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La corrente di drain in NMOS è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET). Controlla FAQs
Id=k'n⋅WcL⋅Vds⋅(Vov-12⋅Vds)
Id - Assorbimento di corrente in NMOS?k'n - Parametro di transconduttanza di processo in NMOS?Wc - Larghezza del canale?L - Lunghezza del canale?Vds - Scaricare la tensione della sorgente?Vov - Tensione di overdrive in NMOS?

Esempio di Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS con Valori.

Ecco come appare l'equazione Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS con unità.

Ecco come appare l'equazione Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS.

239.693Edit=2Edit⋅10Edit3Edit⋅8.43Edit⋅(8.48Edit-12⋅8.43Edit)
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HomeIcon Casa » Category Ingegneria » Category Elettronica » Category Elettronica analogica » fx Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS

Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS?

Primo passo Considera la formula
Id=k'n⋅WcL⋅Vds⋅(Vov-12⋅Vds)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
∴ Id=2mS⋅10μm3μm⋅8.43V⋅(8.48V-12⋅8.43V)
Passo successivo Converti unità
∴ Id=0.002S⋅1E-5m3E-6m⋅8.43V⋅(8.48V-12⋅8.43V)
Passo successivo Preparati a valutare
∴ Id=0.002⋅1E-53E-6⋅8.43⋅(8.48-12⋅8.43)
Passo successivo Valutare
∴Id=0.239693A
Ultimo passo Converti nell'unità di output
∴Id=239.693mA

Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS Formula Elementi

Variabili
Assorbimento di corrente in NMOS
La corrente di drain in NMOS è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).
Simbolo: Id
Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Assorbimento di corrente in NMOSOpen Variable
Parametro di transconduttanza di processo in NMOS
Il parametro di transconduttanza di processo in NMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Simbolo: k'n
Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: mS
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare Parametro di transconduttanza di processo in NMOSOpen Variable
Larghezza del canale
La larghezza del canale si riferisce alla quantità di larghezza di banda disponibile per la trasmissione dei dati all'interno di un canale di comunicazione.
Simbolo: Wc
Misurazione: LunghezzaUnità: μm
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare Larghezza del canaleOpen Variable
Lunghezza del canale
La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.
Simbolo: L
Misurazione: LunghezzaUnità: μm
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare Lunghezza del canaleOpen Variable
Scaricare la tensione della sorgente
Drain Source Voltage è un termine elettrico utilizzato in elettronica e in particolare nei transistor ad effetto di campo. Si riferisce alla differenza di tensione tra i terminali Drain e Source del FET.
Simbolo: Vds
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare Scaricare la tensione della sorgenteOpen Variable
Tensione di overdrive in NMOS
La tensione di overdrive in NMOS si riferisce in genere alla tensione applicata a un dispositivo o componente che supera la sua normale tensione operativa.
Simbolo: Vov
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare Tensione di overdrive in NMOSOpen Variable

Altre formule per trovare Assorbimento di corrente in NMOS

​va Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate
Id=k'n⋅WcL⋅((Vgs-VT)⋅Vds-12⋅Vds2)
​va Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS
Id=k'n⋅WcL⋅((Vgs-VT)⋅Vds-12⋅(Vds)2)
​va Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS
Id=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vgs-VT)2
​va Corrente di ingresso della sorgente di drenaggio al limite della saturazione e della regione del triodo di NMOS
Id=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vds)2

Altre formule nella categoria Miglioramento del canale N

​va Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS
vd=μn⋅EL
​va NMOS come resistenza lineare
rDS=Lμn⋅Cox⋅Wc⋅(Vgs-VT)
​va Corrente in entrata nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS data la tensione effettiva
Ids=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vov)2
​va Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS
V=VA⋅L

Come valutare Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS?

Il valutatore Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS utilizza Drain Current in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*Scaricare la tensione della sorgente*(Tensione di overdrive in NMOS-1/2*Scaricare la tensione della sorgente) per valutare Assorbimento di corrente in NMOS, La corrente che entra nel terminale di drain di NMOS, i MOSFET commutano solo la corrente che scorre in una direzione; hanno un diodo tra source e drain nell'altra direzione (in altre parole, se il drain (su un dispositivo a canale N) scende al di sotto della tensione sulla source, la corrente fluirà dalla source al drain). Assorbimento di corrente in NMOS è indicato dal simbolo Id.

Come valutare Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS, inserisci Parametro di transconduttanza di processo in NMOS (k'n), Larghezza del canale (Wc), Lunghezza del canale (L), Scaricare la tensione della sorgente (Vds) & Tensione di overdrive in NMOS (Vov) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS

Qual è la formula per trovare Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS?
La formula di Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS è espressa come Drain Current in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*Scaricare la tensione della sorgente*(Tensione di overdrive in NMOS-1/2*Scaricare la tensione della sorgente). Ecco un esempio: 239693 = 0.002*1E-05/3E-06*8.43*(8.48-1/2*8.43).
Come calcolare Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS?
Con Parametro di transconduttanza di processo in NMOS (k'n), Larghezza del canale (Wc), Lunghezza del canale (L), Scaricare la tensione della sorgente (Vds) & Tensione di overdrive in NMOS (Vov) possiamo trovare Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS utilizzando la formula - Drain Current in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*Scaricare la tensione della sorgente*(Tensione di overdrive in NMOS-1/2*Scaricare la tensione della sorgente).
Quali sono gli altri modi per calcolare Assorbimento di corrente in NMOS?
Ecco i diversi modi per calcolare Assorbimento di corrente in NMOS-
  • Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*Drain Source Voltage^2)OpenImg
  • Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*(Drain Source Voltage)^2)OpenImg
  • Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Gate Source Voltage-Threshold Voltage)^2OpenImg
Il Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS può essere negativo?
NO, Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS, misurato in Corrente elettrica non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS?
Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS viene solitamente misurato utilizzando Millampere[mA] per Corrente elettrica. Ampere[mA], microampere[mA], Centiampere[mA] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS.
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