संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह मूल्यांकनकर्ता ड्रेन करंट, संपृक्तता क्षेत्रावरील MOSFET च्या ड्रेन करंटची व्याख्या अशी घटना म्हणून केली जाते जेथे ड्रेन-टू-सोर्स व्होल्टेजमध्ये वाढीसह प्रभावी वाहिनीची लांबी वाढते चे मूल्यमापन करण्यासाठी Drain Current = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर/2*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2*(1+चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज) वापरतो. ड्रेन करंट हे Id चिन्हाने दर्शविले जाते.
हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह साठी वापरण्यासाठी, ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर (β), गेट स्त्रोत व्होल्टेज (Vgs), शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज (Vth), चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर (λi) & ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज (Vds) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.