Formula Transconduttanza nei MOSFET

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La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante. Controlla FAQs
gm=2idVov
gm - Transconduttanza?id - Assorbimento di corrente?Vov - Tensione di overdrive?

Esempio di Transconduttanza nei MOSFET

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza nei MOSFET con Valori.

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza nei MOSFET con unità.

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza nei MOSFET.

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Transconduttanza nei MOSFET Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Transconduttanza nei MOSFET?

Primo passo Considera la formula
gm=2idVov
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
gm=20.08mA0.32V
Passo successivo Converti unità
gm=28E-5A0.32V
Passo successivo Preparati a valutare
gm=28E-50.32
Passo successivo Valutare
gm=0.0005S
Ultimo passo Converti nell'unità di output
gm=0.5mS

Transconduttanza nei MOSFET Formula Elementi

Variabili
Transconduttanza
La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.
Simbolo: gm
Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: mS
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Assorbimento di corrente
La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.
Simbolo: id
Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Tensione di overdrive
La tensione di overdrive è un termine utilizzato in elettronica e si riferisce al livello di tensione applicato a un dispositivo o componente che supera la normale tensione operativa.
Simbolo: Vov
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Altre formule nella categoria Transconduttanza

​va Guadagno di tensione massimo al punto di polarizzazione
Avm=2Vdd-VeffVeff
​va Guadagno di tensione massimo dato tutte le tensioni
Avm=Vdd-0.3Vt
​va Guadagno di tensione data la tensione di drain
Av=idRL2Veff
​va Guadagno di tensione data la resistenza di carico del MOSFET
Av=gm11RL+1Rout1+gmRs

Come valutare Transconduttanza nei MOSFET?

Il valutatore Transconduttanza nei MOSFET utilizza Transconductance = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive per valutare Transconduttanza, La transconduttanza nel MOSFET dipende da tre parametri (W/L), Veff e Id. Due dei quali possono essere scelti indipendentemente. Qui viene utilizzata la tensione effettiva Veff e ad una particolare corrente Id. È quindi possibile trovare il rapporto W/L richiesto e determinare il gm risultante. Transconduttanza è indicato dal simbolo gm.

Come valutare Transconduttanza nei MOSFET utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Transconduttanza nei MOSFET, inserisci Assorbimento di corrente (id) & Tensione di overdrive (Vov) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Transconduttanza nei MOSFET

Qual è la formula per trovare Transconduttanza nei MOSFET?
La formula di Transconduttanza nei MOSFET è espressa come Transconductance = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive. Ecco un esempio: 500 = (2*8E-05)/0.32.
Come calcolare Transconduttanza nei MOSFET?
Con Assorbimento di corrente (id) & Tensione di overdrive (Vov) possiamo trovare Transconduttanza nei MOSFET utilizzando la formula - Transconductance = (2*Assorbimento di corrente)/Tensione di overdrive.
Il Transconduttanza nei MOSFET può essere negativo?
SÌ, Transconduttanza nei MOSFET, misurato in Conduttanza elettrica Potere può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Transconduttanza nei MOSFET?
Transconduttanza nei MOSFET viene solitamente misurato utilizzando Millisiemens[mS] per Conduttanza elettrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Transconduttanza nei MOSFET.
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