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Formula Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido

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La transconduttanza nel MOSFET è un parametro chiave che descrive la relazione tra la tensione di ingresso e la corrente di uscita. Controlla FAQs

g m = \sqrt{2 \cdot μ n \cdot C ox \cdot (\frac{W t}{L t}) \cdot I d}

g_m - Transconduttanza nei MOSFET?μ_n - Mobilità elettronica?C_ox - Capacità dell'ossido?W_t - Larghezza del transistor?L_t - Lunghezza del transistor?I_d - Assorbimento di corrente?

Esempio di Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido con Valori.

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido con unità.

Ecco come appare l'equazione Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido.

2.2866 = \sqrt{2 \cdot 30 \cdot 3.9 \cdot (\frac{5.5}{3.2}) \cdot 0.013}

2.2866S = \sqrt{2 \cdot 30m²/V*s \cdot 3.9F \cdot (\frac{5.5μm}{3.2μm}) \cdot 0.013A}

2.2866 = \sqrt{2 \cdot 30 \cdot 3.9 \cdot (\frac{5.5}{3.2}) \cdot 0.013}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

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) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Elettronica analogica » fx Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido

Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido?

Primo passo Considera la formula

g m = \sqrt{2 \cdot μ n \cdot C ox \cdot (\frac{W t}{L t}) \cdot I d}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

g m = \sqrt{2 \cdot 30m²/V*s \cdot 3.9F \cdot (\frac{5.5μm}{3.2μm}) \cdot 0.013A}

Passo successivo Converti unità

∴

g m = \sqrt{2 \cdot 30m²/V*s \cdot 3.9F \cdot (\frac{5.5E-6m}{3.2E-6m}) \cdot 0.013A}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

g m = \sqrt{2 \cdot 30 \cdot 3.9 \cdot (\frac{5.5E-6}{3.2E-6}) \cdot 0.013}

Passo successivo Valutare

∴

g m = 2.28657768291392S

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

g m = 2.2866S

Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido Formula Elementi

Variabili

Funzioni

Transconduttanza nei MOSFET

La transconduttanza nel MOSFET è un parametro chiave che descrive la relazione tra la tensione di ingresso e la corrente di uscita.

Simbolo: g_m

Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: S

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Transconduttanza nei MOSFET

Open Variable

Mobilità elettronica

La mobilità elettronica descrive la velocità con cui gli elettroni possono muoversi attraverso il materiale in risposta a un campo elettrico.

Simbolo: μ_n

Misurazione: MobilitàUnità: m²/V*s

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Mobilità elettronica

Open Variable

Capacità dell'ossido

La capacità di ossido si riferisce alla capacità associata allo strato di ossido isolante in una struttura a semiconduttore a ossido di metallo (MOS), come nei MOSFET.

Simbolo: C_ox

Misurazione: CapacitàUnità: F

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità dell'ossido

Open Variable

Larghezza del transistor

La larghezza del transistor si riferisce alla larghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.

Simbolo: W_t

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Larghezza del transistor

Open Variable

Lunghezza del transistor

La lunghezza del transistor si riferisce alla lunghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.

Simbolo: L_t

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Lunghezza del transistor

Open Variable

Assorbimento di corrente

La corrente di drain si riferisce alla corrente che scorre tra i terminali di drain e source del transistor quando è in funzione.

Simbolo: I_d

Misurazione: Corrente elettricaUnità: A

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Assorbimento di corrente

Open Variable

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

Altre formule nella categoria Caratteristiche del MOSFET

va Guadagno di tensione massimo al punto di polarizzazione

A vm = 2 \cdot \frac{V dd - V eff}{V eff}

va Guadagno di tensione massimo dato tutte le tensioni

A vm = \frac{V dd - 0.3}{V t}

va Guadagno di tensione data la tensione di drain

A v = \frac{i d \cdot R L \cdot 2}{V eff}

va Guadagno di tensione data la resistenza di carico del MOSFET

A v = g m \cdot \frac{\frac{1}{\frac{1}{R L} + \frac{1}{R out}}}{1 + g m \cdot R s}

Vedi altro OpenImg

OpenImg

Come valutare Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido?

Il valutatore Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido utilizza Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido*(Larghezza del transistor/Lunghezza del transistor)*Assorbimento di corrente) per valutare Transconduttanza nei MOSFET, La formula della transconduttanza del MOSFET data la capacità di ossido è definita come un parametro chiave che descrive la relazione tra la tensione di ingresso e la corrente di uscita. Transconduttanza nei MOSFET è indicato dal simbolo g_m.

Come valutare Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido, inserisci Mobilità elettronica (μ_n), Capacità dell'ossido (C_ox), Larghezza del transistor (W_t), Lunghezza del transistor (L_t) & Assorbimento di corrente (I_d) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido

Qual è la formula per trovare Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido?

La formula di Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido è espressa come Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido*(Larghezza del transistor/Lunghezza del transistor)*Assorbimento di corrente). Ecco un esempio: 7.230794 = sqrt(2*30*3.9*(5.5E-06/3.2E-06)*0.013).

Come calcolare Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido?

Con Mobilità elettronica (μ_n), Capacità dell'ossido (C_ox), Larghezza del transistor (W_t), Lunghezza del transistor (L_t) & Assorbimento di corrente (I_d) possiamo trovare Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido utilizzando la formula - Transconductance in MOSFET = sqrt(2*Mobilità elettronica*Capacità dell'ossido*(Larghezza del transistor/Lunghezza del transistor)*Assorbimento di corrente). Questa formula utilizza anche le funzioni Radice quadrata (sqrt).

Il Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido può essere negativo?

SÌ, Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido, misurato in Conduttanza elettrica Potere può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido?

Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido viene solitamente misurato utilizzando Siemens[S] per Conduttanza elettrica. Megasiemens[S], Millisiemens[S], Mho[S] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Transconduttanza MOSFET data capacità di ossido.

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