NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर सूत्र

Fx कॉपी करा
LaTeX कॉपी करा
फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर ही प्रक्रिया आहे जी सिलिकॉन सब्सट्रेटच्या ऑक्सिडेशनपासून सुरू होते ज्यामध्ये पृष्ठभागावर तुलनेने जाड ऑक्साईड थर जमा होतो. FAQs तपासा
γ=2[Charge-e]NP[Permitivity-vacuum]Cox
γ - फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर?NP - पी सब्सट्रेटचे डोपिंग एकाग्रता?Cox - ऑक्साइड कॅपेसिटन्स?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉनचा चार्ज?[Permitivity-vacuum] - व्हॅक्यूमची परवानगी?

NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर उदाहरण

मूल्यांसह
युनिट्ससह
फक्त उदाहरण

NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

204.2049Edit=21.6E-196E+16Edit8.9E-122.02Edit
आपण येथे आहात -
HomeIcon मुख्यपृष्ठ » Category अभियांत्रिकी » Category इलेक्ट्रॉनिक्स » Category अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » fx NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर

NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर उपाय

NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा
γ=2[Charge-e]NP[Permitivity-vacuum]Cox
पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये
γ=2[Charge-e]6E+161/cm³[Permitivity-vacuum]2.02μF
पुढचे पाऊल स्थिरांकांची मूल्ये बदला
γ=21.6E-19C6E+161/cm³8.9E-12F/m2.02μF
पुढचे पाऊल युनिट्स रूपांतरित करा
γ=21.6E-19C6E+221/m³8.9E-12F/m2E-6F
पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा
γ=21.6E-196E+228.9E-122E-6
पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा
γ=204.204864690003
शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर
γ=204.2049

NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर सुत्र घटक

चल
स्थिरांक
कार्ये
फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर
फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर ही प्रक्रिया आहे जी सिलिकॉन सब्सट्रेटच्या ऑक्सिडेशनपासून सुरू होते ज्यामध्ये पृष्ठभागावर तुलनेने जाड ऑक्साईड थर जमा होतो.
चिन्ह: γ
मोजमाप: NAयुनिट: Unitless
नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.
पी सब्सट्रेटचे डोपिंग एकाग्रता
पी सब्सट्रेटची डोपिंग एकाग्रता म्हणजे सब्सट्रेटमध्ये जोडलेल्या अशुद्धतेची संख्या. हे स्वीकारकर्ता आयनांची एकूण एकाग्रता आहे.
चिन्ह: NP
मोजमाप: वाहक एकाग्रतायुनिट: 1/cm³
नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
ऑक्साइड कॅपेसिटन्स हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो एमओएस उपकरणांच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करतो, जसे की एकात्मिक सर्किट्सचा वेग आणि वीज वापर.
चिन्ह: Cox
मोजमाप: क्षमतायुनिट: μF
नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.
इलेक्ट्रॉनचा चार्ज
इलेक्ट्रॉनचा चार्ज हा एक मूलभूत भौतिक स्थिरांक आहे, जो इलेक्ट्रॉनद्वारे वाहून घेतलेल्या विद्युत शुल्काचे प्रतिनिधित्व करतो, जो ऋणात्मक विद्युत शुल्कासह प्राथमिक कण आहे.
चिन्ह: [Charge-e]
मूल्य: 1.60217662E-19 C
व्हॅक्यूमची परवानगी
व्हॅक्यूमची परवानगी ही एक मूलभूत भौतिक स्थिरता आहे जी विद्युत क्षेत्र रेषांच्या प्रसारणास परवानगी देण्यासाठी व्हॅक्यूमच्या क्षमतेचे वर्णन करते.
चिन्ह: [Permitivity-vacuum]
मूल्य: 8.85E-12 F/m
sqrt
स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते.
मांडणी: sqrt(Number)

एन चॅनेल वर्धित वर्गातील इतर सूत्रे

​जा एनएमओएस ट्रान्झिस्टरमधील चॅनेलचा इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग
vd=μnEL
​जा रेखीय प्रतिकार म्हणून NMOS
rDS=LμnCoxWc(Vgs-VT)
​जा NMOS च्या वर्तमान एंटरिंग ड्रेन टर्मिनलला गेट सोर्स व्होल्टेज दिलेला आहे
Id=k'nWcL((Vgs-VT)Vds-12Vds2)
​जा एनएमओएसच्या ट्रायोड प्रदेशातील ड्रेन-स्रोत सध्या प्रवेश करत आहे
Id=k'nWcL((Vgs-VT)Vds-12(Vds)2)

NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर चे मूल्यमापन कसे करावे?

NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर मूल्यांकनकर्ता फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर, एनएमओएसच्या फॅब्रिकेशन प्रक्रिया मापदंड ही प्रक्रिया आहे जी सिलिकॉन सब्सट्रेटच्या ऑक्सिडेशनपासून सुरू होते ज्यात तुलनेने जाड ऑक्साईड थर पृष्ठभागावर जमा होते चे मूल्यमापन करण्यासाठी Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*पी सब्सट्रेटचे डोपिंग एकाग्रता*[Permitivity-vacuum])/ऑक्साइड कॅपेसिटन्स वापरतो. फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर हे γ चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर साठी वापरण्यासाठी, पी सब्सट्रेटचे डोपिंग एकाग्रता (NP) & ऑक्साइड कॅपेसिटन्स (Cox) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर

NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर शोधण्याचे सूत्र काय आहे?
NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर चे सूत्र Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*पी सब्सट्रेटचे डोपिंग एकाग्रता*[Permitivity-vacuum])/ऑक्साइड कॅपेसिटन्स म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- 204.2049 = sqrt(2*[Charge-e]*6E+22*[Permitivity-vacuum])/2.02E-06.
NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर ची गणना कशी करायची?
पी सब्सट्रेटचे डोपिंग एकाग्रता (NP) & ऑक्साइड कॅपेसिटन्स (Cox) सह आम्ही सूत्र - Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*पी सब्सट्रेटचे डोपिंग एकाग्रता*[Permitivity-vacuum])/ऑक्साइड कॅपेसिटन्स वापरून NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर शोधू शकतो. हे सूत्र इलेक्ट्रॉनचा चार्ज, व्हॅक्यूमची परवानगी स्थिर(चे) आणि स्क्वेअर रूट (sqrt) फंक्शन(s) देखील वापरते.
Copied!