FormulaDen.com

भौतिकशास्त्र रसायनशास्त्र गणित रासायनिक अभियांत्रिकी दिवाणी विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन पदार्थ विज्ञान यांत्रिकी उत्पादन अभियांत्रिकी आर्थिक आरोग्य

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली सूत्र

Fx कॉपी करा

LaTeX कॉपी करा

गेट टर्मिनलवर व्होल्टेज लागू केल्यावर ड्रेन टर्मिनलच्या जवळ तयार होणारा क्षीणता प्रदेश म्हणजे ड्रेनची खोली. FAQs तपासा

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (Φ o + V DS)}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dD - नाल्याच्या क्षीणतेच्या प्रदेशाची खोली?Φ_o - जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले?V_DS - ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज?N_A - स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता?[Permitivity-silicon] - सिलिकॉनची परवानगी?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉनचा चार्ज?

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली उदाहरण

मूल्यांसह

युनिट्ससह

फक्त उदाहरण

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

7.2E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2 + 45)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

7.2E+7m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2V + 45V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

7.2E+7 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2 + 45)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

टीप: इनपुट मूल्ये आणि युनिट्स संपादित करण्यासाठी वरील पेन्सिल ( Pencil

) चिन्ह वापरा.

गणना करा

पुनर्गणना करा

उपाय

कॉपी करा

रीसेट करा

शेअर करा

आपण येथे आहात -

मुख्यपृष्ठ » Category

अभियांत्रिकी » Category

इलेक्ट्रॉनिक्स » Category

अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » fx नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली उपाय

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (Φ o + V DS)}{[Charge-e] \cdot N A}}

पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये

∴

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (2V + 45V)}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

पुढचे पाऊल स्थिरांकांची मूल्ये बदला

∴

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2V + 45V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

पुढचे पाऊल युनिट्स रूपांतरित करा

∴

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2V + 45V)}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा

∴

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot (2 + 45)}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा

∴

x dD = 72113188.282716m

शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर

∴

x dD = 7.2E+7m

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली सुत्र घटक

चल

स्थिरांक

कार्ये

नाल्याच्या क्षीणतेच्या प्रदेशाची खोली

गेट टर्मिनलवर व्होल्टेज लागू केल्यावर ड्रेन टर्मिनलच्या जवळ तयार होणारा क्षीणता प्रदेश म्हणजे ड्रेनची खोली.

चिन्ह: x_dD

मोजमाप: लांबीयुनिट: m

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

नाल्याच्या क्षीणतेच्या प्रदेशाची खोली शोधण्यासाठी सूत्रे

जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले

बिल्ट इन जंक्शन पोटेंशियल म्हणजे बाह्य व्होल्टेज स्त्रोताशी कनेक्ट केलेले नसताना अर्धसंवाहक जंक्शनवर अस्तित्वात असलेल्या संभाव्य फरक किंवा व्होल्टेजचा संदर्भ देते.

चिन्ह: Φ_o

मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले शोधण्यासाठी सूत्रे

ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज

ड्रेन सोर्स व्होल्टेज हे ड्रेन आणि स्त्रोत टर्मिनल दरम्यान लागू केलेले व्होल्टेज आहे.

चिन्ह: V_DS

मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज शोधण्यासाठी सूत्रे

स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता

डोपिंग कॉन्सन्ट्रेशन ऑफ ॲसेप्टर म्हणजे सेमीकंडक्टर मटेरियलमध्ये जाणूनबुजून जोडलेल्या स्वीकर अणूंच्या एकाग्रतेचा संदर्भ देते.

चिन्ह: N_A

मोजमाप: इलेक्ट्रॉन घनतायुनिट: electrons/cm³

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता शोधण्यासाठी सूत्रे

सिलिकॉनची परवानगी

सिलिकॉनची परवानगी विद्युत क्षेत्रामध्ये विद्युत ऊर्जा संचयित करण्याची क्षमता मोजते, सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानामध्ये महत्त्वपूर्ण आहे.

चिन्ह: [Permitivity-silicon]

मूल्य: 11.7

इलेक्ट्रॉनचा चार्ज

इलेक्ट्रॉनचा चार्ज हा एक मूलभूत भौतिक स्थिरांक आहे, जो इलेक्ट्रॉनद्वारे वाहून घेतलेल्या विद्युत शुल्काचे प्रतिनिधित्व करतो, जो ऋणात्मक विद्युत शुल्कासह प्राथमिक कण आहे.

चिन्ह: [Charge-e]

मूल्य: 1.60217662E-19 C

sqrt

स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते.

मांडणी: sqrt(Number)

एमओएस ट्रान्झिस्टर वर्गातील इतर सूत्रे

जा शून्य बायस साइडवॉल जंक्शन कॅपेसिटन्स प्रति युनिट लांबी

C jsw = C j0sw \cdot x j

जा समतुल्य मोठे सिग्नल जंक्शन कॅपेसिटन्स

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

जा पी प्रकारासाठी फर्मी पोटेंशियल

Φ Fp = \frac{[BoltZ] \cdot T a}{[Charge-e]} \cdot \ln (\frac{n i}{N A})

जा साइडवॉल व्होल्टेज समतुल्यता घटक

K eq(sw) = - (2 \cdot \frac{\sqrt{Φ osw}}{V 2 - V 1} \cdot (\sqrt{Φ osw - V 2} - \sqrt{Φ osw - V 1}))

अजून पहा

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली चे मूल्यमापन कसे करावे?

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली मूल्यांकनकर्ता नाल्याच्या क्षीणतेच्या प्रदेशाची खोली, गेट टर्मिनलवर व्होल्टेज लागू केल्यावर ड्रेन टर्मिनलजवळ तयार होणारा क्षीणता प्रदेश म्हणून ड्रेन फॉर्म्युलाशी संबंधित डेप्थ ऑफ डेप्थ रिजनची व्याख्या केली जाते चे मूल्यमापन करण्यासाठी Drain's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले+ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज))/([Charge-e]*स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता)) वापरतो. नाल्याच्या क्षीणतेच्या प्रदेशाची खोली हे x_dD चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली साठी वापरण्यासाठी, जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले (Φ_o), ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज (V_DS) & स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता (N_A) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली शोधण्याचे सूत्र काय आहे?

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली चे सूत्र Drain's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले+ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज))/([Charge-e]*स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता)) म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- 1.6E+7 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(2+45))/([Charge-e]*1320000)).

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली ची गणना कशी करायची?

जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले (Φ_o), ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज (V_DS) & स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता (N_A) सह आम्ही सूत्र - Drain's Depth of Depletion Region = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(जंक्शन पोटेंशियलमध्ये बांधले+ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज))/([Charge-e]*स्वीकारणारा डोपिंग एकाग्रता)) वापरून नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली शोधू शकतो. हे सूत्र सिलिकॉनची परवानगी, इलेक्ट्रॉनचा चार्ज स्थिर(चे) आणि स्क्वेअर रूट (sqrt) फंक्शन(s) देखील वापरते.

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली नकारात्मक असू शकते का?

नाही, नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली, लांबी मध्ये मोजलेले करू शकत नाही ऋण असू शकते.

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली मोजण्यासाठी कोणते एकक वापरले जाते?

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली हे सहसा लांबी साठी मीटर[m] वापरून मोजले जाते. मिलिमीटर[m], किलोमीटर[m], डेसिमीटर[m] ही काही इतर एकके आहेत ज्यात नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली मोजता येतात.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली सूत्र

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली उदाहरण

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली उपाय

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली सुत्र घटक

एमओएस ट्रान्झिस्टर वर्गातील इतर सूत्रे

नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली चे मूल्यमापन कसे करावे?

FAQs वर नाल्याशी संबंधित क्षीणता क्षेत्राची खोली

Variable Name