FormulaDen.com

भौतिकशास्त्र रसायनशास्त्र गणित रासायनिक अभियांत्रिकी दिवाणी विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन पदार्थ विज्ञान यांत्रिकी उत्पादन अभियांत्रिकी आर्थिक आरोग्य

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली सूत्र

Fx कॉपी करा

LaTeX कॉपी करा

ड्रेनसह पीएन जंक्शन डिप्लेशन डेप्थ ही ड्रेन टर्मिनलजवळील सेमीकंडक्टर सामग्रीमध्ये कमी होण्याच्या क्षेत्राचा विस्तार म्हणून परिभाषित केली जाते. FAQs तपासा

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot N A}) \cdot (Ø 0 + V ds)}

x_dD - नाल्यासह पीएन जंक्शन कमी करणे खोली?N_A - स्वीकारणारा एकाग्रता?Ø₀ - जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज?V_ds - स्त्रोत संभाव्यतेसाठी निचरा?[Permitivity-silicon] - सिलिकॉनची परवानगी?[Permitivity-vacuum] - व्हॅक्यूमची परवानगी?[Charge-e] - इलेक्ट्रॉनचा चार्ज?

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली उदाहरण

मूल्यांसह

युनिट्ससह

फक्त उदाहरण

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

0.5345 = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+16}) \cdot (0.76 + 1.45)}

0.5345μm = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

0.5345 = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+16}) \cdot (0.76 + 1.45)}

टीप: इनपुट मूल्ये आणि युनिट्स संपादित करण्यासाठी वरील पेन्सिल ( Pencil

) चिन्ह वापरा.

गणना करा

पुनर्गणना करा

उपाय

कॉपी करा

रीसेट करा

शेअर करा

आपण येथे आहात -

मुख्यपृष्ठ » Category

अभियांत्रिकी » Category

इलेक्ट्रॉनिक्स » Category

व्हीएलएसआय फॅब्रिकेशन » fx ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली उपाय

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot N A}) \cdot (Ø 0 + V ds)}

पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

पुढचे पाऊल स्थिरांकांची मूल्ये बदला

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

पुढचे पाऊल युनिट्स रूपांतरित करा

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+221/m³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+22}) \cdot (0.76 + 1.45)}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा

∴

x dD = 5.34466520692296E-07m

पुढचे पाऊल आउटपुट युनिटमध्ये रूपांतरित करा

∴

x dD = 0.534466520692296μm

शेवटची पायरी गोलाकार उत्तर

∴

x dD = 0.5345μm

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली सुत्र घटक

चल

स्थिरांक

कार्ये

नाल्यासह पीएन जंक्शन कमी करणे खोली

ड्रेनसह पीएन जंक्शन डिप्लेशन डेप्थ ही ड्रेन टर्मिनलजवळील सेमीकंडक्टर सामग्रीमध्ये कमी होण्याच्या क्षेत्राचा विस्तार म्हणून परिभाषित केली जाते.

चिन्ह: x_dD

मोजमाप: लांबीयुनिट: μm

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

नाल्यासह पीएन जंक्शन कमी करणे खोली शोधण्यासाठी सूत्रे

स्वीकारणारा एकाग्रता

स्वीकारणारा एकाग्रता अर्धसंवाहक सामग्रीमध्ये स्वीकारणारा डोपंट अणूंच्या एकाग्रतेचा संदर्भ देते.

चिन्ह: N_A

मोजमाप: वाहक एकाग्रतायुनिट: 1/cm³

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

स्वीकारणारा एकाग्रता शोधण्यासाठी सूत्रे

जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज

जंक्शन बिल्ट-इन व्होल्टेज हे थर्मल समतोल मध्ये अर्धसंवाहक जंक्शनवर अस्तित्वात असलेले व्होल्टेज म्हणून परिभाषित केले जाते, जेथे कोणतेही बाह्य व्होल्टेज लागू केले जात नाही.

चिन्ह: Ø₀

मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज शोधण्यासाठी सूत्रे

स्त्रोत संभाव्यतेसाठी निचरा

ड्रेन टू सोर्स पोटेन्शियल म्हणजे ड्रेन आणि सोर्स मधील संभाव्यता.

चिन्ह: V_ds

मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

स्त्रोत संभाव्यतेसाठी निचरा शोधण्यासाठी सूत्रे

सिलिकॉनची परवानगी

सिलिकॉनची परवानगी विद्युत क्षेत्रामध्ये विद्युत ऊर्जा संचयित करण्याची क्षमता मोजते, सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञानामध्ये महत्त्वपूर्ण आहे.

चिन्ह: [Permitivity-silicon]

मूल्य: 11.7

व्हॅक्यूमची परवानगी

व्हॅक्यूमची परवानगी ही एक मूलभूत भौतिक स्थिरता आहे जी विद्युत क्षेत्र रेषांच्या प्रसारणास परवानगी देण्यासाठी व्हॅक्यूमच्या क्षमतेचे वर्णन करते.

चिन्ह: [Permitivity-vacuum]

मूल्य: 8.85E-12 F/m

इलेक्ट्रॉनचा चार्ज

इलेक्ट्रॉनचा चार्ज हा एक मूलभूत भौतिक स्थिरांक आहे, जो इलेक्ट्रॉनद्वारे वाहून घेतलेल्या विद्युत शुल्काचे प्रतिनिधित्व करतो, जो ऋणात्मक विद्युत शुल्कासह प्राथमिक कण आहे.

चिन्ह: [Charge-e]

मूल्य: 1.60217662E-19 C

sqrt

स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते.

मांडणी: sqrt(Number)

VLSI मटेरियल ऑप्टिमायझेशन वर्गातील इतर सूत्रे

जा शरीर प्रभाव गुणांक

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

जा चॅनेल शुल्क

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

जा गंभीर व्होल्टेज

V x = E x \cdot E ch

जा DIBL गुणांक

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

अजून पहा

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली चे मूल्यमापन कसे करावे?

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली मूल्यांकनकर्ता नाल्यासह पीएन जंक्शन कमी करणे खोली, ड्रेन VLSI फॉर्म्युलासह PN जंक्शन डिप्लेशन डेप्थ ही ड्रेन टर्मिनलजवळील सेमीकंडक्टर सामग्रीमध्ये कमी होण्याच्या क्षेत्राचा विस्तार म्हणून परिभाषित केली जाते चे मूल्यमापन करण्यासाठी P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*स्वीकारणारा एकाग्रता))*(जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज+स्त्रोत संभाव्यतेसाठी निचरा)) वापरतो. नाल्यासह पीएन जंक्शन कमी करणे खोली हे x_dD चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली साठी वापरण्यासाठी, स्वीकारणारा एकाग्रता (N_A), जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज (Ø₀) & स्त्रोत संभाव्यतेसाठी निचरा (V_ds) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली शोधण्याचे सूत्र काय आहे?

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली चे सूत्र P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*स्वीकारणारा एकाग्रता))*(जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज+स्त्रोत संभाव्यतेसाठी निचरा)) म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- 534466.5 = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*1E+22))*(0.76+1.45)).

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली ची गणना कशी करायची?

स्वीकारणारा एकाग्रता (N_A), जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज (Ø₀) & स्त्रोत संभाव्यतेसाठी निचरा (V_ds) सह आम्ही सूत्र - P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*स्वीकारणारा एकाग्रता))*(जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज+स्त्रोत संभाव्यतेसाठी निचरा)) वापरून ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली शोधू शकतो. हे सूत्र सिलिकॉनची परवानगी, व्हॅक्यूमची परवानगी, इलेक्ट्रॉनचा चार्ज स्थिर(चे) आणि स्क्वेअर रूट (sqrt) फंक्शन(s) देखील वापरते.

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली नकारात्मक असू शकते का?

नाही, ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली, लांबी मध्ये मोजलेले करू शकत नाही ऋण असू शकते.

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली मोजण्यासाठी कोणते एकक वापरले जाते?

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली हे सहसा लांबी साठी मायक्रोमीटर[μm] वापरून मोजले जाते. मीटर[μm], मिलिमीटर[μm], किलोमीटर[μm] ही काही इतर एकके आहेत ज्यात ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली मोजता येतात.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: मूल्य
: युनिट

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली सूत्र

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली उदाहरण

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली उपाय

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली सुत्र घटक

VLSI मटेरियल ऑप्टिमायझेशन वर्गातील इतर सूत्रे

ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली चे मूल्यमापन कसे करावे?

FAQs वर ड्रेन व्हीएलएसआयसह पीएन जंक्शन कमी करण्याची खोली

Variable Name