FormulaDen.com

Fysica Chemie Wiskunde Chemische technologie Civiel Elektrisch Elektronica Elektronica en instrumentatie Materiaal kunde Mechanisch Productie Engineering Financieel Gezondheid

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov Formule

GanAfvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor Formule

Fx Kopiëren

LaTeX Kopiëren

Verzadigingsafvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de onderdrempelstroom en varieert exponentieel met poort-naar-bronspanning. Controleer FAQs

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

I_ds - Verzadigingsafvoerstroom?k'_p - Procestransconductantieparameter in PMOS?WL - Beeldverhouding?V_ov - Effectieve spanning?

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov Voorbeeld

Met waarden

Met eenheden

Slechts voorbeeld

Hier ziet u hoe de Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov-vergelijking eruit ziet als met waarden.

Hier ziet u hoe de Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov-vergelijking eruit ziet als met eenheden.

Hier ziet u hoe de Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov-vergelijking eruit ziet als.

29.3933 = \frac{1}{2} \cdot 2.1 \cdot 6 \cdot {(2.16)}^{2}

29.3933mA = \frac{1}{2} \cdot 2.1mS \cdot 6 \cdot {(2.16V)}^{2}

29.3933 = \frac{1}{2} \cdot 2.1 \cdot 6 \cdot {(2.16)}^{2}

Tip: Gebruik het potloodpictogram ( Pencil

) hierboven om invoerwaarden en eenheden te bewerken.

Berekenen

Herbereken

Oplossing

Kopiëren

resetten

Deel

Je bent hier -

Thuis » Category

Engineering » Category

Elektronica » Category

Analoge elektronica » fx Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov Oplossing

Volg onze stapsgewijze oplossing voor het berekenen van Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov?

Eerste stap Overweeg de formule

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Volgende stap Vervang waarden van variabelen

∴

I ds = \frac{1}{2} \cdot 2.1mS \cdot 6 \cdot {(2.16V)}^{2}

Volgende stap Eenheden converteren

∴

I ds = \frac{1}{2} \cdot 0.0021S \cdot 6 \cdot {(2.16V)}^{2}

Volgende stap Bereid je voor om te evalueren

∴

I ds = \frac{1}{2} \cdot 0.0021 \cdot 6 \cdot {(2.16)}^{2}

Volgende stap Evalueer

∴

I ds = 0.02939328A

Volgende stap Converteren naar de eenheid van uitvoer

∴

I ds = 29.39328mA

Laatste stap Afrondingsantwoord

∴

I ds = 29.3933mA

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov Formule Elementen

Variabelen

Verzadigingsafvoerstroom

Verzadigingsafvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de onderdrempelstroom en varieert exponentieel met poort-naar-bronspanning.

Symbool: I_ds

Meting: Elektrische stroomEenheid: mA

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Verzadigingsafvoerstroom te vinden

Procestransconductantieparameter in PMOS

De Process Transconductance Parameter in PMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.

Symbool: k'_p

Meting: Elektrische geleidingEenheid: mS

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Procestransconductantieparameter in PMOS te vinden

Beeldverhouding

Beeldverhouding wordt gedefinieerd als de verhouding tussen de breedte van het kanaal van de transistor en de lengte ervan. Het is de verhouding tussen de breedte van de poort en de afstand tot de bron

Symbool: WL

Meting: NAEenheid: Unitless

Opmerking: De waarde moet groter zijn dan 0.

Formules om Beeldverhouding te vinden

Effectieve spanning

Effectieve spanning is de equivalente DC-spanning die dezelfde hoeveelheid vermogensdissipatie zou produceren in een resistieve belasting als de AC-spanning die wordt gemeten.

Symbool: V_ov

Meting: Elektrisch potentieelEenheid: V

Opmerking: Waarde kan positief of negatief zijn.

Formules om Effectieve spanning te vinden

Andere formules om Verzadigingsafvoerstroom te vinden

Gan Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Andere formules in de categorie P Kanaalverbetering

Gan Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Gan Afvoerstroom in triodegebied van PMOS-transistor gegeven Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Gan Totale afvoerstroom van PMOS-transistor

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

Gan Procestransconductantieparameter van PMOS

k' p = μ p \cdot C ox

Bekijk meer OpenImg

Hoe Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov evalueren?

De beoordelaar van Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov gebruikt Saturation Drain Current = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Effectieve spanning)^2 om de Verzadigingsafvoerstroom, De afvoerstroom in het verzadigingsgebied van de PMOS-transistor gegeven Vov, de afvoerstroom neemt eerst lineair toe met de aangelegde afvoer-naar-bronspanning, maar bereikt dan een maximale waarde. Een uitputtingslaag die zich aan het afvoeruiteinde van de poort bevindt, herbergt de extra afvoer-naar-bronspanning. Dit gedrag wordt afvoerstroomverzadiging genoemd, te evalueren. Verzadigingsafvoerstroom wordt aangegeven met het symbool I_ds.

Hoe kan ik Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov evalueren met behulp van deze online beoordelaar? Om deze online evaluator voor Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov te gebruiken, voert u Procestransconductantieparameter in PMOS (k'_p), Beeldverhouding (WL) & Effectieve spanning (V_ov) in en klikt u op de knop Berekenen.

FAQs op Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov

Wat is de formule om Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov te vinden?

De formule van Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov wordt uitgedrukt als Saturation Drain Current = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Effectieve spanning)^2. Hier is een voorbeeld: 29393.28 = 1/2*0.0021*6*(2.16)^2.

Hoe bereken je Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov?

Met Procestransconductantieparameter in PMOS (k'_p), Beeldverhouding (WL) & Effectieve spanning (V_ov) kunnen we Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov vinden met behulp van de formule - Saturation Drain Current = 1/2*Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding*(Effectieve spanning)^2.

Wat zijn de andere manieren om Verzadigingsafvoerstroom te berekenen?

Hier zijn de verschillende manieren om Verzadigingsafvoerstroom-

Saturation Drain Current=1/2*Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))^2

te berekenen

Kan de Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov negatief zijn?

Nee, de Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov, gemeten in Elektrische stroom kan niet moet negatief zijn.

Welke eenheid wordt gebruikt om Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov te meten?

Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov wordt meestal gemeten met de milliampère[mA] voor Elektrische stroom. Ampère[mA], Microampère[mA], centiampère[mA] zijn de weinige andere eenheden waarin Afvoerstroom in verzadigingsgebied van PMOS-transistor gegeven Vov kan worden gemeten.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Waarde
: Eenheid