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La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente drain e la variazione della tensione gate-source, assumendo una tensione drain-source costante. Controlla FAQs
gm=Go⋅(1-Vi-VgVp)
gm - Transconduttanza?Go - Conduttanza di uscita?Vi - Barriera potenziale del diodo Schottky?Vg - Tensione di porta?Vp - Interruzione della tensione?

Esempio di Transconduttanza nella regione di saturazione

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza nella regione di saturazione con Valori.

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza nella regione di saturazione con unità.

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza nella regione di saturazione.

0.051Edit=0.174Edit⋅(1-15.9Edit-9.62Edit12.56Edit)
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HomeIcon Casa » Category Ingegneria » Category Elettronica » Category Teoria delle microonde » fx Transconduttanza nella regione di saturazione

Transconduttanza nella regione di saturazione Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Transconduttanza nella regione di saturazione?

Primo passo Considera la formula
gm=Go⋅(1-Vi-VgVp)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
∴ gm=0.174S⋅(1-15.9V-9.62V12.56V)
Passo successivo Preparati a valutare
∴ gm=0.174⋅(1-15.9-9.6212.56)
Passo successivo Valutare
∴gm=0.0509634200735407S
Ultimo passo Risposta arrotondata
∴gm=0.051S

Transconduttanza nella regione di saturazione Formula Elementi

Variabili
Funzioni
Transconduttanza
La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente drain e la variazione della tensione gate-source, assumendo una tensione drain-source costante.
Simbolo: gm
Misurazione: TransconduttanzaUnità: S
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare TransconduttanzaOpen Variable
Conduttanza di uscita
La conduttanza di uscita rappresenta la conduttanza drain-source di piccolo segnale del MOSFET quando la tensione gate-source viene mantenuta costante.
Simbolo: Go
Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: S
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare Conduttanza di uscitaOpen Variable
Barriera potenziale del diodo Schottky
La barriera potenziale del diodo Schottky è la barriera energetica che esiste all'interfaccia tra un metallo e un materiale semiconduttore in un diodo Schottky.
Simbolo: Vi
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Barriera potenziale del diodo SchottkyOpen Variable
Tensione di porta
La tensione di gate si riferisce alla tensione applicata al terminale di controllo di un MESFET per regolarne la conduttanza. La tensione di gate determina il numero di portatori di carica liberi nel canale.
Simbolo: Vg
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Tensione di portaOpen Variable
Interruzione della tensione
La tensione di chiusura è la tensione di gate alla quale il canale viene completamente bloccato ed è un parametro chiave nel funzionamento dei FET. È un parametro importante nella progettazione del circuito.
Simbolo: Vp
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Interruzione della tensioneOpen Variable
sqrt
Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.
Sintassi: sqrt(Number)

Altre formule per trovare Transconduttanza

​va Transconduttanza nel MESFET
gm=2⋅Cgs⋅π⋅fco

Altre formule nella categoria Caratteristiche del MESFET

​va Lunghezza del cancello del MESFET
Lgate=Vs4⋅π⋅fco
​va Frequenza di taglio
fco=Vs4⋅π⋅Lgate
​va Capacità della sorgente di gate
Cgs=gm2⋅π⋅fco
​va Frequenza massima delle oscillazioni in MESFET
fm=(ft2)⋅RdRg

Come valutare Transconduttanza nella regione di saturazione?

Il valutatore Transconduttanza nella regione di saturazione utilizza Transconductance = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Barriera potenziale del diodo Schottky-Tensione di porta)/Interruzione della tensione)) per valutare Transconduttanza, La formula della transconduttanza nella regione di saturazione è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di drain e la variazione della tensione di gate a una tensione di drain fissa, mentre il dispositivo funziona nella regione di saturazione. È una misura della capacità del dispositivo di amplificare piccoli cambiamenti nella tensione di ingresso applicata all'elettrodo di gate. Transconduttanza è indicato dal simbolo gm.

Come valutare Transconduttanza nella regione di saturazione utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Transconduttanza nella regione di saturazione, inserisci Conduttanza di uscita (Go), Barriera potenziale del diodo Schottky (Vi), Tensione di porta (Vg) & Interruzione della tensione (Vp) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Transconduttanza nella regione di saturazione

Qual è la formula per trovare Transconduttanza nella regione di saturazione?
La formula di Transconduttanza nella regione di saturazione è espressa come Transconductance = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Barriera potenziale del diodo Schottky-Tensione di porta)/Interruzione della tensione)). Ecco un esempio: 0.050963 = 0.174*(1-sqrt((15.9-9.62)/12.56)).
Come calcolare Transconduttanza nella regione di saturazione?
Con Conduttanza di uscita (Go), Barriera potenziale del diodo Schottky (Vi), Tensione di porta (Vg) & Interruzione della tensione (Vp) possiamo trovare Transconduttanza nella regione di saturazione utilizzando la formula - Transconductance = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Barriera potenziale del diodo Schottky-Tensione di porta)/Interruzione della tensione)). Questa formula utilizza anche le funzioni Radice quadrata (sqrt).
Quali sono gli altri modi per calcolare Transconduttanza?
Ecco i diversi modi per calcolare Transconduttanza-
  • Transconductance=2*Gate Source Capacitance*pi*Cut-off FrequencyOpenImg
Il Transconduttanza nella regione di saturazione può essere negativo?
SÌ, Transconduttanza nella regione di saturazione, misurato in Transconduttanza Potere può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Transconduttanza nella regione di saturazione?
Transconduttanza nella regione di saturazione viene solitamente misurato utilizzando Siemens[S] per Transconduttanza. Millisiemens[S] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Transconduttanza nella regione di saturazione.
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