FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

Collector-basiscapaciteit Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

De collectorbasiscapaciteit is eenvoudigweg de capaciteit van de collector-basisovergang, inclusief zowel het vlakke bodemgedeelte van de kruising als de zijwanden. Controleer FAQs

C cb = A \cdot \sqrt{\frac{q \cdot ε \cdot N b}{2 \cdot (ψ o + V rb)}}

C_cb - Collectorbasiscapaciteit?A - Zenderbasisverbindingsgebied?q - Aanval?ε - Permittiviteit?N_b - Dopingdichtheid?ψ_o - Ingebouwd potentieel?V_rb - Omgekeerde bias-verbinding?

Collector-basiscapaciteit Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Collector-basiscapaciteit-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Collector-basiscapaciteit-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Collector-basiscapaciteit-vergelijking eruit ziet als.

138.6693 = 1.75 \cdot \sqrt{\frac{5 \cdot 71 \cdot 26}{2 \cdot (4.8 + 2.55)}}

138.6693μF = 1.75cm² \cdot \sqrt{\frac{5mC \cdot 71F/m \cdot 26electrons/m³}{2 \cdot (4.8V + 2.55A)}}

138.6693 = 1.75 \cdot \sqrt{\frac{5 \cdot 71 \cdot 26}{2 \cdot (4.8 + 2.55)}}

Tip: Gebruik het potloodpictogram ( Pencil

) hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Berekenen

Herbereken

Oplossing

Kopiëren

resetten

Deel

Je bent hier -

Thuis » Category

Engineering » Category

Elektronica » Category

Analoge elektronica » fx Collector-basiscapaciteit

Collector-basiscapaciteit Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Collector-basiscapaciteit?

Eerste stap Overweeg de formule

C cb = A \cdot \sqrt{\frac{q \cdot ε \cdot N b}{2 \cdot (ψ o + V rb)}}

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

C cb = 1.75cm² \cdot \sqrt{\frac{5mC \cdot 71F/m \cdot 26electrons/m³}{2 \cdot (4.8V + 2.55A)}}

Volgende stap Eenheden converteren

∴

C cb = 0.0002m² \cdot \sqrt{\frac{0.005C \cdot 71F/m \cdot 26electrons/m³}{2 \cdot (4.8V + 2.55A)}}

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

C cb = 0.0002 \cdot \sqrt{\frac{0.005 \cdot 71 \cdot 26}{2 \cdot (4.8 + 2.55)}}

Volgende stap Evalueer

∴

C cb = 0.000138669270808881F

Volgende stap Converteren naar de eenheid van uitvoer

∴

C cb = 138.669270808881μF

Laatste stap Afrondingsantwoord

∴

C cb = 138.6693μF

Collector-basiscapaciteit Formule Elementen

Variabelen

Functies

Collectorbasiscapaciteit

De collectorbasiscapaciteit is eenvoudigweg de capaciteit van de collector-basisovergang, inclusief zowel het vlakke bodemgedeelte van de kruising als de zijwanden.

Symbool: C_cb

Meting: CapaciteitEenheid: μF

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Collectorbasiscapaciteit te vinden

Zenderbasisverbindingsgebied

Emitter Base Junction Area is een PN-overgang gevormd tussen het zwaar gedoteerde P-type materiaal (emitter) en het licht gedoteerde N-type materiaal (basis) van de transistor.

Symbool: A

Meting: GebiedEenheid: cm²

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Zenderbasisverbindingsgebied te vinden

Aanval

Lading Een kenmerk van een eenheid materie die uitdrukt in welke mate deze meer of minder elektronen heeft dan protonen.

Symbool: q

Meting: Elektrische ladingEenheid: mC

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Aanval te vinden

Permittiviteit

Permittiviteit is een fysieke eigenschap die beschrijft hoeveel weerstand een materiaal biedt tegen de vorming van een elektrisch veld daarin.

Symbool: ε

Meting: PermittiviteitEenheid: F/m

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Permittiviteit te vinden

Dopingdichtheid

Dopingdichtheid is een proces waarbij bepaalde onzuiverheidsatomen, zoals fosfor of boor, in de halfgeleider worden geïntroduceerd om de elektrische eigenschappen ervan te veranderen.

Symbool: N_b

Meting: ElektronendichtheidEenheid: electrons/m³

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Dopingdichtheid te vinden

Ingebouwd potentieel

Het ingebouwde potentieel beïnvloedt de grootte van het uitputtingsgebied, wat op zijn beurt de capaciteit van de junctie beïnvloedt.

Symbool: ψ_o

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Ingebouwd potentieel te vinden

Omgekeerde bias-verbinding

Reverse Bias Junction verwijst naar de toestand in een halfgeleiderapparaat, waarbij de over de junctie aangelegde spanning de normale stroom door het apparaat tegenwerkt.

Symbool: V_rb

Meting: Elektrische stroomEenheid: A

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Omgekeerde bias-verbinding te vinden

sqrt

Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert.

Syntaxis: sqrt(Number)

Andere formules in de categorie Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model

Gan Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT

Q n = 𝛕 F \cdot I c

Gan Klein-signaalverspreidingscapaciteit

C eb = 𝛕 F \cdot G m

Bekijk meer OpenImg

Hoe Collector-basiscapaciteit evalueren?

De beoordelaar van Collector-basiscapaciteit gebruikt Collector Base Capacitance = Zenderbasisverbindingsgebied*sqrt((Aanval*Permittiviteit*Dopingdichtheid)/(2*(Ingebouwd potentieel+Omgekeerde bias-verbinding))) om de Collectorbasiscapaciteit, De formule voor de collector-basiscapaciteit wordt gedefinieerd in een bipolaire junctie-transistor (BJT) en verwijst naar de capaciteit tussen de collector en de basisterminals van de transistor. Deze capaciteit ontstaat als gevolg van het uitputtingsgebied en de ladingsopslag in de transistor, te evalueren. Collectorbasiscapaciteit wordt aangegeven met het symbool C_cb.

Hoe kan ik Collector-basiscapaciteit evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Collector-basiscapaciteit te gebruiken, voert u Zenderbasisverbindingsgebied (A), Aanval (q), Permittiviteit (ε), Dopingdichtheid (N_b), Ingebouwd potentieel (ψ_o) & Omgekeerde bias-verbinding (V_rb) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Collector-basiscapaciteit

Wat is de formule om Collector-basiscapaciteit te vinden?

De formule van Collector-basiscapaciteit wordt uitgedrukt als Collector Base Capacitance = Zenderbasisverbindingsgebied*sqrt((Aanval*Permittiviteit*Dopingdichtheid)/(2*(Ingebouwd potentieel+Omgekeerde bias-verbinding))). Hier is een voorbeeld: 1.4E+8 = 0.000175*sqrt((0.005*71*26)/(2*(4.8+2.55))).

Hoe bereken je Collector-basiscapaciteit?

Met Zenderbasisverbindingsgebied (A), Aanval (q), Permittiviteit (ε), Dopingdichtheid (N_b), Ingebouwd potentieel (ψ_o) & Omgekeerde bias-verbinding (V_rb) kunnen we Collector-basiscapaciteit vinden met behulp van de formule - Collector Base Capacitance = Zenderbasisverbindingsgebied*sqrt((Aanval*Permittiviteit*Dopingdichtheid)/(2*(Ingebouwd potentieel+Omgekeerde bias-verbinding))). Deze formule gebruikt ook de functie(s) van Vierkantswortel (sqrt).

Kan de Collector-basiscapaciteit negatief zijn?

Nee, de Collector-basiscapaciteit, gemeten in Capaciteit kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Collector-basiscapaciteit te meten?

Collector-basiscapaciteit wordt meestal gemeten met de Microfarad[μF] voor Capaciteit. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] zijn de weinige andere eenheden waarin Collector-basiscapaciteit kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Waarde
: Eenheid

Collector-basiscapaciteit Formule

Collector-basiscapaciteit Voorbeeld

Collector-basiscapaciteit Oplossing

Collector-basiscapaciteit Formule Elementen

Andere formules in de categorie Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model

Hoe Collector-basiscapaciteit evalueren?

FAQs op Collector-basiscapaciteit

Variable Name