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Formula Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

vaTransconduttanza di processo data la transconduttanza e la corrente di drain Formula

vaTransconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo Formula

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Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor. Controlla FAQs

k' n = \frac{g m}{WL \cdot V ov}

k'_n - Parametro di transconduttanza di processo?g_m - Transconduttanza?WL - Proporzioni?V_ov - Tensione di overdrive?

Esempio di Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive con Valori.

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive con unità.

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive.

0.0156 = \frac{0.5}{0.1 \cdot 0.32}

0.0156A/V² = \frac{0.5mS}{0.1 \cdot 0.32V}

0.0156 = \frac{0.5}{0.1 \cdot 0.32}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Elettronica analogica » fx Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive?

Primo passo Considera la formula

k' n = \frac{g m}{WL \cdot V ov}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

k' n = \frac{0.5mS}{0.1 \cdot 0.32V}

Passo successivo Converti unità

∴

k' n = \frac{0.0005S}{0.1 \cdot 0.32V}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

k' n = \frac{0.0005}{0.1 \cdot 0.32}

Passo successivo Valutare

∴

k' n = 0.015625A/V²

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

k' n = 0.0156A/V²

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive Formula Elementi

Variabili

Parametro di transconduttanza di processo

Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.

Simbolo: k'_n

Misurazione: Parametro di transconduttanzaUnità: A/V²

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Parametro di transconduttanza di processo

Transconduttanza

La transconduttanza è definita come il rapporto tra la variazione della corrente di uscita e la variazione della tensione di ingresso, con la tensione gate-source mantenuta costante.

Simbolo: g_m

Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: mS

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Transconduttanza

Proporzioni

Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente

Simbolo: WL

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Proporzioni

Tensione di overdrive

La tensione di overdrive è un termine utilizzato in elettronica e si riferisce al livello di tensione applicato a un dispositivo o componente che supera la normale tensione operativa.

Simbolo: V_ov

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione di overdrive

Altre formule per trovare Parametro di transconduttanza di processo

va Transconduttanza di processo data la transconduttanza e la corrente di drain

k' n = \frac{{g m}^{2}}{2 \cdot WL \cdot i d}

va Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo

k' n = \frac{g m}{WL \cdot (V gs - V th)}

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va Assorbimento di corrente tramite transconduttanza

i d = (V ov) \cdot \frac{g m}{2}

va Transconduttanza data corrente di drenaggio

g m = \sqrt{2 \cdot k' n \cdot WL \cdot i d}

va Transconduttanza dato Parametro di transconduttanza di processo

g m = k' n \cdot WL \cdot (V gs - V th)

va Transconduttanza utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

g m = k' n \cdot WL \cdot V ov

Vedi altro OpenImg

Come valutare Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive?

Il valutatore Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive utilizza Process Transconductance Parameter = Transconduttanza/(Proporzioni*Tensione di overdrive) per valutare Parametro di transconduttanza di processo, La transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive è la variazione della corrente di drain divisa per la piccola variazione della tensione gate/source con una tensione drain/source costante. Parametro di transconduttanza di processo è indicato dal simbolo k'_n.

Come valutare Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive, inserisci Transconduttanza (g_m), Proporzioni (WL) & Tensione di overdrive (V_ov) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive

Qual è la formula per trovare Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive?

La formula di Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive è espressa come Process Transconductance Parameter = Transconduttanza/(Proporzioni*Tensione di overdrive). Ecco un esempio: 0.015625 = 0.0005/(0.1*0.32).

Come calcolare Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive?

Con Transconduttanza (g_m), Proporzioni (WL) & Tensione di overdrive (V_ov) possiamo trovare Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive utilizzando la formula - Process Transconductance Parameter = Transconduttanza/(Proporzioni*Tensione di overdrive).

Quali sono gli altri modi per calcolare Parametro di transconduttanza di processo?

Ecco i diversi modi per calcolare Parametro di transconduttanza di processo-

Process Transconductance Parameter=Transconductance^2/(2*Aspect Ratio*Drain Current)
Process Transconductance Parameter=Transconductance/(Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage))

Il Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive può essere negativo?

SÌ, Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive, misurato in Parametro di transconduttanza Potere può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive?

Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive viene solitamente misurato utilizzando Ampere per Volt Quadrato[A/V²] per Parametro di transconduttanza. Milliampere per Volt Quadrato[A/V²], Microampere per Volt Quadrato[A/V²] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Transconduttanza MOSFET utilizzando il parametro di transconduttanza di processo e la tensione di overdrive.

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