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Formula VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto

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La tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto è definita come un contributo aggiuntivo alla tensione di soglia dovuto agli effetti a canale stretto nel MOSFET. Controlla FAQs

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

ΔV_T0(nc) - Tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto?k - Parametro empirico?x_dm - Deplezione di massa in estensione verticale nel substrato?W_c - Larghezza del canale?C_oxide - Capacità di ossido per unità di area?N_A - Concentrazione dell'accettore?Φ_s - Potenziale di superficie?[Charge-e] - Carica dell'elettrone?[Permitivity-vacuum] - Permittività del vuoto?[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio?

Esempio di VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto con Valori.

Ecco come appare l'equazione VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto con unità.

Ecco come appare l'equazione VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto.

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

2.3825V = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto?

Primo passo Considera la formula

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 1E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Passo successivo Converti unità

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6m}{2.5E-6m \cdot 0.0007F/m²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Passo successivo Preparati a valutare

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6}{2.5E-6 \cdot 0.0007}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+22 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Passo successivo Valutare

∴

ΔV T0(nc) = 2.38246289976913V

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

ΔV T0(nc) = 2.3825V

VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto Formula Elementi

Variabili

Costanti

Funzioni

Tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto

La tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto è definita come un contributo aggiuntivo alla tensione di soglia dovuto agli effetti a canale stretto nel MOSFET.

Simbolo: ΔV_T0(nc)

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto

Parametro empirico

Il parametro empirico è una costante o un valore utilizzato in un modello, un'equazione o una teoria che deriva da esperimenti e osservazioni anziché essere dedotto teoricamente.

Simbolo: k

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Parametro empirico

Deplezione di massa in estensione verticale nel substrato

L'esaurimento di massa in estensione verticale nel substrato si riferisce alla profondità della regione di svuotamento nel substrato (massa) del MOSFET.

Simbolo: x_dm

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Deplezione di massa in estensione verticale nel substrato

Larghezza del canale

La larghezza del canale è definita come la larghezza fisica del canale del semiconduttore tra i terminali di source e drain all'interno della struttura del transistor.

Simbolo: W_c

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Larghezza del canale

Capacità di ossido per unità di area

La capacità di ossido per unità di area è definita come la capacità per unità di area dello strato di ossido isolante che separa il gate metallico dal materiale semiconduttore.

Simbolo: C_oxide

Misurazione: Capacità di ossido per area unitariaUnità: μF/cm²

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità di ossido per unità di area

Concentrazione dell'accettore

La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.

Simbolo: N_A

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione dell'accettore

Potenziale di superficie

Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile.

Simbolo: Φ_s

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Potenziale di superficie

Carica dell'elettrone

La carica dell'elettrone è una costante fisica fondamentale, che rappresenta la carica elettrica trasportata da un elettrone, che è la particella elementare con una carica elettrica negativa.

Simbolo: [Charge-e]

Valore: 1.60217662E-19 C

Permittività del vuoto

La permettività del vuoto è una costante fisica fondamentale che descrive la capacità del vuoto di consentire la trasmissione delle linee del campo elettrico.

Simbolo: [Permitivity-vacuum]

Valore: 8.85E-12 F/m

Permittività del silicio

La permettività del silicio misura la sua capacità di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico, fondamentale nella tecnologia dei semiconduttori.

Simbolo: [Permitivity-silicon]

Valore: 11.7

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

abs

Il valore assoluto di un numero è la sua distanza da zero sulla retta numerica. È sempre un valore positivo, poiché rappresenta la grandezza di un numero senza considerare la sua direzione.

Sintassi: abs(Number)

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va Coefficiente di effetto corporeo

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

va Channel Charge

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

Vedi altro OpenImg

Come valutare VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto?

Il valutatore VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto utilizza Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Parametro empirico*Deplezione di massa in estensione verticale nel substrato)/(Larghezza del canale*Capacità di ossido per unità di area))*(sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione dell'accettore*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Potenziale di superficie))) per valutare Tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto, La formula VLSI della tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto è definita come un contributo aggiuntivo alla tensione di soglia dovuto agli effetti a canale stretto nel MOSFET. Tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto è indicato dal simbolo ΔV_T0(nc).

Come valutare VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto, inserisci Parametro empirico (k), Deplezione di massa in estensione verticale nel substrato (x_dm), Larghezza del canale (W_c), Capacità di ossido per unità di area (C_oxide), Concentrazione dell'accettore (N_A) & Potenziale di superficie (Φ_s) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto

Qual è la formula per trovare VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto?

La formula di VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto è espressa come Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Parametro empirico*Deplezione di massa in estensione verticale nel substrato)/(Larghezza del canale*Capacità di ossido per unità di area))*(sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione dell'accettore*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Potenziale di superficie))). Ecco un esempio: 2.382463 = ((1.57*1.25E-06)/(2.5E-06*0.000703))*(sqrt(2*[Charge-e]*1E+22*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*6.86))).

Come calcolare VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto?

Con Parametro empirico (k), Deplezione di massa in estensione verticale nel substrato (x_dm), Larghezza del canale (W_c), Capacità di ossido per unità di area (C_oxide), Concentrazione dell'accettore (N_A) & Potenziale di superficie (Φ_s) possiamo trovare VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto utilizzando la formula - Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Parametro empirico*Deplezione di massa in estensione verticale nel substrato)/(Larghezza del canale*Capacità di ossido per unità di area))*(sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione dell'accettore*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Potenziale di superficie))). Questa formula utilizza anche le funzioni Carica dell'elettrone, Permittività del vuoto, Permittività del silicio costante(i) e , Radice quadrata (sqrt), Assoluto (abs).

Il VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto può essere negativo?

NO, VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto, misurato in Potenziale elettrico non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto?

VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare VLSI di tensione di soglia aggiuntiva a canale stretto.

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