Formula Tensione termica del CMOS

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La tensione termica è la tensione prodotta all'interno della giunzione pn. Controlla FAQs
Vt=ψoln(NaNdni2)
Vt - Tensione termica?ψo - Potenziale incorporato?Na - Concentrazione dell'accettore?Nd - Concentrazione dei donatori?ni - Concentrazione elettronica intrinseca?

Esempio di Tensione termica del CMOS

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Tensione termica del CMOS con Valori.

Ecco come appare l'equazione Tensione termica del CMOS con unità.

Ecco come appare l'equazione Tensione termica del CMOS.

0.5495Edit=18.8Editln(1100Edit1.9E+14Edit17Edit2)
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Tensione termica del CMOS Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Tensione termica del CMOS?

Primo passo Considera la formula
Vt=ψoln(NaNdni2)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
Vt=18.8Vln(11001/m³1.9E+141/m³172)
Passo successivo Preparati a valutare
Vt=18.8ln(11001.9E+14172)
Passo successivo Valutare
Vt=0.549471683639064V
Ultimo passo Risposta arrotondata
Vt=0.5495V

Tensione termica del CMOS Formula Elementi

Variabili
Funzioni
Tensione termica
La tensione termica è la tensione prodotta all'interno della giunzione pn.
Simbolo: Vt
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Potenziale incorporato
Il potenziale incorporato è il potenziale all'interno del MOSFET.
Simbolo: ψo
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Concentrazione dell'accettore
La concentrazione dell'accettore è la concentrazione di lacune nello stato dell'accettore.
Simbolo: Na
Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/m³
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Concentrazione dei donatori
La concentrazione del donatore è la concentrazione di elettroni nello stato donatore.
Simbolo: Nd
Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/m³
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Concentrazione elettronica intrinseca
La concentrazione elettronica intrinseca è definita come il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.
Simbolo: ni
Misurazione: NAUnità: Unitless
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
ln
Il logaritmo naturale, noto anche come logaritmo in base e, è la funzione inversa della funzione esponenziale naturale.
Sintassi: ln(Number)

Altre formule nella categoria Caratteristiche del progetto CMOS

​va Corrente statica
istatic=PstaticVbc
​va Potenziale integrato
ψo=Vtln(NaNdni2)
​va Modifica della frequenza dell'orologio
Δf=KvcoVctrl
​va Capacità sul percorso
Conpath=Ct-Coffpath

Come valutare Tensione termica del CMOS?

Il valutatore Tensione termica del CMOS utilizza Thermal Voltage = Potenziale incorporato/ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2)) per valutare Tensione termica, La tensione termica del CMOS è la tensione generata attraverso un dispositivo MOSFET a causa delle differenze di temperatura tra i terminali source e drain. Tensione termica è indicato dal simbolo Vt.

Come valutare Tensione termica del CMOS utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Tensione termica del CMOS, inserisci Potenziale incorporato o), Concentrazione dell'accettore (Na), Concentrazione dei donatori (Nd) & Concentrazione elettronica intrinseca (ni) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Tensione termica del CMOS

Qual è la formula per trovare Tensione termica del CMOS?
La formula di Tensione termica del CMOS è espressa come Thermal Voltage = Potenziale incorporato/ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2)). Ecco un esempio: 0.549472 = 18.8/ln((1100*190000000000000)/(17^2)).
Come calcolare Tensione termica del CMOS?
Con Potenziale incorporato o), Concentrazione dell'accettore (Na), Concentrazione dei donatori (Nd) & Concentrazione elettronica intrinseca (ni) possiamo trovare Tensione termica del CMOS utilizzando la formula - Thermal Voltage = Potenziale incorporato/ln((Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori)/(Concentrazione elettronica intrinseca^2)). Questa formula utilizza anche le funzioni Logaritmo naturale (ln).
Il Tensione termica del CMOS può essere negativo?
NO, Tensione termica del CMOS, misurato in Potenziale elettrico non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Tensione termica del CMOS?
Tensione termica del CMOS viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Tensione termica del CMOS.
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