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Formula Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo

vaTransconduttanza di processo data la transconduttanza e la corrente di drain Formula

vaTransconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive Formula

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Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor. Controlla FAQs

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

k'_n - Parametro di transconduttanza di processo?g_m - Transconduttanza?WL - Proporzioni?V_gs - Tensione gate-source?V_th - Soglia di voltaggio?

Esempio di Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo con Valori.

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo con unità.

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo.

0.0156 = \frac{0.5}{0.1 \cdot (4 - 3.68)}

0.0156A/V² = \frac{0.5mS}{0.1 \cdot (4V - 3.68V)}

0.0156 = \frac{0.5}{0.1 \cdot (4 - 3.68)}

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Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo?

Primo passo Considera la formula

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

k' n = \frac{0.5mS}{0.1 \cdot (4V - 3.68V)}

Passo successivo Converti unità

∴

k' n = \frac{0.0005S}{0.1 \cdot (4V - 3.68V)}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

k' n = \frac{0.0005}{0.1 \cdot (4 - 3.68)}

Passo successivo Valutare

∴

k' n = 0.015625A/V²

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

k' n = 0.0156A/V²

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo Formula Elementi

Variabili

Parametro di transconduttanza di processo

Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.

Simbolo: k'_n

Misurazione: Parametro di transconduttanzaUnità: A/V²

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Parametro di transconduttanza di processo

Transconduttanza

La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.

Simbolo: g_m

Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: mS

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Transconduttanza

Proporzioni

Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente

Simbolo: WL

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Proporzioni

Tensione gate-source

La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.

Simbolo: V_gs

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione gate-source

Soglia di voltaggio

La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

Simbolo: V_th

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Soglia di voltaggio

Altre formule per trovare Parametro di transconduttanza di processo

va Transconduttanza di processo data la transconduttanza e la corrente di drain

k' n = \frac{{g m}^{2}}{2 \cdot WL \cdot i d}

va Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

k' n = \frac{g m}{WL \cdot V ov}

Altre formule nella categoria Transconduttanza

va Assorbimento di corrente tramite transconduttanza

i d = (V ov) \cdot \frac{g m}{2}

va Transconduttanza data corrente di drenaggio

g m = \sqrt{2 \cdot k' n \cdot WL \cdot i d}

va Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

va Transconduttanza utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

g m = k' n \cdot WL \cdot V ov

Vedi altro OpenImg

Come valutare Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo?

Il valutatore Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo utilizza Process Transconductance Parameter = Transconduttanza/(Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)) per valutare Parametro di transconduttanza di processo, Il MOSFET Transconductance using Process Transconductance Parameter è la variazione della corrente di drain divisa per la piccola variazione della tensione gate/source con una tensione drain/source costante. Parametro di transconduttanza di processo è indicato dal simbolo k'_n.

Come valutare Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo, inserisci Transconduttanza (g_m), Proporzioni (WL), Tensione gate-source (V_gs) & Soglia di voltaggio (V_th) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo

Qual è la formula per trovare Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo?

La formula di Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo è espressa come Process Transconductance Parameter = Transconduttanza/(Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)). Ecco un esempio: 0.015625 = 0.0005/(0.1*(4-3.68)).

Come calcolare Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo?

Con Transconduttanza (g_m), Proporzioni (WL), Tensione gate-source (V_gs) & Soglia di voltaggio (V_th) possiamo trovare Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo utilizzando la formula - Process Transconductance Parameter = Transconduttanza/(Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)).

Quali sono gli altri modi per calcolare Parametro di transconduttanza di processo?

Ecco i diversi modi per calcolare Parametro di transconduttanza di processo-

Process Transconductance Parameter=Transconductance^2/(2*Aspect Ratio*Drain Current)
Process Transconductance Parameter=Transconductance/(Aspect Ratio*Overdrive Voltage)

Il Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo può essere negativo?

SÌ, Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo, misurato in Parametro di transconduttanza Potere può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo?

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo viene solitamente misurato utilizzando Ampere per Volt Quadrato[A/V²] per Parametro di transconduttanza. Milliampere per Volt Quadrato[A/V²], Microampere per Volt Quadrato[A/V²] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo.

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Formula Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo

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Esempio di Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo

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