FormulaDen.com

भौतिकशास्त्र रसायनशास्त्र गणित रासायनिक अभियांत्रिकी दिवाणी विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन पदार्थ विज्ञान यांत्रिकी उत्पादन अभियांत्रिकी आर्थिक आरोग्य

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स सूत्र

Fx कॉपी करा

LaTeX कॉपी करा

झिरो बायस साइडवॉल जंक्शन पोटेंशियल हे काही ट्रांझिस्टर स्ट्रक्चर्सच्या साइडवॉल जंक्शनमध्ये अंगभूत क्षमता आहे. FAQs तपासा

C j0sw = \sqrt{\frac{[Permitivity-silicon] \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A(sw) \cdot N D}{N A(sw) + N D}) \cdot \frac{1}{Φ osw}}

C_j0sw - शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन संभाव्य?N_A(sw) - साइडवॉल डोपिंग घनता?N_D - दात्याची डोपिंग एकाग्रता?Φ_osw - साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले?[Permitivity-silicon] - सिलिकॉनची परवानगी?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉनचा चार्ज?

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स उदाहरण

मूल्यांसह

युनिट्ससह

फक्त उदाहरण

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

1E-7 = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{0.35 \cdot 3.01}{0.35 + 3.01}) \cdot \frac{1}{3.2E-5}}

1E-7F = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{0.35electrons/m³ \cdot 3.01electrons/cm³}{0.35electrons/m³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{3.2E-5V}}

1E-7 = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{0.35 \cdot 3.01}{0.35 + 3.01}) \cdot \frac{1}{3.2E-5}}

टीप: इनपुट मूल्ये आणि युनिट्स संपादित करण्यासाठी वरील पेन्सिल ( Pencil

) चिन्ह वापरा.

गणना करा

पुनर्गणना करा

उपाय

कॉपी करा

रीसेट करा

शेअर करा

आपण येथे आहात -

मुख्यपृष्ठ » Category

अभियांत्रिकी » Category

इलेक्ट्रॉनिक्स » Category

अॅम्प्लीफायर » fx शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स उपाय

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा

C j0sw = \sqrt{\frac{[Permitivity-silicon] \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A(sw) \cdot N D}{N A(sw) + N D}) \cdot \frac{1}{Φ osw}}

पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये

∴

C j0sw = \sqrt{\frac{[Permitivity-silicon] \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{0.35electrons/m³ \cdot 3.01electrons/cm³}{0.35electrons/m³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{3.2E-5V}}

पुढचे पाऊल स्थिरांकांची मूल्ये बदला

∴

C j0sw = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{0.35electrons/m³ \cdot 3.01electrons/cm³}{0.35electrons/m³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{3.2E-5V}}

पुढचे पाऊल युनिट्स रूपांतरित करा

∴

C j0sw = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{0.35electrons/m³ \cdot 3E+6electrons/m³}{0.35electrons/m³ + 3E+6electrons/m³}) \cdot \frac{1}{3.2E-5V}}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा

∴

C j0sw = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{0.35 \cdot 3E+6}{0.35 + 3E+6}) \cdot \frac{1}{3.2E-5}}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा

∴

C j0sw = 1.01249324812588E-07F

शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर

∴

C j0sw = 1E-7F

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स सुत्र घटक

चल

स्थिरांक

कार्ये

शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन संभाव्य

झिरो बायस साइडवॉल जंक्शन पोटेंशियल हे काही ट्रांझिस्टर स्ट्रक्चर्सच्या साइडवॉल जंक्शनमध्ये अंगभूत क्षमता आहे.

चिन्ह: C_j0sw

मोजमाप: क्षमतायुनिट: F

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन संभाव्य शोधण्यासाठी सूत्रे

साइडवॉल डोपिंग घनता

साइडवॉल डोपिंग घनता ट्रान्झिस्टर संरचनेच्या साइडवॉलसह डोपंट अणूंच्या एकाग्रतेचा संदर्भ देते.

चिन्ह: N_A(sw)

मोजमाप: इलेक्ट्रॉन घनतायुनिट: electrons/m³

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

साइडवॉल डोपिंग घनता शोधण्यासाठी सूत्रे

दात्याची डोपिंग एकाग्रता

डोनरची डोपिंग एकाग्रता अर्धसंवाहक सामग्रीमध्ये हेतुपुरस्सर जोडलेल्या दात्याच्या अणूंच्या एकाग्रतेचा संदर्भ देते.

चिन्ह: N_D

मोजमाप: इलेक्ट्रॉन घनतायुनिट: electrons/cm³

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

दात्याची डोपिंग एकाग्रता शोधण्यासाठी सूत्रे

साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले

बिल्ट इन पोटेंशिअल ऑफ साइडवॉल जंक्शन्स ट्रान्झिस्टर स्ट्रक्चरच्या उभ्या किंवा साइडवॉल पृष्ठभागांच्या बाजूने तयार केलेल्या जंक्शनचा संदर्भ देते.

चिन्ह: Φ_osw

मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले शोधण्यासाठी सूत्रे

सिलिकॉनची परवानगी

सिलिकॉनची परवानगी विद्युत क्षेत्रामध्ये विद्युत ऊर्जा संचयित करण्याची क्षमता मोजते, सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानामध्ये महत्त्वपूर्ण आहे.

चिन्ह: [Permitivity-silicon]

मूल्य: 11.7

इलेक्ट्रॉनचा चार्ज

इलेक्ट्रॉनचा चार्ज हा एक मूलभूत भौतिक स्थिरांक आहे, जो इलेक्ट्रॉनद्वारे वाहून घेतलेल्या विद्युत शुल्काचे प्रतिनिधित्व करतो, जो ऋणात्मक विद्युत शुल्कासह प्राथमिक कण आहे.

चिन्ह: [Charge-e]

मूल्य: 1.60217662E-19 C

sqrt

स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते.

मांडणी: sqrt(Number)

MOSFET अॅम्प्लीफायर्स वर्गातील इतर सूत्रे

जा शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स

C j0 = \sqrt{\frac{ε si \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D}) \cdot \frac{1}{Φ o}}

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स चे मूल्यमापन कसे करावे?

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स मूल्यांकनकर्ता शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन संभाव्य, झिरो बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स फॉर्म्युला विशिष्ट ट्रान्झिस्टर स्ट्रक्चर्सच्या साइडवॉल जंक्शनमध्ये अंगभूत क्षमता म्हणून परिभाषित केला जातो चे मूल्यमापन करण्यासाठी Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((साइडवॉल डोपिंग घनता*दात्याची डोपिंग एकाग्रता)/(साइडवॉल डोपिंग घनता+दात्याची डोपिंग एकाग्रता))*1/साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले) वापरतो. शून्य पूर्वाग्रह साइडवॉल जंक्शन संभाव्य हे C_j0sw चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स साठी वापरण्यासाठी, साइडवॉल डोपिंग घनता (N_A(sw)), दात्याची डोपिंग एकाग्रता (N_D) & साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले (Φ_osw) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स शोधण्याचे सूत्र काय आहे?

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स चे सूत्र Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((साइडवॉल डोपिंग घनता*दात्याची डोपिंग एकाग्रता)/(साइडवॉल डोपिंग घनता+दात्याची डोपिंग एकाग्रता))*1/साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले) म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- 4.6E-10 = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((0.35*3010000)/(0.35+3010000))*1/3.2E-05).

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स ची गणना कशी करायची?

साइडवॉल डोपिंग घनता (N_A(sw)), दात्याची डोपिंग एकाग्रता (N_D) & साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले (Φ_osw) सह आम्ही सूत्र - Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((साइडवॉल डोपिंग घनता*दात्याची डोपिंग एकाग्रता)/(साइडवॉल डोपिंग घनता+दात्याची डोपिंग एकाग्रता))*1/साइडवॉल जंक्शन्सच्या संभाव्यतेमध्ये तयार केलेले) वापरून शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स शोधू शकतो. हे सूत्र सिलिकॉनची परवानगी, इलेक्ट्रॉनचा चार्ज स्थिर(चे) आणि स्क्वेअर रूट (sqrt) फंक्शन(s) देखील वापरते.

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स नकारात्मक असू शकते का?

नाही, शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स, क्षमता मध्ये मोजलेले करू शकत नाही ऋण असू शकते.

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स मोजण्यासाठी कोणते एकक वापरले जाते?

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स हे सहसा क्षमता साठी फॅरड[F] वापरून मोजले जाते. किलोफरड[F], मिलिफरद[F], मायक्रोफरॅड[F] ही काही इतर एकके आहेत ज्यात शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स मोजता येतात.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: मूल्य
: युनिट

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स सूत्र

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स उदाहरण

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स उपाय

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स सुत्र घटक

MOSFET अॅम्प्लीफायर्स वर्गातील इतर सूत्रे

शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स चे मूल्यमापन कसे करावे?

FAQs वर शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स

Variable Name