संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह सूत्र

Fx कॉपी करा
LaTeX कॉपी करा
ड्रेन करंट म्हणजे ट्रान्झिस्टरच्या ड्रेन आणि स्त्रोत टर्मिनल्स दरम्यान वाहणारा विद्युतप्रवाह चालू असताना. FAQs तपासा
Id=β2(Vgs-Vth)2(1+λiVds)
Id - ड्रेन करंट?β - ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर?Vgs - गेट स्त्रोत व्होल्टेज?Vth - शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज?λi - चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर?Vds - ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज?

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह उदाहरण

मूल्यांसह
युनिट्ससह
फक्त उदाहरण

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

0.0137Edit=0.0025Edit2(2.45Edit-3.4Edit)2(1+9Edit1.24Edit)
आपण येथे आहात -
HomeIcon मुख्यपृष्ठ » Category अभियांत्रिकी » Category इलेक्ट्रॉनिक्स » Category इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC) » fx संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह उपाय

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा
Id=β2(Vgs-Vth)2(1+λiVds)
पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये
Id=0.0025S2(2.45V-3.4V)2(1+91.24V)
पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा
Id=0.00252(2.45-3.4)2(1+91.24)
पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा
Id=0.013718A
शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर
Id=0.0137A

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह सुत्र घटक

चल
ड्रेन करंट
ड्रेन करंट म्हणजे ट्रान्झिस्टरच्या ड्रेन आणि स्त्रोत टर्मिनल्स दरम्यान वाहणारा विद्युतप्रवाह चालू असताना.
चिन्ह: Id
मोजमाप: विद्युतप्रवाहयुनिट: A
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर
ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर हे आउटपुट करंटमधील बदल आणि डिव्हाइसच्या इनपुट व्होल्टेजमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून परिभाषित केले जाते.
चिन्ह: β
मोजमाप: इलेक्ट्रिक कंडक्टन्सयुनिट: S
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
गेट स्त्रोत व्होल्टेज
गेट सोर्स व्होल्टेज गेट टर्मिनल आणि डिव्हाइसच्या स्त्रोत टर्मिनलमधील संभाव्य फरकाचा संदर्भ देते. MOSFET ची चालकता नियंत्रित करण्यासाठी हे व्होल्टेज महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.
चिन्ह: Vgs
मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज
झिरो बॉडी बायससह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज जेव्हा सेमीकंडक्टर सब्सट्रेट (बॉडी टर्मिनल) वर कोणतेही बाह्य पूर्वाग्रह लागू केले जात नाही तेव्हा थ्रेशोल्ड व्होल्टेजचा संदर्भ देते.
चिन्ह: Vth
मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर
चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर जेथे ड्रेन-टू-सोर्स व्होल्टेजमध्ये वाढीसह प्रभावी चॅनेलची लांबी वाढते.
चिन्ह: λi
मोजमाप: NAयुनिट: Unitless
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.
ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज
ड्रेन सोर्स व्होल्टेज हे ड्रेन आणि स्त्रोत टर्मिनलमधील व्होल्टेज आहे.
चिन्ह: Vds
मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V
नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन वर्गातील इतर सूत्रे

​जा MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव
Vt=Vth+γ(2Φf+Vbs-2Φf)
​जा MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता
ft=gmCgs+Cgd
​जा चॅनेल प्रतिकार
Rch=LtWt1μnQon
​जा प्रसार वेळ
Tp=0.7N(N+12)RmCl

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह चे मूल्यमापन कसे करावे?

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह मूल्यांकनकर्ता ड्रेन करंट, संपृक्तता क्षेत्रावरील MOSFET च्या ड्रेन करंटची व्याख्या अशी घटना म्हणून केली जाते जेथे ड्रेन-टू-सोर्स व्होल्टेजमध्ये वाढीसह प्रभावी वाहिनीची लांबी वाढते चे मूल्यमापन करण्यासाठी Drain Current = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर/2*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2*(1+चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज) वापरतो. ड्रेन करंट हे Id चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह साठी वापरण्यासाठी, ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर (β), गेट स्त्रोत व्होल्टेज (Vgs), शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज (Vth), चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर i) & ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज (Vds) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह शोधण्याचे सूत्र काय आहे?
संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह चे सूत्र Drain Current = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर/2*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2*(1+चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज) म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- 0.013718 = 0.0025/2*(2.45-3.4)^2*(1+9*1.24).
संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह ची गणना कशी करायची?
ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर (β), गेट स्त्रोत व्होल्टेज (Vgs), शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज (Vth), चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर i) & ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज (Vds) सह आम्ही सूत्र - Drain Current = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर/2*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2*(1+चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज) वापरून संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह शोधू शकतो.
संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह नकारात्मक असू शकते का?
नाही, संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह, विद्युतप्रवाह मध्ये मोजलेले करू शकत नाही ऋण असू शकते.
संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह मोजण्यासाठी कोणते एकक वापरले जाते?
संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह हे सहसा विद्युतप्रवाह साठी अँपिअर[A] वापरून मोजले जाते. मिलीअँपिअर[A], मायक्रोअँपीअर[A], सेंटीअँपियर[A] ही काही इतर एकके आहेत ज्यात संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह मोजता येतात.
Copied!