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Formula Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET

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La transconduttanza del MESFET è un parametro chiave nei MESFET, che rappresenta la variazione della corrente di drain rispetto alla variazione della tensione gate-source. Controlla FAQs

G m = g 0 \cdot (1 - \sqrt{\frac{V i - V G}{V p}})

G_m - Transconduttanza del MESFET?g₀ - Conduttanza di uscita?V_i - Tensione di ingresso?V_G - Soglia di voltaggio?V_p - Tensione di pinch-off?

Esempio di Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET con Valori.

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET con unità.

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET.

0.0631 = 0.152 \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25 - 1.562}{2.01}})

0.0631S = 0.152S \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25V - 1.562V}{2.01V}})

0.0631 = 0.152 \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25 - 1.562}{2.01}})

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET?

Primo passo Considera la formula

G m = g 0 \cdot (1 - \sqrt{\frac{V i - V G}{V p}})

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

G m = 0.152S \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25V - 1.562V}{2.01V}})

Passo successivo Preparati a valutare

∴

G m = 0.152 \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25 - 1.562}{2.01}})

Passo successivo Valutare

∴

G m = 0.0630717433777618S

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

G m = 0.0631S

Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET Formula Elementi

Variabili

Funzioni

Transconduttanza del MESFET

La transconduttanza del MESFET è un parametro chiave nei MESFET, che rappresenta la variazione della corrente di drain rispetto alla variazione della tensione gate-source.

Simbolo: G_m

Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: S

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Transconduttanza del MESFET

Conduttanza di uscita

La conduttanza di uscita è un parametro che caratterizza il comportamento di un transistor ad effetto di campo (FET) nella sua regione di saturazione.

Simbolo: g₀

Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: S

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Conduttanza di uscita

Tensione di ingresso

La tensione di ingresso è la differenza di potenziale elettrico applicata ai terminali di ingresso di un componente o sistema.

Simbolo: V_i

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione di ingresso

Soglia di voltaggio

La tensione di soglia è definita come la tensione alla quale il transistor inizia a condurre.

Simbolo: V_G

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Soglia di voltaggio

Tensione di pinch-off

La tensione di pinch-off rappresenta la tensione gate-source alla quale il canale del MESFET si chiude o "si stacca".

Simbolo: V_p

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione di pinch-off

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

Altre formule nella categoria Amplificatori a transistor

va Frequenza di taglio MESFET

f co = \frac{G m}{2 \cdot π \cdot C gs}

va Frequenza operativa massima

f max = \frac{f co}{2} \cdot \sqrt{\frac{R d}{R s + R i + R g}}

va Frequenza massima di oscillazione

f max o = \frac{v s}{2 \cdot π \cdot L c}

va Fattore di rumore GaAs MESFET

NF = 1 + 2 \cdot ω \cdot \frac{C gs}{G m} \cdot \sqrt{\frac{R s - R gate}{R i}}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET?

Il valutatore Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET utilizza Transconductance of the MESFET = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)/Tensione di pinch-off)) per valutare Transconduttanza del MESFET, La transconduttanza nella regione di saturazione nella formula MESFET è definita come misura la sensibilità della corrente di drain (Id) ai cambiamenti nella tensione gate-source (Vgs) quando il transistor funziona nella sua regione lineare o a piccolo segnale. Transconduttanza del MESFET è indicato dal simbolo G_m.

Come valutare Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET, inserisci Conduttanza di uscita (g₀), Tensione di ingresso (V_i), Soglia di voltaggio (V_G) & Tensione di pinch-off (V_p) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET

Qual è la formula per trovare Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET?

La formula di Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET è espressa come Transconductance of the MESFET = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)/Tensione di pinch-off)). Ecco un esempio: 0.063072 = 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01)).

Come calcolare Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET?

Con Conduttanza di uscita (g₀), Tensione di ingresso (V_i), Soglia di voltaggio (V_G) & Tensione di pinch-off (V_p) possiamo trovare Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET utilizzando la formula - Transconductance of the MESFET = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)/Tensione di pinch-off)). Questa formula utilizza anche le funzioni Radice quadrata (sqrt).

Il Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET può essere negativo?

NO, Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET, misurato in Conduttanza elettrica non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET?

Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET viene solitamente misurato utilizzando Siemens[S] per Conduttanza elettrica. Megasiemens[S], Millisiemens[S], Mho[S] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET.

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