?

FAQs op Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Variable Name