MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव सूत्र

Fx कॉपी करा
LaTeX कॉपी करा
सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो ट्रान्झिस्टर स्त्रोतापासून ड्रेनपर्यंत प्रवाह चालविण्यास सुरुवात करतो त्या बिंदूची व्याख्या करतो. FAQs तपासा
Vt=Vth+γ(2Φf+Vbs-2Φf)
Vt - सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज?Vth - शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज?γ - बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर?Φf - बल्क फर्मी पोटेंशियल?Vbs - शरीरावर व्होल्टेज लागू?

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव उदाहरण

मूल्यांसह
युनिट्ससह
फक्त उदाहरण

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

3.9626Edit=3.4Edit+0.56Edit(20.25Edit+2.43Edit-20.25Edit)
आपण येथे आहात -
HomeIcon मुख्यपृष्ठ » Category अभियांत्रिकी » Category इलेक्ट्रॉनिक्स » Category इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC) » fx MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव उपाय

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा
Vt=Vth+γ(2Φf+Vbs-2Φf)
पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये
Vt=3.4V+0.56(20.25V+2.43V-20.25V)
पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा
Vt=3.4+0.56(20.25+2.43-20.25)
पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा
Vt=3.96258579757846V
शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर
Vt=3.9626V

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव सुत्र घटक

चल
कार्ये
सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज हा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे जो ट्रान्झिस्टर स्त्रोतापासून ड्रेनपर्यंत प्रवाह चालविण्यास सुरुवात करतो त्या बिंदूची व्याख्या करतो.
चिन्ह: Vt
मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
झिरो बॉडी बायससह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज जेव्हा सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट (बॉडी टर्मिनल) वर कोणतेही बाह्य पूर्वाग्रह लागू केले जात नाही तेव्हा थ्रेशोल्ड व्होल्टेजचा संदर्भ देते.
चिन्ह: Vth
मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर
बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर हे एक पॅरामीटर आहे जे MOSFET च्या थ्रेशोल्ड व्होल्टेजची संवेदनशीलता दर्शवते.
चिन्ह: γ
मोजमाप: NAयुनिट: Unitless
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
बल्क फर्मी पोटेंशियल
बल्क फर्मी पोटेंशियल हे एक पॅरामीटर आहे जे सेमीकंडक्टर सामग्रीच्या मोठ्या प्रमाणात (इंटिरिअर) इलेक्ट्रोस्टॅटिक संभाव्यतेचे वर्णन करते.
चिन्ह: Φf
मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
शरीरावर व्होल्टेज लागू
व्होल्टेज अप्लाइड टू बॉडी म्हणजे बॉडी टर्मिनलवर लागू व्होल्टेज. या व्होल्टेजचा MOSFET च्या वर्तनावर आणि कार्यक्षमतेवर लक्षणीय परिणाम होऊ शकतो.
चिन्ह: Vbs
मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
sqrt
स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते.
मांडणी: sqrt(Number)

एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन वर्गातील इतर सूत्रे

​जा MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता
ft=gmCgs+Cgd
​जा संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह
Id=β2(Vgs-Vth)2(1+λiVds)
​जा चॅनेल प्रतिकार
Rch=LtWt1μnQon
​जा प्रसार वेळ
Tp=0.7N(N+12)RmCl

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव चे मूल्यमापन कसे करावे?

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव मूल्यांकनकर्ता सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज, MOSFET मधील बॉडी इफेक्ट ही घटना म्हणून परिभाषित केली जाते जी अर्धसंवाहक सब्सट्रेट (बॉडी) वर लागू व्होल्टेज ट्रान्झिस्टरच्या वर्तनावर कसा परिणाम करते याचे वर्णन करते. MOSFET च्या थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये बदल झाल्यामुळे शरीराचा प्रभाव उद्भवतो जेव्हा स्त्रोत आणि सब्सट्रेटमधील व्होल्टेज भिन्न असतो चे मूल्यमापन करण्यासाठी Threshold Voltage with Substrate = शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर*(sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल+शरीरावर व्होल्टेज लागू)-sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल)) वापरतो. सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज हे Vt चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव साठी वापरण्यासाठी, शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज (Vth), बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर (γ), बल्क फर्मी पोटेंशियल f) & शरीरावर व्होल्टेज लागू (Vbs) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव शोधण्याचे सूत्र काय आहे?
MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव चे सूत्र Threshold Voltage with Substrate = शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर*(sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल+शरीरावर व्होल्टेज लागू)-sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल)) म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- 3.962586 = 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25)).
MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव ची गणना कशी करायची?
शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज (Vth), बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर (γ), बल्क फर्मी पोटेंशियल f) & शरीरावर व्होल्टेज लागू (Vbs) सह आम्ही सूत्र - Threshold Voltage with Substrate = शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर*(sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल+शरीरावर व्होल्टेज लागू)-sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल)) वापरून MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव शोधू शकतो. हा फॉर्म्युला स्क्वेअर रूट (sqrt) फंक्शन देखील वापरतो.
MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव नकारात्मक असू शकते का?
नाही, MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव, विद्युत क्षमता मध्ये मोजलेले करू शकत नाही ऋण असू शकते.
MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव मोजण्यासाठी कोणते एकक वापरले जाते?
MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव हे सहसा विद्युत क्षमता साठी व्होल्ट[V] वापरून मोजले जाते. मिलिव्होल्ट[V], मायक्रोव्होल्ट[V], नॅनोव्होल्ट[V] ही काही इतर एकके आहेत ज्यात MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव मोजता येतात.
Copied!