FormulaDen.com

भौतिकशास्त्र रसायनशास्त्र गणित रासायनिक अभियांत्रिकी दिवाणी विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन पदार्थ विज्ञान यांत्रिकी उत्पादन अभियांत्रिकी आर्थिक आरोग्य

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स सूत्र

जाड्रेन करंट दिलेला ट्रान्सकंडक्टन्स सुत्र

जाTransconductance दिलेला प्रक्रिया Transconductance पॅरामीटर सुत्र

Fx कॉपी करा

LaTeX कॉपी करा

गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवून इनपुट व्होल्टेजमधील बदल आणि आउटपुट करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते. FAQs तपासा

g m = \frac{ΔI d}{V gs}

g_m - Transconductance?ΔI_d - ड्रेन करंट मध्ये बदल?V_gs - गेट-स्रोत व्होल्टेज?

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स उदाहरण

मूल्यांसह

युनिट्ससह

फक्त उदाहरण

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

0.5 = \frac{2}{4}

0.5mS = \frac{2mA}{4V}

0.5 = \frac{2}{4}

टीप: इनपुट मूल्ये आणि युनिट्स संपादित करण्यासाठी वरील पेन्सिल ( Pencil

) चिन्ह वापरा.

गणना करा

पुनर्गणना करा

उपाय

कॉपी करा

रीसेट करा

शेअर करा

आपण येथे आहात -

मुख्यपृष्ठ » Category

अभियांत्रिकी » Category

इलेक्ट्रॉनिक्स » Category

अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » fx MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स उपाय

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा

g m = \frac{ΔI d}{V gs}

पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये

∴

g m = \frac{2mA}{4V}

पुढचे पाऊल युनिट्स रूपांतरित करा

∴

g m = \frac{0.002A}{4V}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा

∴

g m = \frac{0.002}{4}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा

∴

g m = 0.0005S

शेवटची पायरी आउटपुट युनिटमध्ये रूपांतरित करा

∴

g m = 0.5mS

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स सुत्र घटक

चल

Transconductance

गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवून इनपुट व्होल्टेजमधील बदल आणि आउटपुट करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.

चिन्ह: g_m

मोजमाप: इलेक्ट्रिक कंडक्टन्सयुनिट: mS

नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.

Transconductance शोधण्यासाठी सूत्रे

ड्रेन करंट मध्ये बदल

ड्रेन करंटमधील बदल सिलिकॉन चिपच्या वर्तमान वहन क्षमतेतील बदल दर्शवते; वेगवेगळ्या उपकरणांची तुलना करताना ते मार्गदर्शक म्हणून वापरले जाऊ शकते.

चिन्ह: ΔI_d

मोजमाप: विद्युतप्रवाहयुनिट: mA

नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.

ड्रेन करंट मध्ये बदल शोधण्यासाठी सूत्रे

गेट-स्रोत व्होल्टेज

गेट-स्रोत व्होल्टेज हे एक गंभीर पॅरामीटर आहे जे FET च्या ऑपरेशनवर परिणाम करते आणि ते सहसा डिव्हाइसचे वर्तन नियंत्रित करण्यासाठी वापरले जाते.

चिन्ह: V_gs

मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

गेट-स्रोत व्होल्टेज शोधण्यासाठी सूत्रे

Transconductance शोधण्यासाठी इतर सूत्रे

जा ड्रेन करंट दिलेला ट्रान्सकंडक्टन्स

g m = \sqrt{2 \cdot k' n \cdot WL \cdot i d}

जा Transconductance दिलेला प्रक्रिया Transconductance पॅरामीटर

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

जा प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर आणि ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून ट्रान्सकंडक्टन्स

g m = k' n \cdot WL \cdot V ov

जा MOSFET Transconductance दिलेले Transconductance पॅरामीटर

g m = k n \cdot (V gs - V th)

अजून पहा

Transconductance वर्गातील इतर सूत्रे

जा Transconductance वापरून प्रवाह काढून टाका

i d = (V ov) \cdot \frac{g m}{2}

जा ट्रान्सकंडक्टन्स आणि ड्रेन करंट दिलेली प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स

k' n = \frac{{g m}^{2}}{2 \cdot WL \cdot i d}

जा MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर वापरून

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

जा प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर आणि ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स

k' n = \frac{g m}{WL \cdot V ov}

अजून पहा

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स चे मूल्यमापन कसे करावे?

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स मूल्यांकनकर्ता Transconductance, MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स म्हणजे ड्रेन करंटमधील बदल म्हणजे स्थिर ड्रेन/सोर्स व्होल्टेजसह गेट/स्रोत व्होल्टेजमधील लहान बदलाने भागलेला चे मूल्यमापन करण्यासाठी Transconductance = ड्रेन करंट मध्ये बदल/गेट-स्रोत व्होल्टेज वापरतो. Transconductance हे g_m चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स साठी वापरण्यासाठी, ड्रेन करंट मध्ये बदल (ΔI_d) & गेट-स्रोत व्होल्टेज (V_gs) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स शोधण्याचे सूत्र काय आहे?

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स चे सूत्र Transconductance = ड्रेन करंट मध्ये बदल/गेट-स्रोत व्होल्टेज म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- 500 = 0.002/4.

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स ची गणना कशी करायची?

ड्रेन करंट मध्ये बदल (ΔI_d) & गेट-स्रोत व्होल्टेज (V_gs) सह आम्ही सूत्र - Transconductance = ड्रेन करंट मध्ये बदल/गेट-स्रोत व्होल्टेज वापरून MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स शोधू शकतो.

Transconductance ची गणना करण्याचे इतर कोणते मार्ग आहेत?

Transconductance-

Transconductance=sqrt(2*Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Drain Current)
Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)
Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Overdrive Voltage

ची गणना करण्याचे वेगवेगळे मार्ग येथे आहेत

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स नकारात्मक असू शकते का?

होय, MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स, इलेक्ट्रिक कंडक्टन्स मध्ये मोजलेले करू शकता ऋण असू शकते.

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स मोजण्यासाठी कोणते एकक वापरले जाते?

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स हे सहसा इलेक्ट्रिक कंडक्टन्स साठी मिलिसीमेन्स[mS] वापरून मोजले जाते. सीमेन्स[mS], मेगासिमेन्स[mS], एमएचओ[mS] ही काही इतर एकके आहेत ज्यात MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स मोजता येतात.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: मूल्य
: युनिट