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Formula Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso

vaTensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale Formula

vaTensione tra gate e sorgente del MOSFET sulla tensione di ingresso differenziale data la tensione di overdrive Formula

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La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo. Controlla FAQs

V gs = \frac{I in}{ω \cdot (C sg + C gd)}

V_gs - Tensione gate-source?I_in - Corrente di ingresso?ω - Frequenza angolare?C_sg - Capacità del gate della sorgente?C_gd - Capacità di gate-drain?

Esempio di Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso con Valori.

Ecco come appare l'equazione Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso con unità.

Ecco come appare l'equazione Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso.

3.9978 = \frac{2}{33 \cdot (8.16 + 7)}

3.9978V = \frac{2mA}{33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF)}

3.9978 = \frac{2}{33 \cdot (8.16 + 7)}

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Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso?

Primo passo Considera la formula

V gs = \frac{I in}{ω \cdot (C sg + C gd)}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

V gs = \frac{2mA}{33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF)}

Passo successivo Converti unità

∴

V gs = \frac{0.002A}{33rad/s \cdot (8.2E-6F + 7E-6F)}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

V gs = \frac{0.002}{33 \cdot (8.2E-6 + 7E-6)}

Passo successivo Valutare

∴

V gs = 3.99776125369793V

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

V gs = 3.9978V

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso Formula Elementi

Variabili

Tensione gate-source

La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.

Simbolo: V_gs

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione gate-source

Corrente di ingresso

La corrente di ingresso può riferirsi alla corrente elettrica che scorre in un dispositivo o circuito elettrico. Questa corrente può essere CA o CC a seconda del dispositivo e della fonte di alimentazione.

Simbolo: I_in

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Corrente di ingresso

Frequenza angolare

La frequenza angolare dell'onda si riferisce allo spostamento angolare per unità di tempo. È una misura scalare della velocità di rotazione.

Simbolo: ω

Misurazione: Frequenza angolareUnità: rad/s

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Frequenza angolare

Capacità del gate della sorgente

La capacità di gate della sorgente è una misura della capacità tra gli elettrodi di source e di gate in un transistor ad effetto di campo (FET).

Simbolo: C_sg

Misurazione: CapacitàUnità: μF

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità del gate della sorgente

Capacità di gate-drain

La capacità di gate-drain è una capacità parassita che esiste tra gli elettrodi di gate e di drain di un transistor ad effetto di campo (FET).

Simbolo: C_gd

Misurazione: CapacitàUnità: μF

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità di gate-drain

Altre formule per trovare Tensione gate-source

va Tensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale

V gs = V th + \sqrt{\frac{2 \cdot I b}{k' n \cdot WL}}

va Tensione tra gate e sorgente del MOSFET sulla tensione di ingresso differenziale data la tensione di overdrive

V gs = V th + 1.4 \cdot V eff

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v o1 = - (R out \cdot I t)

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v o2 = - (R out \cdot I t)

va Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET dato il segnale di modo comune

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

va Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET dato il segnale di modo comune

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

Vedi altro OpenImg

Come valutare Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso?

Il valutatore Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso utilizza Gate-Source Voltage = Corrente di ingresso/(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain)) per valutare Tensione gate-source, La formula della corrente di ingresso data tra gate e source del MOSFET è definita come la tensione tra gate e source necessaria per accendere il MOSFET. in altre parole, se è almeno pari alla tensione di soglia, il MOSFET si accende. Tensione gate-source è indicato dal simbolo V_gs.

Come valutare Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso, inserisci Corrente di ingresso (I_in), Frequenza angolare (ω), Capacità del gate della sorgente (C_sg) & Capacità di gate-drain (C_gd) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso

Qual è la formula per trovare Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso?

La formula di Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso è espressa come Gate-Source Voltage = Corrente di ingresso/(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain)). Ecco un esempio: 3.997761 = 0.002/(33*(8.16E-06+7E-06)).

Come calcolare Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso?

Con Corrente di ingresso (I_in), Frequenza angolare (ω), Capacità del gate della sorgente (C_sg) & Capacità di gate-drain (C_gd) possiamo trovare Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso utilizzando la formula - Gate-Source Voltage = Corrente di ingresso/(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain)).

Quali sono gli altri modi per calcolare Tensione gate-source?

Ecco i diversi modi per calcolare Tensione gate-source-

Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+sqrt((2*DC Bias Current)/(Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio))
Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+1.4*Effective Voltage

Il Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso può essere negativo?

NO, Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso, misurato in Potenziale elettrico non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso?

Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso.

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Formula Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso

​vaTensione tra gate e sorgente del MOSFET durante il funzionamento con tensione di ingresso differenziale Formula

​vaTensione tra gate e sorgente del MOSFET sulla tensione di ingresso differenziale data la tensione di overdrive Formula

Esempio di Tensione tra gate e sorgente del MOSFET data la corrente di ingresso

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