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Formula Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET

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La corrente di ingresso può riferirsi alla corrente elettrica che scorre in un dispositivo o circuito elettrico. Questa corrente può essere CA o CC a seconda del dispositivo e della fonte di alimentazione. Controlla FAQs

I in = V gs \cdot (ω \cdot (C sg + C gd))

I_in - Corrente di ingresso?V_gs - Tensione gate-source?ω - Frequenza angolare?C_sg - Capacità del gate della sorgente?C_gd - Capacità di gate-drain?

Esempio di Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET con Valori.

Ecco come appare l'equazione Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET con unità.

Ecco come appare l'equazione Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET.

2.0011 = 4 \cdot (33 \cdot (8.16 + 7))

2.0011mA = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF))

2.0011 = 4 \cdot (33 \cdot (8.16 + 7))

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET?

Primo passo Considera la formula

I in = V gs \cdot (ω \cdot (C sg + C gd))

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

I in = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF))

Passo successivo Converti unità

∴

I in = 4V \cdot (33rad/s \cdot (8.2E-6F + 7E-6F))

Passo successivo Preparati a valutare

∴

I in = 4 \cdot (33 \cdot (8.2E-6 + 7E-6))

Passo successivo Valutare

∴

I in = 0.00200112A

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

I in = 2.00112mA

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

I in = 2.0011mA

Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET Formula Elementi

Variabili

Corrente di ingresso

Simbolo: I_in

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Corrente di ingresso

Tensione gate-source

La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.

Simbolo: V_gs

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione gate-source

Frequenza angolare

La frequenza angolare dell'onda si riferisce allo spostamento angolare per unità di tempo. È una misura scalare della velocità di rotazione.

Simbolo: ω

Misurazione: Frequenza angolareUnità: rad/s

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Frequenza angolare

Capacità del gate della sorgente

La capacità di gate della sorgente è una misura della capacità tra gli elettrodi di source e di gate in un transistor ad effetto di campo (FET).

Simbolo: C_sg

Misurazione: CapacitàUnità: μF

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità del gate della sorgente

Capacità di gate-drain

La capacità di gate-drain è una capacità parassita che esiste tra gli elettrodi di gate e di drain di un transistor ad effetto di campo (FET).

Simbolo: C_gd

Misurazione: CapacitàUnità: μF

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità di gate-drain

Altre formule nella categoria Voltaggio

va Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

va Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

va Tensione di uscita al Drain Q1 del MOSFET dato il segnale di modo comune

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

va Tensione di uscita al Drain Q2 del MOSFET dato il segnale di modo comune

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

Vedi altro OpenImg

Come valutare Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET?

Il valutatore Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET utilizza Input Current = Tensione gate-source*(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain)) per valutare Corrente di ingresso, Il parametro della tensione positiva data dal dispositivo nel MOSFET aumenta con il drogaggio mentre la soglia delle strutture pMOS diminuisce con il drogaggio allo stesso modo. Una variazione della tensione a banda piatta dovuta alla carica di ossido farà sì che entrambe le curve si spostino verso il basso se la carica è positiva e verso l'alto se la carica è negativa. Corrente di ingresso è indicato dal simbolo I_in.

Come valutare Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET, inserisci Tensione gate-source (V_gs), Frequenza angolare (ω), Capacità del gate della sorgente (C_sg) & Capacità di gate-drain (C_gd) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET

Qual è la formula per trovare Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET?

La formula di Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET è espressa come Input Current = Tensione gate-source*(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain)). Ecco un esempio: 2001.12 = 4*(33*(8.16E-06+7E-06)).

Come calcolare Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET?

Con Tensione gate-source (V_gs), Frequenza angolare (ω), Capacità del gate della sorgente (C_sg) & Capacità di gate-drain (C_gd) possiamo trovare Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET utilizzando la formula - Input Current = Tensione gate-source*(Frequenza angolare*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain)).

Il Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET può essere negativo?

SÌ, Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET, misurato in Corrente elettrica Potere può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET?

Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET viene solitamente misurato utilizzando Millampere[mA] per Corrente elettrica. Ampere[mA], microampere[mA], Centiampere[mA] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Tensione positiva data il parametro del dispositivo nel MOSFET.

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