FormulaDen.com

भौतिकशास्त्र रसायनशास्त्र गणित रासायनिक अभियांत्रिकी दिवाणी विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन पदार्थ विज्ञान यांत्रिकी उत्पादन अभियांत्रिकी आर्थिक आरोग्य

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स सूत्र

Fx कॉपी करा

LaTeX कॉपी करा

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स अर्धसंवाहक जंक्शनच्या अंगभूत संभाव्यतेचा संदर्भ देते जेव्हा त्यावर कोणतेही बाह्य व्होल्टेज (बायस) लागू केले जात नाही. FAQs तपासा

C j0 = \sqrt{\frac{ε si \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D}) \cdot \frac{1}{Φ o}}

C_j0 - शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स?ε_si - सिलिकॉनची परवानगी?N_A - स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता?N_D - दात्याची डोपिंग एकाग्रता?Φ_o - जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉनचा चार्ज?

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स उदाहरण

मूल्यांसह

युनिट्ससह

फक्त उदाहरण

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

6.6E-7 = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{1.32 \cdot 3.01}{1.32 + 3.01}) \cdot \frac{1}{2}}

6.6E-7F = \sqrt{\frac{11.7F/m \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{1.32electrons/cm³ \cdot 3.01electrons/cm³}{1.32electrons/cm³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{2V}}

6.6E-7 = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{1.32 \cdot 3.01}{1.32 + 3.01}) \cdot \frac{1}{2}}

टीप: इनपुट मूल्ये आणि युनिट्स संपादित करण्यासाठी वरील पेन्सिल ( Pencil

) चिन्ह वापरा.

गणना करा

पुनर्गणना करा

उपाय

कॉपी करा

रीसेट करा

शेअर करा

आपण येथे आहात -

मुख्यपृष्ठ » Category

अभियांत्रिकी » Category

इलेक्ट्रॉनिक्स » Category

अॅम्प्लीफायर » fx शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स उपाय

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा

C j0 = \sqrt{\frac{ε si \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D}) \cdot \frac{1}{Φ o}}

पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये

∴

C j0 = \sqrt{\frac{11.7F/m \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{1.32electrons/cm³ \cdot 3.01electrons/cm³}{1.32electrons/cm³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{2V}}

पुढचे पाऊल स्थिरांकांची मूल्ये बदला

∴

C j0 = \sqrt{\frac{11.7F/m \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{1.32electrons/cm³ \cdot 3.01electrons/cm³}{1.32electrons/cm³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{2V}}

पुढचे पाऊल युनिट्स रूपांतरित करा

∴

C j0 = \sqrt{\frac{11.7F/m \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{1.3E+6electrons/m³ \cdot 3E+6electrons/m³}{1.3E+6electrons/m³ + 3E+6electrons/m³}) \cdot \frac{1}{2V}}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा

∴

C j0 = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{1.3E+6 \cdot 3E+6}{1.3E+6 + 3E+6}) \cdot \frac{1}{2}}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा

∴

C j0 = 6.55759204749238E-07F

शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर

∴

C j0 = 6.6E-7F

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स सुत्र घटक

चल

स्थिरांक

कार्ये

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स अर्धसंवाहक जंक्शनच्या अंगभूत संभाव्यतेचा संदर्भ देते जेव्हा त्यावर कोणतेही बाह्य व्होल्टेज (बायस) लागू केले जात नाही.

चिन्ह: C_j0

मोजमाप: क्षमतायुनिट: F

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स शोधण्यासाठी सूत्रे

सिलिकॉनची परवानगी

सिलिकॉनची परवानगी ही एक भौतिक गुणधर्म आहे जी विद्युत क्षेत्राला सामग्री कशी प्रतिसाद देते याचे वर्णन करते.

चिन्ह: ε_si

मोजमाप: परवानगीयुनिट: F/m

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

सिलिकॉनची परवानगी शोधण्यासाठी सूत्रे

स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता

डोपिंग कॉन्सन्ट्रेशन ऑफ ॲसेप्टर म्हणजे सेमीकंडक्टर मटेरियलमध्ये जाणूनबुजून जोडलेल्या स्वीकर अणूंच्या एकाग्रतेचा संदर्भ देते.

चिन्ह: N_A

मोजमाप: इलेक्ट्रॉन घनतायुनिट: electrons/cm³

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता शोधण्यासाठी सूत्रे

दात्याची डोपिंग एकाग्रता

डोनरची डोपिंग एकाग्रता अर्धसंवाहक सामग्रीमध्ये हेतुपुरस्सर जोडलेल्या दात्याच्या अणूंच्या एकाग्रतेचा संदर्भ देते.

चिन्ह: N_D

मोजमाप: इलेक्ट्रॉन घनतायुनिट: electrons/cm³

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

दात्याची डोपिंग एकाग्रता शोधण्यासाठी सूत्रे

जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले

बिल्ट इन जंक्शन पोटेंशियल म्हणजे बाह्य व्होल्टेज स्त्रोताशी कनेक्ट केलेले नसताना अर्धसंवाहक जंक्शनवर अस्तित्वात असलेल्या संभाव्य फरक किंवा व्होल्टेजचा संदर्भ देते.

चिन्ह: Φ_o

मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले शोधण्यासाठी सूत्रे

इलेक्ट्रॉनचा चार्ज

इलेक्ट्रॉनचा चार्ज हा एक मूलभूत भौतिक स्थिरांक आहे, जो इलेक्ट्रॉनद्वारे वाहून घेतलेल्या विद्युत शुल्काचे प्रतिनिधित्व करतो, जो ऋणात्मक विद्युत शुल्कासह प्राथमिक कण आहे.

चिन्ह: [Charge-e]

मूल्य: 1.60217662E-19 C

sqrt

स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते.

मांडणी: sqrt(Number)

MOSFET अॅम्प्लीफायर्स वर्गातील इतर सूत्रे

जा शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स

C j0sw = \sqrt{\frac{[Permitivity-silicon] \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A(sw) \cdot N D}{N A(sw) + N D}) \cdot \frac{1}{Φ osw}}

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स चे मूल्यमापन कसे करावे?

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स मूल्यांकनकर्ता शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स, झिरो बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स फॉर्म्युला अर्धसंवाहक जंक्शनची अंगभूत क्षमता म्हणून परिभाषित केला जातो जेव्हा त्यावर कोणतेही बाह्य व्होल्टेज (बायस) लागू केले जात नाही चे मूल्यमापन करण्यासाठी Zero Bias Junction Capacitance = sqrt((सिलिकॉनची परवानगी*[Charge-e])/2*((स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता*दात्याची डोपिंग एकाग्रता)/(स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता+दात्याची डोपिंग एकाग्रता))*1/जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले) वापरतो. शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स हे C_j0 चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स साठी वापरण्यासाठी, सिलिकॉनची परवानगी (ε_si), स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता (N_A), दात्याची डोपिंग एकाग्रता (N_D) & जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले (Φ_o) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स शोधण्याचे सूत्र काय आहे?

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स चे सूत्र Zero Bias Junction Capacitance = sqrt((सिलिकॉनची परवानगी*[Charge-e])/2*((स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता*दात्याची डोपिंग एकाग्रता)/(स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता+दात्याची डोपिंग एकाग्रता))*1/जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले) म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- 6.6E-7 = sqrt((11.7*[Charge-e])/2*((1320000*3010000)/(1320000+3010000))*1/2).

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स ची गणना कशी करायची?

सिलिकॉनची परवानगी (ε_si), स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता (N_A), दात्याची डोपिंग एकाग्रता (N_D) & जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले (Φ_o) सह आम्ही सूत्र - Zero Bias Junction Capacitance = sqrt((सिलिकॉनची परवानगी*[Charge-e])/2*((स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता*दात्याची डोपिंग एकाग्रता)/(स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता+दात्याची डोपिंग एकाग्रता))*1/जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले) वापरून शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स शोधू शकतो. हे सूत्र इलेक्ट्रॉनचा चार्ज स्थिर(चे) आणि स्क्वेअर रूट (sqrt) फंक्शन(s) देखील वापरते.

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स नकारात्मक असू शकते का?

नाही, शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स, क्षमता मध्ये मोजलेले करू शकत नाही ऋण असू शकते.

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स मोजण्यासाठी कोणते एकक वापरले जाते?

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स हे सहसा क्षमता साठी फॅरड[F] वापरून मोजले जाते. किलोफरड[F], मिलिफरद[F], मायक्रोफरॅड[F] ही काही इतर एकके आहेत ज्यात शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स मोजता येतात.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: मूल्य
: युनिट

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स सूत्र

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स उदाहरण

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स उपाय

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स सुत्र घटक

MOSFET अॅम्प्लीफायर्स वर्गातील इतर सूत्रे

शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स चे मूल्यमापन कसे करावे?

FAQs वर शून्य बायस जंक्शन कॅपेसिटन्स

Variable Name