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Formula Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale

vaTensione tra gate e sorgente del MOSFET sulla tensione di ingresso differenziale data la tensione di overdrive Formula

vaTensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso Formula

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La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo. Controlla FAQs

V gs = V th + \sqrt{\frac{2 \cdot I b}{k' n \cdot WL}}

V_gs - Tensione gate-source?V_th - Soglia di voltaggio?I_b - Corrente di polarizzazione CC?k'_n - Parametro di transconduttanza di processo?WL - Proporzioni?

Esempio di Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale con Valori.

Ecco come appare l'equazione Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale con unità.

Ecco come appare l'equazione Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale.

5.3628 = 2.3 + \sqrt{\frac{2 \cdot 985}{2.1 \cdot 0.1}}

5.3628V = 2.3V + \sqrt{\frac{2 \cdot 985mA}{2.1A/V² \cdot 0.1}}

5.3628 = 2.3 + \sqrt{\frac{2 \cdot 985}{2.1 \cdot 0.1}}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Elettronica analogica » fx Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale?

Primo passo Considera la formula

V gs = V th + \sqrt{\frac{2 \cdot I b}{k' n \cdot WL}}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

V gs = 2.3V + \sqrt{\frac{2 \cdot 985mA}{2.1A/V² \cdot 0.1}}

Passo successivo Converti unità

∴

V gs = 2.3V + \sqrt{\frac{2 \cdot 0.985A}{2.1A/V² \cdot 0.1}}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

V gs = 2.3 + \sqrt{\frac{2 \cdot 0.985}{2.1 \cdot 0.1}}

Passo successivo Valutare

∴

V gs = 5.36283404397829V

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

V gs = 5.3628V

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale Formula Elementi

Variabili

Funzioni

Tensione gate-source

La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.

Simbolo: V_gs

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione gate-source

Soglia di voltaggio

La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

Simbolo: V_th

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Soglia di voltaggio

Corrente di polarizzazione CC

La corrente di polarizzazione CC è la corrente costante che scorre attraverso un circuito o un dispositivo per stabilire un determinato punto operativo o punto di polarizzazione.

Simbolo: I_b

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Corrente di polarizzazione CC

Parametro di transconduttanza di processo

Il Process Transconductance Parameter (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.

Simbolo: k'_n

Misurazione: Parametro di transconduttanzaUnità: A/V²

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Parametro di transconduttanza di processo

Proporzioni

Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente

Simbolo: WL

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Proporzioni

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

Altre formule per trovare Tensione gate-source

va Tensione tra gate e sorgente del MOSFET sulla tensione di ingresso differenziale data la tensione di overdrive

V gs = V th + 1.4 \cdot V eff

va Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso

V gs = \frac{I in}{ω \cdot (C sg + C gd)}

Altre formule nella categoria Voltaggio

va Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

va Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

va Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET dato il segnale di modo comune

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

va Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET dato il segnale di modo comune

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

Vedi altro OpenImg

Come valutare Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale?

Il valutatore Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale utilizza Gate-Source Voltage = Soglia di voltaggio+sqrt((2*Corrente di polarizzazione CC)/(Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni)) per valutare Tensione gate-source, La tensione attraverso il gate e la sorgente del MOSFET durante il funzionamento con la formula della tensione di ingresso differenziale è definita come la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor. Ciò significa che collegando i loro terminali a un circuito, normalmente condurranno corrente attraverso lo scarico verso la sorgente, senza alcuna tensione fornita alla base. Tensione gate-source è indicato dal simbolo V_gs.

Come valutare Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale, inserisci Soglia di voltaggio (V_th), Corrente di polarizzazione CC (I_b), Parametro di transconduttanza di processo (k'_n) & Proporzioni (WL) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale

Qual è la formula per trovare Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale?

La formula di Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale è espressa come Gate-Source Voltage = Soglia di voltaggio+sqrt((2*Corrente di polarizzazione CC)/(Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni)). Ecco un esempio: 5.362834 = 2.3+sqrt((2*0.985)/(2.1*0.1)).

Come calcolare Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale?

Con Soglia di voltaggio (V_th), Corrente di polarizzazione CC (I_b), Parametro di transconduttanza di processo (k'_n) & Proporzioni (WL) possiamo trovare Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale utilizzando la formula - Gate-Source Voltage = Soglia di voltaggio+sqrt((2*Corrente di polarizzazione CC)/(Parametro di transconduttanza di processo*Proporzioni)). Questa formula utilizza anche le funzioni Radice quadrata (sqrt).

Quali sono gli altri modi per calcolare Tensione gate-source?

Ecco i diversi modi per calcolare Tensione gate-source-

Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+1.4*Effective Voltage
Gate-Source Voltage=Input Current/(Angular Frequency*(Source Gate Capacitance+Gate-Drain Capacitance))

Il Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale può essere negativo?

NO, Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale, misurato in Potenziale elettrico non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale?

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale.

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Formula Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale

​vaTensione tra gate e sorgente del MOSFET sulla tensione di ingresso differenziale data la tensione di overdrive Formula

​vaTensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso Formula

Esempio di Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale Soluzione

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