FormulaDen.com

भौतिकशास्त्र रसायनशास्त्र गणित रासायनिक अभियांत्रिकी दिवाणी विद्युत इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रॉनिक्स आणि इन्स्ट्रुमेंटेशन पदार्थ विज्ञान यांत्रिकी उत्पादन अभियांत्रिकी आर्थिक आरोग्य

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत सूत्र

जाNMOS च्या वर्तमान एंटरिंग ड्रेन टर्मिनलला गेट सोर्स व्होल्टेज दिलेला आहे सुत्र

जाएनएमओएसच्या ट्रायोड प्रदेशातील ड्रेन-स्रोत सध्या प्रवेश करत आहे सुत्र

Fx कॉपी करा

LaTeX कॉपी करा

NMOS मधील ड्रेन करंट म्हणजे ड्रेनमधून फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) किंवा मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (MOSFET) च्या स्त्रोताकडे वाहणारा विद्युत प्रवाह. FAQs तपासा

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V ds)}^{2}

I_d - NMOS मधील प्रवाह?k'_n - NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर?W_c - चॅनेलची रुंदी?L - चॅनेलची लांबी?V_ds - ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज?

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत उदाहरण

मूल्यांसह

युनिट्ससह

फक्त उदाहरण

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत समीकरण मूल्यांसह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत समीकरण युनिट्ससह सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत समीकरण सारखे कसे दिसते ते येथे आहे.

236.883 = \frac{1}{2} \cdot 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot {(8.43)}^{2}

236.883mA = \frac{1}{2} \cdot 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot {(8.43V)}^{2}

236.883 = \frac{1}{2} \cdot 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot {(8.43)}^{2}

टीप: इनपुट मूल्ये आणि युनिट्स संपादित करण्यासाठी वरील पेन्सिल ( Pencil

) चिन्ह वापरा.

गणना करा

पुनर्गणना करा

उपाय

कॉपी करा

रीसेट करा

शेअर करा

आपण येथे आहात -

मुख्यपृष्ठ » Category

अभियांत्रिकी » Category

इलेक्ट्रॉनिक्स » Category

अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » fx एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत उपाय

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत ची गणना कशी करायची यावर आमचे चरण-दर-चरण उपाय फॉलो करा?

पहिली पायरी सूत्राचा विचार करा

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V ds)}^{2}

पुढचे पाऊल व्हेरिएबल्सची पर्यायी मूल्ये

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot {(8.43V)}^{2}

पुढचे पाऊल युनिट्स रूपांतरित करा

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.002S \cdot \frac{1E-5m}{3E-6m} \cdot {(8.43V)}^{2}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करण्याची तयारी करा

∴

I d = \frac{1}{2} \cdot 0.002 \cdot \frac{1E-5}{3E-6} \cdot {(8.43)}^{2}

पुढचे पाऊल मूल्यांकन करा

∴

I d = 0.236883A

शेवटची पायरी आउटपुट युनिटमध्ये रूपांतरित करा

∴

I d = 236.883mA

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत सुत्र घटक

चल

NMOS मधील प्रवाह

चिन्ह: I_d

मोजमाप: विद्युतप्रवाहयुनिट: mA

नोंद: मूल्य 0 पेक्षा जास्त असावे.

NMOS मधील प्रवाह शोधण्यासाठी सूत्रे

NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर

NMOS (PTM) मधील प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर हे सेमीकंडक्टर उपकरण मॉडेलिंगमध्ये ट्रान्झिस्टरचे कार्यप्रदर्शन वैशिष्ट्यीकृत करण्यासाठी वापरलेले पॅरामीटर आहे.

चिन्ह: k'_n

मोजमाप: इलेक्ट्रिक कंडक्टन्सयुनिट: mS

नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.

NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर शोधण्यासाठी सूत्रे

चॅनेलची रुंदी

चॅनेलची रुंदी संप्रेषण चॅनेलमध्ये डेटा प्रसारित करण्यासाठी उपलब्ध बँडविड्थच्या प्रमाणाचा संदर्भ देते.

चिन्ह: W_c

मोजमाप: लांबीयुनिट: μm

नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.

चॅनेलची रुंदी शोधण्यासाठी सूत्रे

चॅनेलची लांबी

चॅनेलची लांबी त्याच्या प्रारंभ आणि शेवटच्या बिंदूंमधील अंतर म्हणून परिभाषित केली जाऊ शकते आणि त्याच्या उद्देश आणि स्थानावर अवलंबून मोठ्या प्रमाणात बदलू शकते.

चिन्ह: L

मोजमाप: लांबीयुनिट: μm

नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.

चॅनेलची लांबी शोधण्यासाठी सूत्रे

ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज

ड्रेन सोर्स व्होल्टेज हा एक इलेक्ट्रिकल शब्द आहे जो इलेक्ट्रॉनिक्समध्ये आणि विशेषतः फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरमध्ये वापरला जातो. हे FET च्या ड्रेन आणि सोर्स टर्मिनल्समधील व्होल्टेज फरकाचा संदर्भ देते.

चिन्ह: V_ds

मोजमाप: विद्युत क्षमतायुनिट: V

नोंद: मूल्य सकारात्मक किंवा नकारात्मक असू शकते.

ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज शोधण्यासाठी सूत्रे

NMOS मधील प्रवाह शोधण्यासाठी इतर सूत्रे

जा NMOS च्या वर्तमान एंटरिंग ड्रेन टर्मिनलला गेट सोर्स व्होल्टेज दिलेला आहे

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

जा एनएमओएसच्या ट्रायोड प्रदेशातील ड्रेन-स्रोत सध्या प्रवेश करत आहे

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

जा NMOS च्या संपृक्तता क्षेत्रामध्ये प्रवाह प्रवेश करणारी ड्रेन-स्रोत

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V gs - V T)}^{2}

जा जेव्हा NMOS व्होल्टेज-नियंत्रित वर्तमान स्त्रोत म्हणून कार्य करते तेव्हा प्रवाह काढून टाका

I d = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V gs - V T)}^{2}

अजून पहा

एन चॅनेल वर्धित वर्गातील इतर सूत्रे

जा एनएमओएस ट्रान्झिस्टरमधील चॅनेलचा इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग

v d = μ n \cdot E L

जा रेखीय प्रतिकार म्हणून NMOS

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

जा एनएमओएसच्या संपृक्ततेच्या प्रदेशातील प्रवाहात प्रवेश करणार्‍या ड्रेन-स्रोतला प्रभावी व्होल्टेज दिलेला आहे

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V ov)}^{2}

जा एनएमओएसमध्ये चॅनेलची लांबी दिलेली पॉझिटिव्ह व्होल्टेज

V = V A \cdot L

अजून पहा

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत चे मूल्यमापन कसे करावे?

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत मूल्यांकनकर्ता NMOS मधील प्रवाह, एनएमओएस सूत्राच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड क्षेत्राच्या सीमेवर वर्तमान प्रवेश करणारा ड्रेन स्त्रोत सिलिकॉन चिपची वर्तमान वहन क्षमता दर्शवितो; वेगवेगळ्या उपकरणांची तुलना करताना ते मार्गदर्शक म्हणून वापरले जाऊ शकते चे मूल्यमापन करण्यासाठी Drain Current in NMOS = 1/2*NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*(ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)^2 वापरतो. NMOS मधील प्रवाह हे I_d चिन्हाने दर्शविले जाते.

हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता वापरून एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत चे मूल्यमापन कसे करायचे? हा ऑनलाइन मूल्यांकनकर्ता एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत साठी वापरण्यासाठी, NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर (k'_n), चॅनेलची रुंदी (W_c), चॅनेलची लांबी (L) & ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज (V_ds) प्रविष्ट करा आणि गणना बटण दाबा.

FAQs वर एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत शोधण्याचे सूत्र काय आहे?

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत चे सूत्र Drain Current in NMOS = 1/2*NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*(ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)^2 म्हणून व्यक्त केले आहे. येथे एक उदाहरण आहे- 236883 = 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.43)^2.

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत ची गणना कशी करायची?

NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर (k'_n), चॅनेलची रुंदी (W_c), चॅनेलची लांबी (L) & ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज (V_ds) सह आम्ही सूत्र - Drain Current in NMOS = 1/2*NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*(ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)^2 वापरून एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत शोधू शकतो.

NMOS मधील प्रवाह ची गणना करण्याचे इतर कोणते मार्ग आहेत?

NMOS मधील प्रवाह-

Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*Drain Source Voltage^2)
Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*(Drain Source Voltage)^2)
Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Gate Source Voltage-Threshold Voltage)^2

ची गणना करण्याचे वेगवेगळे मार्ग येथे आहेत

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत नकारात्मक असू शकते का?

नाही, एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत, विद्युतप्रवाह मध्ये मोजलेले करू शकत नाही ऋण असू शकते.

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत मोजण्यासाठी कोणते एकक वापरले जाते?

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत हे सहसा विद्युतप्रवाह साठी मिलीअँपिअर[mA] वापरून मोजले जाते. अँपिअर[mA], मायक्रोअँपीअर[mA], सेंटीअँपियर[mA] ही काही इतर एकके आहेत ज्यात एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत मोजता येतात.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: मूल्य
: युनिट

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत सूत्र

​जाNMOS च्या वर्तमान एंटरिंग ड्रेन टर्मिनलला गेट सोर्स व्होल्टेज दिलेला आहे सुत्र

​जाएनएमओएसच्या ट्रायोड प्रदेशातील ड्रेन-स्रोत सध्या प्रवेश करत आहे सुत्र

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत उदाहरण

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत उपाय

एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत सुत्र घटक

NMOS मधील प्रवाह शोधण्यासाठी इतर सूत्रे

एन चॅनेल वर्धित वर्गातील इतर सूत्रे

FAQs वर एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत

Variable Name

जाNMOS च्या वर्तमान एंटरिंग ड्रेन टर्मिनलला गेट सोर्स व्होल्टेज दिलेला आहे सुत्र

जाएनएमओएसच्या ट्रायोड प्रदेशातील ड्रेन-स्रोत सध्या प्रवेश करत आहे सुत्र